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公开(公告)号：CN103949429A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410178793.6
申请日：2014-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 碳化硅单晶的清洗方法，它涉及一种单晶的清洗方法。本是为了解决现有清洗SiC的方法步骤繁琐的技术问题。本方法如下：将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。本发明的SiC单晶的清洗方法重复性好，清洗得的SiC单晶洁净度高，清洗后的SiC单晶表面只有Si、O、C三种元素，其中杂质碳含量
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公开(公告)号：CN103395008A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310364404.4
申请日：2013-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 复合能场作用下磨料射流加工方法，属于难加工材料的加工技术领域，本发明为解决现有的金属基难加工材料加工方法存在加工效率低、刀具磨损严重以及加工成本高的问题。本发明方法包括以下步骤：一、配制电解液；二、配制磨料电解质混合液，并搅拌；三、调整后混合喷射装置喷嘴与被加工工件距离；四、启动压缩空气产生系统，打开气体压力开关；五、启动气液增压泵；六、启动精密流量控制泵，使磨料电解质混合液与工作液混合为磨料电解质混合加工液；七、启动电源，后混合喷射装置喷射磨料电解质混合加工液，对被加工工件进行加工；八、加工完成后，关闭电源，关闭精密流量控制泵，关闭气液增压泵，关闭压缩空气产生系统；九、取出被加工工件。
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公开(公告)号：CN102241084B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110108993.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 双刀盘卧式超精密液体静压电主轴系统，它涉及一种液体静压电主轴系统。本发明为解决现有的KDP超精密加工机床的主轴系统的刚度低、加工效率低的问题。第一轴系支架位于壳体内腔的一端，第一轴系支架通过第一固定挡板与壳体固接，第二轴系支架位于壳体内腔的另一端，直流双输出轴电机的第一输出轴通过第一止推板与第一主轴的一端固接，第一主轴的另一端与第一刀盘固接，第一轴套套装在第一主轴上，第一轴套固装在第一轴系支架上；直流双输出轴电机的第二输出轴通过第二止推板与第二主轴的一端固接，第二主轴的另一端与第二刀盘固接，第二轴套套装在第二主轴上，第二轴套固装在第二轴系支架上。本发明的主轴系统用于加工KDP晶体光学零件。
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公开(公告)号：CN102554787B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210013695.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B53/075 , B24B41/06
CPC classification number: Y02P70/177
Abstract: 抛光砖用金刚石磨块修整装置，它涉及一种金刚石磨块修整装置。本发明为解决现有的金刚石磨块修整方法存在修整效率低、修整后的磨块直线度差的问题。第一丝杠导轨工作台的导轨与第二丝杠导轨工作台的导轨呈T字形设置，所述第一大皮带轮固套在第一传动轴的一端上，所述第一传动轴的一端上固装有第一电极，所述第一小皮带轮通过第一同步带与第一大皮带轮传动连接，所述第一磨块夹具固套在第一传动轴的中部；所述第二传动轴的一端上固装有第二电极，所述第二小皮带轮通过第二同步带与第二大皮带轮传动连接，所述第二磨块夹具固套在第二传动轴的中部；第一磨块夹具和第二磨块夹具上沿圆周方向均布加工有多个凹槽。本发明用于修整金刚石磨块。
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公开(公告)号：CN101462256B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910071276.8
申请日：2009-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 应用纳米胶体射流抛光元件表面的方法，它涉及一种应用胶体射流抛光元件的方法。本发明解决了现有的抛光方法难以使元件表面达到超光滑表面的要求或能达到超光滑表面的要求但加工成本过高的问题。本发明方法如下：在射流压力为0.1MPa～10MPa、喷射速度为10～200m/s的条件下将纳米胶体喷射于元件表面；其中所述的纳米胶体的动力粘度为0.001～0.02N·s/m2、pH值为8～12。本发明方法适用于光学玻璃、微晶玻璃、半导体材料及单晶材料等硬脆材料的超精密、超光滑抛光，经过抛光后元件表面粗糙度小于1nm(Rms)，达到了超光滑表面的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100566928C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710144617.0
