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公开(公告)号：CN104605817B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410802193.2
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61B5/00
Abstract: 一种医学静脉寻找眼镜,包括镀有滤光膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源，所述光源控制开关可打开或关断所有光源，且所述光源控制开关可以调节所有光源的所发出光的亮度，所述第一种光源和第二种光源均发出不同波长的光，且所述两个光源均与光源控制开关电连接。本发明公开了一种医学静脉寻找眼镜，包括镀膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源。所述的镀膜眼镜片镀有滤光膜，所述两种光源均与光源控制开关电相连接，且开关可控制两个光源的光强亮度。本发明造价低廉且血管显影成像效果好，使用快捷方便。
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公开(公告)号：CN105880859A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610244921.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: B23K35/0222 , B23K35/40
Abstract: 一种可调AuSn合金组分的热沉，属于半导体器件制造领域。其结构为自下而上依为热沉层(1)、粘合层(2)、Au80Sn20合金层(3)、锡层或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层(4)；通过在Au80Sn20合金层上蒸镀一层一定厚度的锡或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层的方式，调节金锡合金的组分。
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公开(公告)号：CN105742956A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610244288.6
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657
Abstract: 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域，这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该发明在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN103545714B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN103647216A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310571961.3
申请日：2013-11-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层；腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通，沿着谐振腔方向，高反腔面到脊型台边缘的长度L1大于出光腔面到脊型台边缘的长度L2；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成非对称腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，有效地改善了光束在水平方向上的发散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560395A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530203.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上限制层Ⅱ、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构。其中沿半导体激光器纵轴两侧，用湿法氧化法或质子轰击的方法，形成一层电流阻挡层，有效地抑制了有源区Ⅱ的电流扩展效应。本发明双波长输出的光混频产生的太赫兹波较方便、易实现且经过光腔耦合输出的光是同轴的，实现了同步控制；同轴双波长半导体激光器源使得太赫兹源结构简单、成本降低、连续输出功率大且能在室温下工作。
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公开(公告)号：CN102903831A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210151371.0
申请日：2012-05-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种LED的结构及制备工艺，属于LED封装领域。其包括蓝光LED芯片（5）、具有独立电极的LED支架（1），雅格晶体（7）位于LED芯片（5）的上方，雅格晶体（7）与支架（1）通过透明胶水（6）连接，芯片（5）被固定于支架内（1）。所述的本发明提供的一种LED的结构及制备工艺，所述蓝光LED芯片（5）发出的蓝光激发雅格晶体（7），使雅格晶体（7）发出黄光而形成白光，避免了在制造过程中使用传统荧光粉，减少了一次胶水烘烤，避免了因使用过程中荧光粉退化带来的色温和显色指数变化，同时雅阁晶体的温度特性优于荧光粉，也使得LED的热性能大幅度提高。本发明简化传统荧光粉白光LED的制造工艺，而且减少了胶水的使用量和制造时间，大幅度降低了成本。
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公开(公告)号：CN205828878U
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201620331025.4
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/065
Abstract: 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域。这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该实用新型在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN203150900U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201220721626.8
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm-600nm，从而形成脊形台，在半导体激光器芯片背面脊形台两侧对应的的位置腐蚀出压焊点。本实用新型提供的压焊方法接触面积大，不损伤表面，压焊方便。
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公开(公告)号：CN202165831U
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201120025172.6
申请日：2011-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: F21S2/00 , F21V23/06 , H05B37/02 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型涉及一种LED集成模块的封装结构及其制备工艺，其包括红光LED芯片7和蓝光LED芯片8、具有独立电极3、4、5的LED支架1、陶瓷基板6、荧光粉10、硅胶11，红色LED芯片7和蓝色LED芯片8被固定与LED支架1内，在芯片上均匀涂覆荧光粉10和硅胶11。本实用新型提供的一种色温和显色指数可调的白光LED集成模块，可以在需要不同的色温时和显色指数的环境下，随时调整红光LED芯片的亮度来实现色温和显色指数的改变，不必使用多个独立的不同色温的LED集成模块，从而能简化灯具的设计，而且减少了荧光粉的使用量，减少了控制电源的数量，大幅度降低了成本。
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