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公开(公告)号：CN118571864A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411052943.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。采用上述制作方法制作的抗辐照氮化镓功率二极管，其与相关技术中的传统器件结构相比，通过将型氮化镓层分段间隔排列，在P型氮化镓层的间隔处以及P型氮化镓层和阳极欧姆金属层之间设置与下方氮化镓层直接接触的肖特基金属层。在反向偏置状态下，辐照产生的空穴能够经由P型氮化镓层的间隔处流动，并经由具有单向导电性的肖特基金属层高效地耗散至器件外部，解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生阳极区域空穴积聚而导致的抗辐照能力差的技术问题。
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公开(公告)号：CN118091356B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410469102.1
申请日：2024-04-18
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法，涉及半导体辐照、半导体特性参数测试领域。本系统包括分别设置于辐照保护单元a和辐照保护单元b中的漏极测试单元、栅极测试单元、特性参数监测单元、驱动单元、信息处理控制单元和信息传输单元，漏极测试单元、栅极测试单元分别向待测半导体器件发送测试信号，待测半导体器件通过特性参数监测单元连接信息处理控制单元监测辐照条件下待测半导体器件特性参数变化情况。本发明无需测试人员进出辐照间即可实现远距离智能化监测不同辐照条件下多个半导体器件的特性参数，具有操作简单、体积小、测试数量可达到万颗器件、测试结果准确快捷、判断器件工作状态等优点。
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公开(公告)号：CN118116915B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410491715.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极金属层漏极侧设有与势垒层直接接触的分段间隔交替排布的第一肖特基金属层与第二肖特基金属层，源极上的互联金属层与第一肖特基金属相连形成了横向的梳齿状结构一，这样设计能够最大程度上避免了全部肖特基金属层与第二顶层金属层相连时源极上互联金属场板过短从而影响到器件的击穿能力的问题；第二顶层金属层与第二肖特基金属层相连形成了纵向的梳齿状结构二，这样设计能够避免全部肖特基金属层与源极相连时漏电过大的问题；上述结构设计，使得辐照产生的感生电荷能够从第一、二肖特基金属层流出晶体管，防止正电荷积累导致的辐照损伤现象。
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公开(公告)号：CN118116915A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410491715.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极金属层漏极侧设有与势垒层直接接触的分段间隔交替排布的第一肖特基金属层与第二肖特基金属层，源极上的互联金属层与第一肖特基金属相连形成了横向的梳齿状结构一，这样设计能够最大程度上避免了全部肖特基金属层与第二顶层金属层相连时源极上互联金属场板过短从而影响到器件的击穿能力的问题；第二顶层金属层与第二肖特基金属层相连形成了纵向的梳齿状结构二，这样设计能够避免全部肖特基金属层与源极相连时漏电过大的问题；上述结构设计，使得辐照产生的感生电荷能够从第一、二肖特基金属层流出晶体管，防止正电荷积累导致的辐照损伤现象。
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公开(公告)号：CN117110824B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311370126.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112230115B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011088858.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。
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公开(公告)号：CN115312616B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/10 , H10F30/223 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN119170630A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411679755.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法。本发明所设计的具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件，包括自下而上依次设置的衬底层、高阻层、背势垒层、氮化镓层、势垒层，以及设置在势垒层上的栅极、源极和漏极；其特征在于，所述氮化镓器件还包括单粒子辐照电荷引出电极，所述单粒子辐照电荷引出电极包括均匀布置在所述势垒层的顶面上的多个p型氮化镓块、在每个所述p型氮化镓块中部设置的欧姆金属柱以及用以连接各个分散的欧姆金属柱的互联金属片；通过单粒子辐照电荷引出电极能够为辐照感生空穴泄放至器件外部提供路径，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
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公开(公告)号：CN118944607B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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公开(公告)号：CN118944607A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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