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公开(公告)号：CN102492993A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101415867B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780011616.7
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
Abstract: 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na-Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。
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公开(公告)号：CN101851785A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN101405439A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN101384953A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
Abstract: 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm－1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110714190B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下控股株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
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公开(公告)号：CN110219047B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201910135561.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下控股株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
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公开(公告)号：CN107338477B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201710222410.4
申请日：2017-04-06
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
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公开(公告)号：CN107407008B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201680013458.8
申请日：2016-02-18
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm‑3以下。
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公开(公告)号：CN109537056A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811037236.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社迪思科 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明提供一种容易将III-V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III-V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III-V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III-V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III-V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III-V族化合物晶体(12)并使其生长。
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