一种化学热处理用有机稀土催渗剂

    公开(公告)号:CN101560637B

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN200810104237.9

    申请日:2008-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种化学热处理用有机稀土催渗剂,本发明提供一种用于金属制品的表面化学热处理催渗剂,它具有活性高、裂解温度低、配方简单、不堵塞管道等优点。本发明的催渗剂通过茂稀土和茂铁的协同作用,不仅可以提高催渗速度和降低催渗温度,而且明显改善渗层脆性、提高渗层的耐磨性、接触疲劳和弯曲疲劳寿命,安全可靠,产品质量稳定;大大降低热处理过程中的能量消耗,提高热处理速度25%-50%,能耗降低30-55%;采用茂稀土和茂铁的混合物作为催渗剂主成分,其裂解温度较低,可解决热处理过程中堆塞管道的问题;可用于固态催渗和液态催渗领域。

    从硫酸稀土溶液中萃取分离四价铈、钍、氟及少铈三价稀土的工艺方法

    公开(公告)号:CN101294244B

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN200710098732.9

    申请日:2007-04-25

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 本发明是一种从硫酸稀土溶液中萃取分离四价铈、钍、氟及少铈三价稀土的工艺方法,以处理稀土矿得到的含高价铈、氟、钍和铁的硫酸稀土溶液为原料,采用基于P507或P204的协同萃取剂进行萃取分离,铈(1V)、钍、氟、铁被萃入有机相,然后分步进行选择性洗涤和反萃,得到铈、氟、钍三种产品,而三价稀土留在水相,再采用非皂化P507或基于P507的协同萃取剂进行多级分馏萃取分离单一稀土元素。本发明方法的特点是采用基于P507或P204协同萃取剂,钍易反萃,萃取容量大,萃取过程不产生乳化,铈(1V)、钍、氟、铁与三价稀土在同一个萃取体系中萃取分离,萃取分离均采用非皂化萃取剂,不产生氨氮废水,而且钍、氟作为产品回收,从源头上消除含钍废渣和含氟、氨氮废水对环境的污染。因此,该工艺流程简单、绿色环保,生产成本低。

    一种制备稀土化合物均匀微粉的装置和工艺

    公开(公告)号:CN101306828A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200710099360.1

    申请日:2007-05-17

    Abstract: 本发明提出一种制备稀土化合物均匀微粉的装置和工艺,该装置由静态混合反应器,带有搅拌桨的均匀晶化槽、料液储槽、沉淀剂储槽及流量、温度、转速控制系统构成,该装置用于单一或复合稀土碳酸盐、稀土氧化物、稀土氢氧化物、稀土氟化物、稀土草酸盐和稀土磷酸盐及稀土和其它金属的复合化合物的沉淀合成。本发明按一定的流速同时将稀土料液和沉淀剂料液加入静态混合反应器中,料液在反应器内流动过程中充分混合,形成带晶核的浆料,浆料进入均匀晶化槽,得到均匀的稀土化合物前躯体,再经过滤、洗涤、干燥、焙烧,获得粒度分布均匀的稀土化合物微粉,其中值粒径在0.3um-10um之间可调,粒度分布为:(D90-D10)/D50<2。利用本发明的装置及制备工艺制备出的稀土化合物具有颗粒均匀,粒度分布窄,晶化程度好,稳定性好,团聚少。工艺也比较简单,容易实现工业化。

    一种稀土磷酸盐的制备方法

    公开(公告)号:CN1907858A

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200510088955.8

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 一种稀土磷酸盐的制备方法,它包括:在搅拌下,按磷酸氢二铵/稀土离子的摩尔比在1.0到4.0之间,将稀土氧化物总量在5克/升到300克/升之间的稀土无机盐溶液和浓度在0.1摩尔/升到2摩尔/升之间的磷酸氢二铵溶液分别同时加入到磷酸浓度在0.01摩尔/升到2摩尔/升之间的磷酸水溶液中,并通过控制磷酸水溶液浓度的方法控制生成的稀土磷酸盐的平均粒径,提高磷酸水溶液浓度,其相应的稀土磷酸盐平均粒径加大;加料结束后,陈化;将生成的稀土磷酸盐过滤、洗涤、干燥;并在200℃到1300℃之间的温度下焙烧1到15小时。采用本发明可以制得分散性好,无需研磨的稀土磷酸盐,且可以在一定范围内准确控制产品的粒度。

    一种发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1688031A

    公开(公告)日:2005-10-26

    申请号:CN200510076649.2

    申请日:2005-06-13

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置,其中包含一种紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片,以及可有效吸收半导体发光芯片的发光并释放出不同颜色光的荧光粉。其中紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片是指发光主峰波长位于350nm-500nm的半导体发光元件,至少包含组成式为M1S:M2x的荧光粉,其中:M1为Zn,Cd和Mg元素中至少一种,M2为Cu、Ag、Al、Mn、Au和Cl中至少一种,1×10-6≤x≤0.05。本发明的发光装置具有显色性好、相关色温可调范围宽、发光强度高、稳定性较好等特点,制造方法简单、成本低。

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