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公开(公告)号:CN104589522A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201310530119.5
申请日:2013-10-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明公开了一种多线切割方法及多线切割机,该多线切割方法使用缠绕于线辊上的至少两条平行切割线和至少两个的工件,所述工件在所述切割线的上下两侧以交错的方式分布,并各自向所述切割线方向运动进行切割。本发明采用上下复合切割的方式来消除线弓,切割产生的线弓高度极小,从而减少切割线在工件表面留下的线痕,提高工件质量。
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公开(公告)号:CN104091687A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410368043.5
申请日:2014-07-30
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F41/02 , H01F1/053 , G01N21/00 , G01N23/203
Abstract: 本发明公开了一种高性能稀土磁铁的制造方法、磁铁和异常大晶粒成因的检测方法,其通过打磨所述稀土磁铁,获得异常大晶粒所在区域光滑表面,观察所述光滑表面中每一异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角是否呈现何种变化,并根据该种变化采取对应的措施,消除稀土磁铁中的异常大晶粒,从而获得Br、BH(max)、Hcj和耐热性均有显著上升的磁铁。
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公开(公告)号:CN104032263A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201310756791.6
申请日:2013-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁,该方法包括如下的步骤:1)稀土磁铁工件进行前处理之后,装在工件架上;2)将所述工件架送入反应室,预氧化;3)将所述工件架送入镀膜室,抽真空,将金属蒸发材料M加热到蒸发温度,对所述稀土磁铁工件进行蒸镀;4)降温,破真空,取出工件获得。该方法是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式防止稀土磁铁的过度氧化,并获得致密的MO分布薄层和与该MO分布薄层牢固连接的M层。
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公开(公告)号:CN103990539A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201310756664.6
申请日:2013-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种控制气流磨装置气流的方法和气流磨装置,包括恒压供气装置和带有侧喷口和底喷口的粉碎室,所述侧喷口和所述底喷口具有一共同进气口,所述共同进气口经由至少两条分别设置管道阀的管道连接所述恒压装置,每一管道分别具有不同的直径,且上一级较大管道的直径均为下一级较小管道的直径1.5~4倍,通过所述最大管道流入的气体流量或通过所述全部管道流入的气体流量之和为所述气流磨装置的设定流量。本发明的气流磨装置通过逐步提高高速气体的流速,避免将大颗粒粉末吹到分选轮处。
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公开(公告)号:CN110070986B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN201910408822.6
申请日:2017-09-21
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法,包括以下步骤:在耐高温载体上形成干燥层的工程A,所述干燥层附着有HRE化合物粉末,所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种;在真空中或惰性气氛中,对所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁体和所述经过工程A处理的所述耐高温载体进行热处理,向所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗,并在升高矫顽力的同时,控制磁铁剩磁Br的损失。
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公开(公告)号:CN105296999B
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201410368082.5
申请日:2014-07-30
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C23C24/00
Abstract: 本发明提出一种防腐蚀的表面处理工艺,其步骤包括:1)将非导电粒体和待处理件置于处理液中,使待处理件至少一部分被沉淀的非导电粒体包覆,且非导电粒体至少包含一部分粒径为5mm以下的非导电粒体;2)使非导电粒体相对待处理件运动;3)当待处理件表面的膜层达到所需的平均厚度时取出。首先,本发明的非导电粒体直接被投放,无需进行分散处理,工艺简单;其次,非导电粒体沉淀在处理液中,状态稳定,便于连续作业;再次,本发明对非导电粒体的粒径要求低,可极大降低工业成本。
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公开(公告)号:CN105659336B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201580002027.7
申请日:2015-03-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
CPC classification number: H01F1/0536 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明公开了一种含W的R‑Fe‑B‑Cu系烧结磁铁及急冷合金。烧结磁铁含有R2Fe14B型主相,所述的R为包括Nd或Pr的至少一种稀土元素,所述稀土磁铁的结晶晶界中含有0.004at%以上、0.26at%以下的富W区域,所述富W区域占所述烧结磁铁的5.0体积%~11.0体积%。该烧结磁铁通过微量的W钉扎结晶物在结晶晶界中偏析钉扎晶界的迁移,可以有效防止晶粒异常长大的产生,获得显著的改善效果。急冷合金的结晶晶界中含有0.004at%以上、0.26at%以下的富W区域,所述富W的区域占所述结晶晶界的至少50体积%。
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公开(公告)号:CN107610859A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710827815.0
申请日:2014-11-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0003 , B22F3/087 , B22F3/16 , B22F9/04 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D8/1244 , C21D9/0068 , C22C33/0278 , C22C33/04 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/007 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/30 , C22C38/32 , C22C2202/02 , H01F1/0571 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2202/05
Abstract: 本发明公开了一种低B的稀土磁铁,所述稀土磁铁含有R2T14B主相,包括如下的原料成分:R:13.5at%~14.5at%、B:5.2at%~5.8at%、Cu:0.3at%~0.8at%、Co:0.3at%~3at%、以及余量为T和不可避免的杂质,所述的R为包括Nd的至少一种稀土元素,所述T为主要包括Fe的元素。该稀土磁铁通过复合添加0.3~0.8at%的Cu和适量的Co,使得晶界中形成3种富Cu相,这种在晶界中存在的3种富Cu相的磁性效果和对晶界中B不足问题的修复,可显著改善磁铁的方形度和耐热性能。
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公开(公告)号:CN103817335B
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201310432440.X
申请日:2013-09-12
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了稀土磁铁用合金粉末、稀土磁铁的制造方法和制粉装置,它是在使用氧含量为1000ppm以下的惰性气体高速气流对至少一种的所述稀土磁铁用合金或至少一种的稀土磁铁用合金粗粉进行细粉碎的工序中,获得粒径在50μm以下的全部粉末。其不再从粉碎时气氛氧含量降至1000ppm以下的粉碎装置中送过来的低氧含量粉碎粉中分出1μm以下的超细粉,从而使后续获得低氧含量烧结磁体的烧结工序不易发生晶粒异常长大(AGG),并具有简化工序和降低制作成本的特点。
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公开(公告)号:CN105321699B
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201410318913.8
申请日:2014-07-07
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法,其特征在于:包括混入添加物的工序,添加物为纳米钨或纳米碳化钨或纳米氮化钨或其组合,且其平均分散粒径为10~200nm。本发明的制造方法可有效抑制晶粒异常长大(AGG)的现象,从而提高钕铁硼系烧结磁体的矫顽力,可更大程度地保留主相,从而使钕铁硼系烧结磁体具有优异的剩磁。
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