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公开(公告)号：CN111408734B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010328651.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米试剂领域，并具体公开了一种小型空心金纳米棒及其制备方法和应用。该制备方法包括如下步骤：将碲前体加入含还原剂的溶液中并反应预设时间，然后加入硒前体继续反应预设时间，待反应结束后加入含有表面活性剂的溶液并充分搅拌，最后进行固液分离获得沉淀物；将制得的碲硒纳米棒分散于水溶液中，加入硝酸银溶液并反应预设时间，然后加入金前体继续反应预设时间，最后加入半胱氨酸和聚乙二醇溶液并反应预设时间，待反应结束后进行固液分离获得沉淀物，以此制得小型空心金纳米棒。本发明通过分步反应和控制反应条件调节模板尺寸，使得制备的小型空心金纳米棒不仅具有金纳米结构的功能，并且能在较小尺寸条件下拥有近红外二区响应特征。
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公开(公告)号：CN111304747B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010247872.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，公开了一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取反应容器，标记为上游区域、中心区域和下游区域，选取Se粉作为硒源，置于上游区域；(b)选取Pb3O4作为铅源，并和氯化钾混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心区域，选取云母作为生长衬底置于下游区域；(c)在反应容器中通入氩气作为载气，通入氢气作为反应气，加热反应后在云母衬底上得到非层状二维PbSe晶体材料。本发明还公开了该方法制备的产品。本发明满足了大批量二维纳米PbSe晶体材料的制备需求，产品晶体表面平整干净、形貌均一、元素分布均匀，并且原料丰富、价格低廉、制备简单、便于推广及大规模生产。
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公开(公告)号：CN112663144A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011450588.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，公开了一种二维In2S3/SnS异质结晶体材料的制备方法，该制备方法是先将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后，将前驱体置于单温区反应炉的中心温区内，在通入载气的条件下，将该反应炉升温至预先设定的目标温度以进行反应，以便利用载气将前驱体受热蒸发产生的气相In2S3和气相SnS带入位于中心温区下游的沉积区，从而在位于下游沉积区中的衬底上沉积形成二维In2S3/SnS异质结晶体材料。本发明通过对制备方法一步法的反应原理、关键反应条件及参数(如，原料的组成，反应温度条件等)进行改进，与现有技术相比能够一步法制得二维面内和/或垂直In2S3/SnS异质结，机理简单，便于调控。
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公开(公告)号：CN111933912A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010818783.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有锌离子电导性界面修饰层的锌负极、电池以及制备方法，属于水系锌电池金属锌负极领域，在空气气氛下，将一类界面修饰材料M预先构筑在基膜上，在润湿液浸润的环境下，通过基膜上的界面修饰材料M层与金属锌两者之间紧密接触并形成短路原电池，触发两者发生自发氧化还原反应，从而使界面修饰材料从M转换为具有锌离子导电性的ZnxM，同时界面修饰材料层从基膜上转移至金属锌负极的表面，最终得到表面有锌离子电导性的ZnxM界面修饰层的金属锌负极。该具有锌离子电导性的ZnxM界面修饰层在锌电池充放电时能有效抑制锌负极的枝晶生长，实现对金属锌负极的界面稳定性的提升，同时改善水系锌电池的循环稳定性。本发明方法简单，具有较好的实际效果。
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公开(公告)号：CN111834622A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010713446.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有补锂/钠功能的多层正极片、电池及制备方法，其属于储能器件领域，其包括集流体、正极材料层和补锂/钠材料层，在集流体两侧均对称设置有正极材料层和补锂/钠材料层，正极材料层和补锂/钠材料层层叠，补锂/钠材料层中包含有特殊的含锂/钠的功能材料，其在正极第一次充电时发生自身的分解反应从而不可逆地释放出其分子中的锂/钠离子到电池中，释放后的锂/钠离子经由电解液补充到电池的负极中，以解决现有大容量负极材料首次充放电库仑效率低而导致全电池性能差的问题。本发明的复合正极片能在锂/钠离子全电池中对负极高效补锂/钠、且对正极材料和全电池无不利影响，能提高电池的能量密度和正极材料利用率、从而能降低电池成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111621746A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010475921.