公开(公告)号：CN108988106A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810838035.0

申请日：2018-07-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 夏金松 ,  邱幸枝 ,  曾成 ,  袁帅

IPC: H01S3/00 ,  H01S3/067 ,  H01S3/08

CPC classification number: H01S3/005 ,  H01S3/067 ,  H01S3/08059

Abstract: 本发明公开了一种基于超表面外腔镜的可控多波长光纤外腔激光器，属于激光器领域，包括光纤放大器、光纤环形器、光纤准直器、光纤耦合器，以及超表面外腔镜，其中,信号光在光纤放大器中进行增益放大，经光纤环形器端口1’传输至端口2’，经过光纤准直器准直后垂直入射至超表面外腔镜上；该超表面外腔镜用于接受入射的准直光，并对该准直光进行波长选择，将选择的单/多波长反射至所述光纤准直器；该反射光被光纤准直器收集后经过光纤环形器端口2’传输至端口3’，然后进入光纤耦合器进行部分输出以及部分返回光纤放大器形成回路。本发明通过超表面外腔镜实现单/多波长激光的可控输出，结构简单，成本低廉，可靠性好。

公开(公告)号：CN102983119A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210474410.0

申请日：2012-11-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  夏金松 ,  李丹萍

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。

公开(公告)号：CN102969302A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210475683.7

申请日：2012-11-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  夏金松 ,  张永

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：（1）清洗衬底；（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；（4）剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪标记。本发明采用了耐高温、粘附性好、价格低廉二氧化铪来制作电子束光刻的套刻标记。与传统的“钛+金”标记相比，降低了工艺成本，解决了金标记与Si衬底粘附性不好问题，提高套刻标记对衬底的粘附性和高温承受能力，保持了较高的套刻精度。