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公开(公告)号：CN107464881B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610387877.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能利用相关领域，其公开了一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法，所述集成器件包括光阳极、钙钛矿太阳能电池及光阴极，其特征在于：所述光阳极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底绝缘贴合，并与所述钙钛矿太阳能电池的对电极电性连接；所述光阳极吸收紫外光及一部分可见光，另一部分可见光穿过所述光阳极激发所述钙钛矿太阳能电池产生偏压；所述对电极形成在所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层或空穴传输层上，并与所述光阴极绝缘贴合，所述光阴极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底电性连接。本发明的集成器件的光阳极及太阳能电池利用太阳光光谱中的不同部分，提高了光转化效率，且无需外界辅助即可独立实现光解水制氢。
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公开(公告)号：CN107389987A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710618121.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G01R1/0416 , G01R31/00
Abstract: 本发明属于微互连可靠性测试领域，并公开了一种简易电迁移测试系统。该系统包括芯片夹持装置、反应腔、电化学工作站和信号采集站，芯片夹持装置用于固定待测试芯片，且设置在反应腔内，反应腔用于为待测试芯片提供高温和无氧环境；电化学工作站与信号引出线连接，用于为待测试芯片提供电流，同时测试该待测试芯片的电压；信号采集站用于设置电化学工作站的参数，并实时采集电化学工作站测试的电压并对该电压进行处理。通过本发明，实现在实验室有效地测试电迁移过程，制作简单，成本低廉，体积小，节省测试时间，对于研究微互连结构的电迁移研究具有重要意义，有效推动芯片可靠性的研究。
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公开(公告)号：CN103996542B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410162535.9
申请日：2014-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层SiO2薄膜、2)在有SiO2层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的SiO2，将光刻的图形转移到SiO2层、4)镀Cu膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu、6)生长Si微米线阵列、7)在Si微米线表面镀一层ZnO膜、8)在Si微米线表面生长ZnO纳米线、9)在ZnO纳米线表面制备一层CdS薄膜、10)在ZnO/CdS结构表面沉积一层CdSe薄膜、11)在ZnO/CdS/CdSe结构表面沉积IrOx量子点。本发明提供的这种微纳分级结构制造工艺用在光电化学太阳能电池光阳极的应用中，有利于光吸收和光生载流子的分离、收集和传输，为光电化学太阳能电池光阳极微纳结构的设计与制造提供一种解决方案。
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公开(公告)号：CN102956548B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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公开(公告)号：CN104966548A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510295741.1
申请日：2015-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池用导电碳浆，其包括有机溶剂、粘结剂和导电填料，还包括无机添加剂，所述无机添加剂为ZrO2或NiO粉末，所述粘结剂占导电碳浆质量百分比为6％～15％，所述导电填料占导电碳浆质量百分比为14％～20％，所述无机添加剂占导电碳浆质量百分比为3％～5％。还公开了一种钙钛矿太阳能电池用碳对电极，采用如上所述的导电碳浆以丝网印刷方式制备获得。并公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括如上所述的碳对电极。还公开了一种制备上述导电碳浆的方法。本发明导电碳浆不仅不会腐蚀钙钛矿薄膜，还能提高光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102718181B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210168024.9
申请日：2012-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳仿生结构的制造工艺，具体涉及一种仿壁虎脚结构材料的制造工艺，1.自组装聚苯乙烯小球，小球直径为100nm～1um；2.等离子刻蚀聚苯乙烯小球；3.镀保护层；4.去除聚苯乙烯小球；5.镀催化剂层；6.湿法刻蚀；7.旋涂光刻胶并光刻显影；8.铸模并脱模：将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在复合模具上，烘烤后从复合模具上剥离，得到微纳分层的仿壁虎脚结构材料。本发明可用于制造一种仿壁虎脚分层结构，该结构具有很强的吸附力又能轻易脱离吸附表面、且具有超疏水性、自清洁能力。
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公开(公告)号：CN102732885B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210192208.9
申请日：2012-06-12
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助的硅微纳加工工艺，具体为：在单晶硅片上旋涂光刻胶，由光刻得到所需微纳尺度图案；在所得样品表面依次镀上金属膜A、B和A，金属膜A为金或银，金属膜B为铁；采用HF和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂对单晶硅片进行金属催化刻蚀，反应处于强度和方向可调的磁场环境中；去除光刻胶和残留的金属膜，并清洗干净。本发明还提供了实现上述工艺的装备，包括储液装置、溶液流量控制装置、反应密封腔、电磁场控制系统以及计算机控制系统。本发明在刻蚀反应中引入磁场，通过磁场对铁膜的吸引作用诱导金属膜沿磁场方向运动，刻蚀反应沿着磁场方向进行，从而实现了刻蚀方向的可控。
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公开(公告)号：CN102951591A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210471771.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制造方法，该方法包括：（1）在单晶硅片表面匀胶、光刻得到光刻胶掩膜；（2）基于光刻胶掩膜，使用感应耦合等离子体反应刻蚀技术ICP在单晶硅片上刻蚀出微米级别的凹槽及槽内均匀分布的硅微米柱阵列；（3）在微米柱表面制备纳米线阵列；（4）对凹槽进行封装。按照本发明，可以获得一种用于循环肿瘤细胞检测的微纳复合微流道结构，这种检测结构具有灵敏度高、效率高等特点。
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公开(公告)号：CN101609243B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910063264.0
申请日：2009-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明提供了一种基于角锥棱镜谐振腔的太赫兹波参量振荡器，其谐振腔由直角三面体角锥棱镜和输出镜构成，直角三面体角锥棱镜能绕谐振腔的腔轴旋转；谐振腔内设有MgO:LiNbO3晶体，MgO:LiNbO3晶体表面安放有硅棱镜阵列，在直角三面体角锥棱镜与MgO:LiNbO3晶体之间按布儒斯特角放置偏振镜；泵浦光入射谐振腔，激励MgO:LiNbO3晶体产生太赫兹波，太赫兹波通过硅棱镜阵列出射。本发明无需整体旋转谐振腔，只需旋转输出镜就可实现太赫兹波的频率调谐输出。本发明是一种体积小、结构紧凑、工作稳定性高、连续可调谐的全固态太赫兹波相干辐射源，可广泛用于医学诊断、精细光谱分析、生物医学成像、太赫兹通讯等太赫兹光电子技术领域。
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公开(公告)号：CN119272416A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411384832.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/28 , G06F21/60 , G06F111/20 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F113/28 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于数值模拟及后处理领域，并具体公开了一种基于水滴遮蔽区高度的机头结冰探测器安装位置确定方法、系统、介质及产品，包括：在机头处选取数个垂直于机身中轴线的截面，确定各截面处的水滴遮蔽区高度，进而通过插值得到机头整体水滴遮蔽区高度；在机头表面筛选出水滴遮蔽区高度小于结冰探测器探杆长度的区域作为可行安装位置；确定某一截面处的水滴遮蔽区高度，包括：对截面处的LWC分布散点图进行插值加密，筛选出其中满足水滴遮蔽区要求的数据点，并提取其上下包络线；对上下包络线均进行插值加密，进而根据上包络线上的所有点的水滴遮蔽区高度确定截面处的水滴遮蔽区高度。本发明可实现机头结冰探测器的准确安装，提高其探测准确性。
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