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公开(公告)号：CN114267724A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210192181.7
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。
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公开(公告)号：CN114242651A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210171603.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构。所述浅槽隔离结构制作方法包括：在硅衬底上生长氧化物隔离层，在所述氧化物隔离层上生长腐蚀阻挡层；对腐蚀阻挡层和氧化物隔离层进行刻蚀处理，形成至少两个相互独立的凹槽；在所述凹槽内进行硅填充，将硅填充凹槽作为硅衬底的外延结构；去除腐蚀阻挡层，以在氧化物隔离层中除外延结构之外的区域构成浅槽隔离区。本发明的浅槽隔离结构制作方法，与现有的浅槽隔离工艺相反，由于起到隔离作用的隔离浅槽不是直接刻蚀形成，不会存在尖锐角落，避免角落寄生漏电流的问题，且工艺简单、均匀性好，提高了浅槽隔离结构的隔离特性。
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公开(公告)号：CN114050181B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210014429.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN114203592A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111473541.2
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。
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公开(公告)号：CN114200244A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN108537067B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810167675.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片安全防护方法。该方法包括以下步骤：在芯片操作系统中配置安全状态机，所述安全状态机在芯片指令的驱动下实现芯片安全状态的变迁；为芯片内部需要保护的一个或多个文件设置多个相同或不同的文件访问约束条件；读取被保护的文件时，校验所述安全状态机中的状态字是否满足该文件的访问约束条件，若满足条件则读取该文件，否则不能读取该文件。所述芯片安全防护方法可以实现芯片安全防护方面的精细管理，简化安全设计，提高芯片执行效率。
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公开(公告)号：CN114019220A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210014419.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN112636785B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011367686.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电力线通信系统窄带干扰检测装置和检测方法、处理器及计算机可读存储介质，属于载波通信领域。所述装置包括：定时同步模块，用于根据信道窄带干扰强度选择不同工作模式以设置相应的同步参数进行同步计算；信道估计模块，位于定时同步模块之后，用于接收经过同步计算的信道数据进行信道估计并计算窄带门限参数；窄带检测模块，位于信道估计模块之后，用于根据窄带门限参数确定窄带门限，以及根据窄带门限确定滤波参数；窄带带阻滤波器，与窄带检测模块相连，位于定时同步模块之前，用于根据滤波参数计算窄带带阻滤波器系数并进行窄带滤波。
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公开(公告)号：CN112134821B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010859822.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，公开了一种基于线性调频信号的调制方法及调制器。所述基于线性调频信号的调制方法包括：将M进制数据调制映射至M个不同的相位数据或M个不同的频率数据，其中M＝2L，L为正整数，以及所述相位数据或所述频率数据为植入多普勒频移的线性调频信号的离散化的相位数据或频率数据；以及根据所述M个不同的相位数据或所述M个不同的频率数据，生成并输出与所述M进制数据相对应的M个调制信号。本发明在一个脉冲宽度内实现对多进制数据的调制映射，从而可极大地提高通信数据的传输效率。
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