公开(公告)号：CN103489967A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310399590.5

申请日：2013-09-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈远鹏 ,  夏晓川 ,  柳阳 ,  申人升 ,  梁红伟 ,  杜国同

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以气态含氧物质作为氧源，以含氢的化合物作为辅助反应气体，进而制备氧化镓外延膜。本发明使用MOCVD系统且通过调节生长参数、加入辅助反应物和优化后续处理方法来制备氧化镓外延膜，该方法能够让有机源充分反应，且反应产物可以完全脱离，避免了碳及其相关化合物的再次沉积对氧化镓膜表面造成的污染；经本方法制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

公开(公告)号：CN103469299A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310398997.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  申人升 ,  柳阳 ,  梁红伟 ,  杜国同 ,  胡礼中

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B31/20

Abstract: 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。

公开(公告)号：CN101266179A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810010625.0

申请日：2008-03-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  闫卫平 ,  杜国同 ,  张玉书

IPC: G01L11/02 ,  G01L19/04

Abstract: 一种内弧形顶薄壁应变筒投入式光纤Bragg光栅压力传感器，属于传感器技术领域，涉及一种投入式的压力测量的光纤Bragg光栅压力传感器。其特征是金属薄壁内筒的内侧顶端是弧形结构；压力测量光纤Bragg光栅和温度补偿光纤Bragg光栅均采用金属化封装，压力测量光纤Bragg光栅用金属沿轴向焊接在金属薄壁内筒的外壁侧面，温度补偿光纤Bragg光栅用金属焊接在金属薄壁内筒的顶端外侧，压力测量光纤Bragg光栅和温度补偿光纤Bragg光栅呈相互垂直方向；两条信号引出单模光纤在通过光纤出孔时也采用局部金属化封装，用金属焊接于光纤出孔处，并将光纤出孔封闭。本发明的效果和益处是可提高了压力传感器的压力测量范围，解决两条Bragg光栅交叉敏感问题，提高传感器的工作温度范围。