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公开(公告)号：CN113921731A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157064.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电致发光照明技术领域，具体为基于Co掺杂ZnO作为电子传输层的电致发光LED及其制备方法，电致发光LED采用ITO为阴极，ZnO纳米晶薄膜作为电子传输层，CsPbI3纳米晶作为发光层，4,4',4"‑三(咔唑‑9‑基)‑三苯胺(TCTA)作为空穴传输层，MoO3作为空穴注入层，金属Ag作为阳极。通过Co掺杂ZnO纳米晶作为电子传输层，改善了电致发光LED发光层载流子的注入平衡，同时抑制了ZnO/CsPbI3界面的激子猝灭，从而实现了高效电致发光LED器件的制备。
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