公开(公告)号：CN105210205A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480028347.5

申请日：2014-05-16

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 永井隆文 ,  足达健二 ,  安苏芳雄 ,  家裕隆 ,  辛川诚

IPC: H01L51/46 ,  C07D209/58 ,  C08K3/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99％以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料，[式中，环A表示C60富勒烯；R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基；且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(％)时，由下式定义：纯度(％)＝100-Dmax(％)，式(1)为：。

公开(公告)号：CN105209433A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480028220.3

申请日：2014-05-16

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 永井隆文 ,  足达健二 ,  安苏芳雄 ,  家裕隆 ,  辛川诚

IPC: C07D209/70 ,  C07D409/04 ,  C07D417/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0047 ,  C07D209/70 ,  C07D409/04 ,  C07D417/04 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明涉及式(1)所示的富勒烯衍生物。[式中，R1a和R1b相同或不同，表示氢原子或氟原子，R1c和R1d相同或不同，表示氢原子、氟原子、烷基、烷氧基、酯基或氰基，R2表示(1)可以取代有选自氟原子、烷基、烷氧基、酯基和氰基中的1个以上的取代基的苯基或者(2)可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基，且环A表示富勒烯环。其中，R1a、R1b、R1c和R1d为氢原子时，R2为取代有1或2个氟原子的苯基或可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基。]式(1)：。

公开(公告)号：CN103733357A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280039417.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  大金工业株式会社

Inventor： 森田瑞穗 ,  打越纯一 ,  塚本健太郎 ,  永井隆文 ,  足达健二

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，包括（1）使含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与固体材料的表面接触的工序；和（2）对上述固体材料进行加热的工序，由此，能够不使用引起地球变暖的环境负荷高的气体类、或者反应性、毒性高且危险的氟气、氢氟酸，能够安全且简便地进行蚀刻，并且蚀刻速度提高。上述蚀刻方法还可以包括：（3）对固体材料从含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料一侧进行曝光的工序、和／或（4）将含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与该材料和固体材料之间的残渣一起除去的工序。特别是通过使加热温度达到高温实施光照射，能够形成适合用于太阳能电池用固体材料的表面的陷光和／或防反射加工的倒金字塔形状的凹部。

公开(公告)号：CN103429559A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012648.X

申请日：2012-03-08

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  大金工业株式会社

Inventor： 永井隆文 ,  足达健二 ,  柴沼俊 ,  生越专介 ,  大桥理人

IPC: C07C17/263 ,  C07C22/08 ,  C07F5/04 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/26 ,  C07C17/263 ,  C07C45/61 ,  C07C45/68 ,  C07C67/343 ,  C07C253/30 ,  C07F5/025 ,  C07F5/04 ,  C07C22/08 ,  C07C255/50 ,  C07C47/55 ,  C07C69/76

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造方法，其能够由含氟烯烃简便且有效地（高收率、高选择性、低成本）地制造取代有有机基团的含氟烯烃。一种取代有有机基团的含氟烯烃的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在含有选自镍、钯、铂、铑、钌和钴中的过渡金属的有机过渡金属催化剂的存在下，使含氟烯烃与有机硼化合物反应。

公开(公告)号：CN1083435C

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN95195801.1

申请日：1995-10-20

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 梅本照雄 ,  足达健二 ,  富泽银次郎 ,  石原寿美 ,  永芳正之

IPC: C07D213/89 ,  H01M4/60

CPC classification number: C07D213/22 ,  C07D213/20 ,  C08G73/0627 ,  H01M4/137 ,  H01M4/60 ,  H01M4/608 ,  H01M6/164 ,  H01M6/166 ,  H01M6/181 ,  H01M6/183 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0565 ,  H01M2004/028

Abstract: 一种含有共轭型N-氟代吡啶鎓盐重复单元的聚合物，以及采用该聚合物的正极活性物质、电解质、正极电池材料和电池。可以得到高电动势、高能量密度以及环境相容性好、且充放电的内阻低、电动势回复力强的电池材料和一次或二次电池。而且，还可以用作氟化剂。

公开(公告)号：CN1229529A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN98800794.0

申请日：1998-03-25

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 梅本照雄 ,  原田昌之 ,  足达健二

IPC: H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0567 ,  H01M2/20 ,  H01M4/60 ,  H01M6/164 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566

Abstract: 提供了一种电解液,其中含有至少一种二卤代二羰基化合物,该二卤代二羰基化合物的两个羰基之间亚甲基的氢原子被卤原子取代;还提供了一种包含该电解液、正极活性物质和负极活性物质的电能发生装置。这种电解液具有高极性、高耐氧化性和阻燃性,作为电能发生装置的电解液使用时具有优良性能。

公开(公告)号：CN1165516A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN96191134.4

申请日：1996-08-02

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 梅本照雄 ,  永芳正之 ,  富沢银次郎 ,  足达健二

IPC: C07D487/08

CPC classification number: C07D487/08

Abstract: 通式(I)的N，N′-二氟二氮鎓双环链烷烃盐的制造方法，包括：在布朗斯台德酸的存在下、或在存在或不存在碱的条件下，使对应的二氮杂双环链烷烃或二氮杂双环链烷烃·布朗斯台德酸盐与氟反应；使对应的N，N′-二氟二氮鎓双环链烷烃盐与酸或盐反应；使对应的二氮杂双环链烷烃与氟反应，接着与酸或盐连续反应；或者使对应的二氮杂双环链烷烃·布朗斯台德酸盐与氟反应接着与酸或盐连续反应。见通式(I)。