一种脉冲晶闸管的触发装置

    公开(公告)号:CN103516177B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201310418960.5

    申请日:2013-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲晶闸管的触发装置;包括光触发信号接收电路、耦合取电电路、脉冲控制电路和脉冲输出电路;光触发信号接收电路的电源端与耦合取电电路的输出端连接;耦合取电电路的第一输入端用于连接脉冲晶闸管的阳极,耦合取电电路的第二输入端用于连接脉冲晶闸管的阴极;脉冲控制电路的输入端与光触发信号接收电路的输出端连接,脉冲控制电路的电源端与耦合取电电路的输出端连接;脉冲输出电路的输入端连接至脉冲控制电路的输出端,脉冲输出电路的输出端用于连接至脉冲晶闸管的门极。本发明提供的触发装置既不需要供电电源又不需要使用隔离变压器,使得触发装置的结构得到轻小化设计;使得晶闸管触发装置的安装变得十分简单且可靠性高。

    一种两电极气体火花开关

    公开(公告)号:CN101783480B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010128326.4

    申请日:2010-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种两电极气体火花开关,其结构为:开关外壳由上底座、底座套筒和下底座共同构成密封的圆筒状,下底座的侧面设有两个气嘴;上底座和下底座为轴向对称形式的整体件,下底座为圆筒状,下石墨电极通过下电极套筒固定在下底座的支座上,下电极套筒与下底座之间通过连接件连接;上石墨电极通过上电极套筒固定在上底座的支座上,上底座的支座的长度大于下底座的支座的长度,上石墨电极部分伸入至下底座的圆筒内,且上、下石墨电极之间留有间隙。底座套筒为环氧树脂材料制作,石墨电极使用各向同性的石墨;上、下底座均用金属材料。该火花开关具有工作性能稳定,通流能力强,寿命长的优点,可以实现各种能量等级的电荷储能的微秒级快速释放。

    高能脉冲气体开关的石墨电极设计方法

    公开(公告)号:CN101777730B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010142769.9

    申请日:2010-04-09

    Abstract: 本发明公开了一种高能脉冲气体开关的石墨电极设计方法,该方法只要已知脉冲储能放电装置工程设计要求中开关导通的单次转移电荷量、工作电压、工作室温、可靠导通次数,以及石墨电极所选石墨材料的密度和烧蚀率,就可以按照本发明给出的设计步骤确定气体开关电极的关键参数。使用本发明提出的设计方法,可以有科学依据地针对不同大功率高能脉冲放电装置设计和制造相应的两电极石墨型气体开关,也可以用于计算检验某型石墨电极气体开关是否适合工作于某个特定的脉冲储能放电装置,从而避免了研制气体开关过程中的盲目性,也避免了建立相同参数的试验平台长时间测试的传统工程方法,节省大量的人力、财力和物力。

    一种带陡化间隙的触发真空开关触发源

    公开(公告)号:CN206164495U

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201621204754.X

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本实用新型公开了一种带陡化间隙的触发真空开关触发源;包括:半波整流回路、原方储能电容、晶闸管、续流二极管、脉冲变压器、副方触发电容和陡化间隙。本实用新型中,触发源利用脉冲变压器产生脉冲高压输出,在脉冲变压器低压侧通过晶闸管控制原方储能电容放电,在脉冲变压器高压侧并联小容值触发电容并在电容后串联陡化间隙。通过调节陡化间隙击穿电压可以提高触发电容充电电压及储存能量,从而增加TVS触发沿面被击穿时注入到其中的触发能量。提高脉冲变压器变比并在变压器输出侧串联陡化间隙后的触发源输出能量大幅提高同时不受触发沿面金属沉积的影响,能够实现对TVS的可靠导通。

    一种用于脉冲功率电源的薄型晶闸管

    公开(公告)号:CN202076272U

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201120161928.X

    申请日:2011-05-19

    Abstract: 本实用新型提供了一种用于脉冲功率电源的薄型晶闸管,包括绝缘外壳和设在其内的主体,绝缘外壳内填充有保护气体,主体从上往下依次包括阴极导电层、银箔、晶闸管芯片和阳极导电层,阴极导电层内安放有门极触发弹簧和门极触发导线,门极触发弹簧使得门极触发导线穿过银箔与晶闸管芯片的中心门极紧密接触。本实用新型采用较薄的导电层替换较厚的基座,解决了现有功率晶闸管在脉冲功率系统中散热冗余过大、体积庞大的问题,本实用新型比现有功率晶闸管的体积至少减少了一半,在散热性能不受影响的情况下极大地提高了功率密度,降低器件成本。

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