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公开(公告)号：CN106435727A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611019356.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯洁净转移制备高完整度悬空石墨烯薄膜的方法。该方法包括：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述二维材料由所述生长基底至所述目标透射基底的转移；所述用置换液置换步骤包括如下步骤：先用水，再用由低表面张力有机溶剂和水组成的混合溶液进行置换。该方法工艺简单，可重复性高，兼容性强，可大规模生产，可转移石墨烯单个畴区尺寸从几十微米到亚厘米级均可从，单层石墨烯完整度高90％，少层石墨烯无破损。
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公开(公告)号：CN104674343B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510063498.0
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在还原性气氛下，对铜基底进行退火处理，得到退火处理后的铜基底；2)在三嗪衍生物蒸汽气氛下，对步骤1)中所述退火处理后的铜基底进行处理，得到三嗪衍生物处理后的铜基底，其中，所述三嗪衍生物选自如下至少一种：三聚氰胺、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、2-氨基-4-甲基-6-甲氧基-1,3,5-三嗪；3)采用化学气相沉积法在所述三嗪衍生物处理后的铜基底表面沉积石墨烯，即得到所述大单晶石墨烯，制备方法简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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公开(公告)号：CN108726510A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260014.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , G01N23/22 , G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种大面积超洁净石墨烯及其宏量制备方法与其洁净度的快速评估方法。所述超洁净石墨烯的宏量制备方法包括采用化学气相沉积的步骤；在生长基底的上方设置泡沫铜。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：在石墨烯样品上沉积纳米颗粒；根据所述纳米颗粒的沉积情况，即实现对所述石墨烯样品洁净度的评估。通过泡沫铜的引入，可以得到连续面积在微米级别的超洁净石墨烯，有效地减少了生长过程中引入的无定型吸附物。亚厘米级单晶石墨烯(即单个畴区)经过进一步生长可以拼接为单层石墨烯薄膜，此时单层石墨烯薄膜样品面积只与铜箔大小有关，从而能够实现大面积制备，可推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN108069416A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611019880.2
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种超洁净石墨烯及其制备方法。本发明提供的制备超洁净石墨烯的方法，包括如下步骤：将泡沫铜置于铜基底上方并贴靠后，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜基底与所述泡沫铜接触的一面得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，可大规模生产，连续洁净面积达到亚厘米级，能适用于电子学、光学等方面的应用。
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公开(公告)号：CN104674343A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510063498.0
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在还原性气氛下，对铜基底进行退火处理，得到退火处理后的铜基底；2)在三嗪衍生物蒸汽气氛下，对步骤1)中所述退火处理后的铜基底进行处理，得到三嗪衍生物处理后的铜基底，其中，所述三嗪衍生物选自如下至少一种：三聚氰胺、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、2-氨基-4-甲基-6-甲氧基-1,3,5-三嗪；3)采用化学气相沉积法在所述三嗪衍生物处理后的铜基底表面沉积石墨烯，即得到所述大单晶石墨烯，制备方法简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107500276B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN107782709B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN106769287B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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公开(公告)号：CN108732187A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN108070903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611203602.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
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