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/24 , H01L29/51 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，并具体公开了一种范德华介电材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：以无机分子晶体作为蒸发源，采用热蒸镀的方法，使无机分子晶体在高真空下发生升华，同时保持其完整的分子结构，从而蒸镀得到范德华薄膜。由于无机分子不存在不饱和化学键，该范德华薄膜表面无悬挂键，从而完成范德华介电材料的制备。本发明制备的范德华薄膜，可作为二维材料电子器件的介电材料，能够显著减少二维沟道材料中的载流子散射源，从而保证二维材料具有高的迁移率；同时制备工艺与半导体制备工艺相兼容，易于实现规模化制备和集成。
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公开(公告)号：CN111411398A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010051976.7
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B29/12 , C30B9/12 , H01L31/0264 , H01L31/115
Abstract: 本发明属于半导体材料与器件领域，并具体公开了一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用。所述方法包括：将NdOCl粉末和助熔剂按预设比例混合得到前驱体；将所述前驱体在温度为700～1000℃、惰性气体氛围的条件下保温，然后自然冷却至室温，得到二维NdOCl单晶材料。所述产品采用上述方法制得，且该产品应用于X射线探测器中。本发明所制备的二维NdOCl单晶材料具有稳定性高、无毒无害、制备简单的特点，同时，基于本发明NdOCl单晶材料的X射线吸收系数大和耐击穿电压高，因而其尤其适用于X射线探测的应用场合，且所得的X射线探测器具有环境稳定高、无毒无害、分辨率高、灵敏度高的优势。
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公开(公告)号：CN111392685A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010146784.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备相关技术领域，其公开了一种二维自组装的M1/M2-VO2同质结纳米片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将V2O5粉末和NaCl颗粒混合获得气相沉积反应源；(2)将所述气相沉积反应源放置于容器内，并将云母衬底倒扣在所述容器的开口处；(3)将所述容器置于预定温度氛围内，使得所述V2O5粉末裂解为VO2前驱体，进而所述VO2前驱体在所述云母衬底上沉积形成二维自组装的M1/M2-VO2同质结纳米片。本发明降低了反应温度，且避免了衬底发生破坏，同时缩短了气态前驱体输运距离，引入了界面应力调控材料晶相分布，因而尤其适用于高熔点的二维晶体材料晶相可控制备之类的应用场合。
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公开(公告)号：CN111320153A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010154342.4
申请日：2020-03-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：S1采用锗单质和红磷制备GeP单晶块体；S2对GeP单晶块体进行电化学剥离得到二维层状GeP材料，电化学剥离时采用0.3mol/L～0.8mol/L的四丁基氨离子液体作为电解液。本发明通过电化学剥离的方法制备出不同厚度的二维层状GeP纳米薄片，从而解决传统制备方法效率低、不易控制的问题，进一步提高制备二维材料制备的均匀性和可控性，制备出的二维材料在储能、生物载药、催化、非线性光学等方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111304747A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010247872.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，公开了一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取反应容器，标记为上游区域、中心区域和下游区域，选取Se粉作为硒源，置于上游区域；(b)选取Pb3O4作为铅源，并和氯化钾混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心区域，选取云母作为生长衬底置于下游区域；(c)在反应容器中通入氩气作为载气，通入氢气作为反应气，加热反应后在云母衬底上得到非层状二维PbSe晶体材料。本发明还公开了该方法制备的产品。本发明满足了大批量二维纳米PbSe晶体材料的制备需求，产品晶体表面平整干净、形貌均一、元素分布均匀，并且原料丰富、价格低廉、制备简单、便于推广及大规模生产。
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