申请日：2007-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 超精密驱动机构，它涉及一种驱动机构。本发明的目的是为解决现有直线运动的超精密工作台的缺点是静、动态刚度较低，抵抗外界干扰的能力较差的问题。本发明中间推动板的上部设置在前推动板和后推动板之间，中间推动板的下端与气浮转换块的上端相连接，前推动板内设有第一节流小孔，后推动板内设有第二节流小孔，中间推动板与前推动板之间形成第一气体静压气膜腔，中间推动板与后推动板之间形成第二气体静压气膜腔，气浮转换块内设有静压节流小孔。本发明的优点是：结构简单、工作可靠，彻底消除了丝杠驱动方向之外的两个方向的力干扰。精度高，大行程超精密工作台的直线度达到了0.17μm/600mm。承载能力高，应用范围广，可应用于多种形式的超精密工作台的驱动。
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公开(公告)号：CN101195178A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710144867.4
申请日：2007-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 龙门式超精密飞切铣床，它涉及一种铣床。本发明解决了现有技术中没能提供用于平面超精密加工的专用设备来加工非线性光学领域所急需的KDP晶体等功能材料的问题。所述主轴套(38)套装在气体静压主轴(35)上，飞刀盘(34)安装在气体静压主轴(35)的下端上，上溜板(41)的两端通过两个中间溜板(45)与两个下溜板(46)分别固接并形成凹槽(62)，所述导轨(42)的上端安装在凹槽(62)内，真空吸盘(57)安装在上溜板(41)上，丝母(58)套装在丝杠(11)上，丝杠(11)的两端安装在导轨(42)的上端。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动，而且导轨和主轴均采用了空气静压的控制方式，具有精度高、无污染等优点。
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公开(公告)号：CN1613605A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410044076.0
申请日：2004-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超声波磁流变复合抛光方法及装置，它涉及超精密加工和光学加工技术领域。本发明方法采用小直径中空的回转抛光工具头(5)，在其内部通入混有磨料的磁流变液(13)，并施加一定的磁场，使磁流变液(13)在工具头(5)上形成有一定去除能力的柔性抛光工具，同时，施加超声振动，而实现抛光去除作用。本发明装置中超声波发生装置(3)的上端与电主轴(1)的输出端固定连接，其下部空套电磁铁(4)，其下端固定连接工具头(5)。本发明的抛光方法采用小直径中空的回转工具头，可实现较小曲率半径的凹曲面的抛光、特别是深凹面光学元件加工，可推广应用于自由曲面光学元件的超精密加工，提高抛光的去除效率；抛光设备具有结构简单、紧凑、操作方便、加工精度高的优点。
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公开(公告)号：CN115870819A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211542866.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磨削硬脆材料小直径圆柱工件的装置及磨削方法，它涉及一种磨削装置及磨削方法。本发明为了解决现有无心磨加工小圆柱工件工艺无法加工2mm以下的小直径硬脆材料圆柱工件的问题。本发明的多个实验台支撑立柱固定支撑在实验台上，砂轮主轴进给直线导轨安装在实验台的上端面上，第一砂轮主轴和第二砂轮主轴安装在砂轮主轴进给直线导轨上，第一砂轮安装在第一砂轮主轴上，第二砂轮安装在第二砂轮主轴上，第一砂轮和第二砂轮相对布置并位于同一个竖直平面上，硬脆材料小圆柱工件位于第一砂轮和第二砂轮之间的上部。方法：确定磨削加工工艺、砂轮修整方法、确定双砂轮转速差和形状精度。本发明用于硬脆材料小直径圆柱工件的加工。
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公开(公告)号：CN113910010A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111331940.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工，更具体的说是一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床。一种硬脆半导体材料的加工方法，包括以下步骤：S1、采用等离子体流降低硬脆半导体材料表面的硬度；S2、采用金刚石材质的打磨件对硬脆半导体材料表面进行磨削。上述加工方法还使用一种硬脆半导体材料等离子体机械复合磨削机床，所述机床包括：等离子体存储器，以及固定并连通在等离子体存储器上的等离子体传送管道；还包括砂轮磨削机构，所述砂轮磨削机构包括能够水平与纵向调节的金刚石砂轮；其中，等离子体传送管道能够调至准金刚石砂轮处，目的是可以提高硬脆半导体材料表面加工的质量。
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