公开(公告)号：CN102780487A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110349020.6

申请日：2011-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢协宏 ,  蔡铭宪 ,  叶子祯 ,  周淳朴 ,  薛福隆

IPC: H03L7/099 ,  H03L7/08

CPC classification number: G01R31/2824

Abstract: 一种用于检测压控振荡器的内置自检测电路，包括：压控振荡器；缓冲器，具有连接至压控振荡器的输出的输入；以及射频峰值检测器，连接至缓冲器的输出。将射频峰值检测器配置为接收来自压控振荡器的交流信号，并且生成与在射频峰值检测器的输出处的交流信号成比例的直流值。此外，当压控振荡器正确运行时，射频峰值检测器的输出生成与来自压控振荡器的交流信号的幅度成比例的直流值。另一方面，当压控振荡器不能生成交流信号时，射频峰值检测器的输出端处于0伏。

公开(公告)号：CN102255300A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010514014.7

申请日：2010-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铭宪

IPC: H02H9/04 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H9/045

Abstract: 本发明揭露一种射频(RF)组件，包含一RF集成电路，此RF集成电路具有一RF输入与一RF输出。RF集成电路具有一N形金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，此NMOS晶体管具有一栅极端点耦合至RF输入、一漏极端点耦合至一第一电源供应节点、以及一源极端点耦合至一第二电源供应节点。RF集成电路易遭受来自静电放电(ESD)事件的损伤。一初级ESD保护电路耦合至RF输入，且介于第一电源供应节点与第二电源供应节点之间。一次级ESD保护电路耦合在RF输入与第二电源供应节点之间。次级ESD保护电路包含一次级ESD保护二极管耦合在NMOS晶体管的栅极端点与源极端点之间。

公开(公告)号：CN102142434A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010521165.5

申请日：2010-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铭宪 ,  周淳朴 ,  薛福隆 ,  宋明相

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H02H9/00 ,  G06K19/067

CPC classification number: H01L29/73

Abstract: 一种双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签，该电路包括一双向硅控整流器，形成在一基板中，双向硅控整流器包括一第一P型阱区及一第二P型阱区，位于一N型阱区的两侧；一深N型阱区，位于第一P型阱区、第二P型阱区及N型阱区之下；一第一N型区及一第二N型区，分别在第一P型阱区及第二P型阱区中，第一N型区及第二N型区分别耦接至一第一接垫及一第二接垫；以及一第一P型区及一第二P型区，分别在第一N型阱区及第二N型阱区中，第一P型区及第二P型区分别耦接至第一接垫及第二接垫，第一P型区及第二P型区分别较第一N型区及第二N型区接近N型阱区。本发明不受闩锁效应影响并且在射频识别标签正常运行下形同不存在。