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公开(公告)号：CN105549132A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510905929.3
申请日：2015-12-09
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/003
Abstract: 本发明涉及一种基于双曲光子晶体的近红外全向吸收器，该吸收器包括基底、金属薄膜、厚硅薄膜、氧化铟锡薄膜和薄硅薄膜，所述的氧化铟锡薄膜和薄硅薄膜周期层叠后形成等效的双曲特异材料，该等效的双曲特异材料再与厚硅薄膜周期层叠后形成双曲光子晶体，所述的双曲光子晶体铺设在金属薄膜上，所述的金属薄膜铺设在基底上。与现有技术相比，本发明利用亚波长尺度的氧化铟锡薄膜和薄硅薄膜周期层叠后构成等效的双曲特异材料，再利用等效的双曲特异材料与厚硅薄膜周期层叠后形成双曲光子晶体，构成布拉格反射镜，再利用该布拉格反射镜与金属薄膜结合，激发全向的隧穿模，从而实现近红外的具有极化选择特性的全向吸收。
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公开(公告)号：CN104979603A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410131212.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 同济大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明涉及一种基于非线性电磁感应透明现象的微波双稳态开关，包括介质板、平面铜箔层、粗线铜箔带、细线铜箔带及环状铜箔层，其中，平面铜箔层完整铺设在介质板的下表面；粗线铜箔带水平铺设在介质板的上表面；细线铜箔带垂直铺设在介质板的上表面，一端与粗线铜箔带垂直连接，另一端开路；环状铜箔层铺设在介质板上表面的中部，且与细线铜箔带呈耦合结构设置，与粗线铜箔带呈无耦合结构设置。与现有技术相比，本发明具有小型化、无损衔接、工艺简单、成本低廉、低闽值、高对比度等优点。
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公开(公告)号：CN104536161A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410837866.8
申请日：2014-12-25
Applicant: 同济大学
IPC: G02F1/00
CPC classification number: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及一种固定频率慢波可调装置，由介质衬底以及设置在介质衬底上的石墨烯条组成，石墨烯条有四根，其中两个石墨烯条呈竖直紧密排列，作为类电磁诱导透明的亮态单元，另外两个石墨烯条上下水平相隔一定距离排列，作为类电磁诱导透明的暗态单元。与现有技术相比，本发明结构小型化，另外由于石墨烯在太赫兹波段的光学响应十分强烈，所以在传播方向上只有一层结构就可以实现光速六个数量级的降低，而且石墨烯的费米能级对外界电压十分敏感，所以通过调节装置的外界电压就可以调节石墨烯的光学响应，实现慢波可调。
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公开(公告)号：CN120044716A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510249535.0
申请日：2025-03-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种可编程调控能量准直传播的超构表面器件及其调控方法，该超构表面器件包括：超构表面材料，包括基底层以及二维周期性的排列在基底层上并可分别相对于基底层进行原位旋转的多个功能单元，每个功能单元被配置为在受到激励时产生电磁响应、且电磁响应可随功能单元旋转角度的变化而变化；多个驱动件，安装在基底层上，且分别驱动连接于多个功能单元；操控模块，包括控制电路和可编写程序，控制电路电连接于每个驱动件，可编写程序用于操控控制电路对全部或部分驱动件进行控制，以实现对功能单元的旋转角度进行整体或区域或单独动态调控。本发明具有可编程、连续可调、按需可重构等特点，能够实现任意定制的极化激元准直模式分布。
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公开(公告)号：CN119689615A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411768527.9
申请日：2024-12-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种扭转结构实现的宽带全向完全透明系统及其应用，该系统包括交替连接的若干个第一结构体和第二结构体，所述第一结构体在Z轴方向朝着顺时针方向旋转设定角度，所述第二结构体在Z轴方向朝向逆时针方向旋转设定角度；所述第一结构体和所述第二结构体均包括沿着X轴方向上下交叠设置的若干个第一结构层和第二结构层；所述全向完全透明系统满足如下的零移条件。本发明的系统通过扭转由多层交替排列的全介质材料，实现了k空间的IFCs(Iso‑frequency curves，等频曲线)的旋转，在零反射条件下，实现了宽带OPT。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119134952A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411152114.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态相干完美吸收的脉冲功率传输系统，包括功率源、第一电感L1、电容器C、负载R、第二电感L2和单刀双掷开关K；第一电感L1、电容器C和负载R构成第一RLC谐振器，功率源连接至第一RLC谐振器；单刀双掷开关K的单刀端连接在第一电感L1与电容器C之间，单刀双掷开关K的双掷端分别与第一电感L1和第二电感L2连接，使第二电感L2能与电容器C和负载R构成第二RLC谐振器；通过单刀双掷开关K周期性开关形成连续的脉冲功率传输。本发明涉及TCPA功率传输技术领域，能够解决现有技术中传统稳态传输系统中功率和效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN119030169A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411107458.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态干涉的无线电能传输系统，包括瞬态干涉发射器、接收器和发射器与接收器之间的近场耦合κ；接收器由第二电容器C2、第二电感L2和负载R连接构成，瞬态干涉发射器包括源Vs、源阻抗Zs、集总电感L0、第一电容器C1、第一电感L1和单刀双掷开关S，集总电感L0和第一电感L1通过单刀双掷开关S与第一电容器C1连接形成谐振系统，源Vs和源阻抗Zs连接至谐振系统，第一电容器C1通过单刀双掷开关S与第一电感L1连接形成瞬态干涉发射器。本发明涉及无线电能传输技术领域，能够解决现有技术中WPT技术在弱耦合区域传输效率低以及充电和传能的时间无法灵活控制的问题。
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公开(公告)号：CN118275956A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410447915.0
申请日：2024-04-15
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于增强核磁共振成像的高阶超构表面器件及其使用方法，该高阶超构表面器件包括：电介质板；设于所述电介质板上的至少四条金属线；连接在相邻的两条金属线的端部的集总电容，所述集总电容的电容值根据设定频率进行设定。本发明的高阶超构表面器件通过加载集总电容来降低谐振频率，其平面结构的占用空间较小，该高阶超构表面器件工作在高阶模式，设计的模式分布满足反常标度定律从而有利于小型化，且高阶模式的选取平衡了磁场的增强程度和均匀程度。
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公开(公告)号：CN117239950A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216585.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于转角自由度的高阶非厄密系统及其无线电能传输系统，该高阶非厄密系统包括：第一谐振单元；可转动调节的嵌设于第一谐振单元内的第二谐振单元，第二谐振单元与第一谐振单元耦合连接；与第一谐振单元耦合连接的第三谐振单元；通过转动调节第二谐振单元，以使得第二谐振单元与第一谐振单元间的耦合强度同第三谐振单元与第一谐振单元间的耦合强度相等，进而得到了呈PT对称的高阶非厄密系统。本发明通过转动调节第二谐振单元让高阶非厄密系统呈现PT对称性，使得高阶非厄密系统能够具有更高的传输效率和鲁棒性，且高阶非厄密系统的工作频率固定，无需追踪频率，可利用完全线性元件实现鲁棒性能量传输。
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公开(公告)号：CN116466420A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310414616.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及谐振器技术领域，公开了一种对入射角度不敏感的具有超高品质因子的谐振器，其包括所述谐振器由多个单元呈周期性排布构成，每个所述单元结构相同，均由介质AlGaAs组成的介质柱构成。本发明解决了现有技术中高质量因子金属超材料谐振器中存在的高损耗和结构复杂的问题，通过设计色散关系，在不同的入射角度下，使得工作波长偏移极小，通过其极高品质因子的谐振峰可以实现非线性响应的极大增强。
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