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公开(公告)号：CN115528117A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211436896.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115274858A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211205608.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；半导体衬底内形成有漂移区和体区，栅极结构形成在源极结构和漏极结构之间；源极结构包括源极掺杂区和源极金属，源极掺杂区形成在体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，源极金属与源极掺杂区相连；漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，漏极掺杂区形成在漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，漏极金属与漏极掺杂区相连；源极掺杂区与漏极掺杂区上方还形成有low‑K介质层，low‑K介质层环绕在源极金属和漏极金属的四周。
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公开(公告)号：CN115015731B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210944521.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质，所述器件击穿电压确定方法包括：获取器件在不同条件下的多条击穿电压特性曲线；获取所述多条击穿电压特性曲线对应的时间序列数据Y；基于普雷斯科特HP滤波法对所述时间序列数据Y进行滤波，得到所述时间序列数据Y中的周期项C；基于匹配算法确定所述周期项C的特征点；基于所述特征点确定所述器件击穿电压的置信区间。采用本公开实施例的技术方案，能够解决现有技术中人工提取击穿电压参数时效率低、误差大的技术问题，实现了器件击穿电压的自动提取，提取效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN115084232A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210858457.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种异质结横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；氮化镓缓冲层，形成于衬底上；并排形成在氮化镓缓冲层上的源区掺杂区、氮化镓体区、氮化镓漂移区和漏区掺杂区；铝镓氮阻挡层，形成于部分氮化镓漂移区上；栅氧介质层，形成于氮化镓体区、铝镓氮阻挡层和部分未被铝镓氮阻挡层覆盖的氮化镓漂移区上；源极金属电极，形成于源区掺杂区上；漏极金属电极，形成于漏区掺杂区上；栅极金属电极，形成于部分栅氧介质层上。通过本发明提供的晶体管能够提高晶体管的击穿电压，提升电子迁移率，保证器件的速度，减少复杂的场板结构，降低制作难度，减少生产成本。
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公开(公告)号：CN114864667B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210810837.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区，其中，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；设于所述低剂量N型漂移区上的低掺杂N型离子注入层；以及设于所述高剂量N型漂移区上的N型阱区，其中，所述低剂量N型漂移区、所述低掺杂N型离子注入层与所述N型阱区在横向上形成掺杂剂量逐渐增大的变掺杂区，由此本发明在不牺牲关断状态下的击穿电压的情况下，有效地降低导通电阻，同时还可有效地抑制导通状态下的基区扩展（Kirk）效应，从而提高NLDMOS器件在导通状态下的安全工作区和可靠性。
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公开(公告)号：CN115015731A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210944521.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质，所述器件击穿电压确定方法包括：获取器件在不同条件下的多条击穿电压特性曲线；获取所述多条击穿电压特性曲线对应的时间序列数据Y；基于普雷斯科特HP滤波法对所述时间序列数据Y进行滤波，得到所述时间序列数据Y中的周期项C；基于匹配算法确定所述周期项C的特征点；基于所述特征点确定所述器件击穿电压的置信区间。采用本公开实施例的技术方案，能够解决现有技术中人工提取击穿电压参数时效率低、误差大的技术问题，实现了器件击穿电压的自动提取，提取效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN114864681A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210810576.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的具有特定开口的场氧化层；以及设于所述P型体区与所述场氧化层上的栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。本发明有效地改善了击穿电压和导通电阻互相矛盾的问题，能够提高NLDMOS器件的击穿电压并且降低NLDMOS器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN114864667A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210810837.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区，其中，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；设于所述低剂量N型漂移区上的低掺杂N型离子注入层；以及设于所述高剂量N型漂移区上的N型阱区，其中，所述低剂量N型漂移区、所述低掺杂N型离子注入层与所述N型阱区在横向上形成掺杂剂量逐渐增大的变掺杂区，由此本发明在不牺牲关断状态下的击穿电压的情况下，有效地降低导通电阻，同时还可有效地抑制导通状态下的基区扩展（Kirk）效应，从而提高NLDMOS器件在导通状态下的安全工作区和可靠性。
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公开(公告)号：CN114583049A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210479541.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。
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公开(公告)号：CN114420760B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210311019.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
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