公开(公告)号：CN102909381A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210394265.5

申请日：2012-10-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 岳明 ,  张东涛 ,  耿文甜 ,  刘卫强 ,  张久兴

IPC: B22F9/00 ,  C22C1/02 ,  C22C22/00 ,  B22F9/04 ,  B22F9/14 ,  B22F1/00

Abstract: 一种钴纳米颗粒掺杂制备高矫顽力锰铋磁粉的方法，属于锰铋磁粉技术领域。采用磁悬浮熔炼技术制备锰铋合金；将锰铋合金在在真空的条件下进行热处理；将热处理后的锰铋合金利用滚动球磨技术制备成合金粉末；采用物理气相沉积技术制备钴纳米颗粒；将锰铋合金粉末与钴纳米颗粒混合均匀；将混合后的粉末在氩气的保护下进行高能球磨，最终获得高矫顽力的锰铋磁粉。与采用相同方法制备的未掺杂钴纳米颗粒的锰铋磁粉相比，本发明利用钴纳米颗粒尺寸小，表面活性高的特点，通过高能球磨使之进入锰铋合金晶格，使最终获得的钴纳米颗粒掺杂型锰铋合金磁性粉末的矫顽力显著提高50-100%。

公开(公告)号：CN102808215A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210222711.4

申请日：2012-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  李晓娜 ,  张忻 ,  包黎红 ,  张宁 ,  张繁星

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/10 ,  C30B13/28

Abstract: 多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶的研究很少，且制备出的单晶体尺寸小、纯度低，无法满足实际应用的要求。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法制备高质量、大尺寸的多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体。以CeB6、PrB6粉末为原料制备出的(Ce0.9Pr0.1)B6单晶为φ4.5mm×40mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。

公开(公告)号：CN102433587A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110278253.1

申请日：2011-09-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  包黎红 ,  张宁

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/28

Abstract: 多元大尺寸稀土硼化物LaxCe1-xB6单晶块体阴极材料的制备方法属于稀土硼化物热阴极和冷阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶体的研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实际应用。本发明阴极材料的组成为LaxCe1-xB6，0.2≤x≤0.6。本发明采用放电等离子烧结发法，在高真空环境下制得LaxCe1-xB6多晶棒，再将制备的多晶棒放入光学区熔炉中进行熔炼。在晶体生长过中，为了有效抑制La和Ce元素的挥发和氧化，向石英管内通入高纯流动氩气，气体流速为1-2L/min，气体压强为0.5-0.7MPa。为了使熔区更加均匀，将仔晶和料棒反向旋转，转速为30-40rpm，生长速度为7-10mm/h。本发明方法制备出的单晶体尺寸大、纯度高，质量好。

公开(公告)号：CN100595303C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810114676.8

申请日：2008-06-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋晓艳 ,  卢年端 ,  张久兴 ,  于成伟

IPC: C22C19/07 ,  C22C1/04 ,  C30B29/52

Abstract: 单相Sm2Co17纳米晶块体材料的制备方法属于纳米材料和新型粉末冶金技术领域。现有纳米晶Sm2Co17型合金的研究集中于两相或多相的合金体系。本发明通过将金属Sm和Co按2∶17的摩尔比混合，真空感应熔炼制备Sm2Co17合金铸锭；在氩气保护下，将合金铸锭破碎、研磨成粒径小于500μm的粉末，再将粉末放入球磨罐中进行球磨，制备出非晶态的合金粉末；将非晶态的合金粉末放入模具，利用现有放电等离子烧结技术快速烧结成型，制得单相Sm2Co17纳米晶块体材料。本发明具有工艺简单、可控性强，所制备的单相Sm2Co17纳米晶块体材料完全致密化、晶粒均匀细小，晶界区域纯净无析出相等优点。

公开(公告)号：CN101508572A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910080721.7

申请日：2009-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  张皓琨 ,  刘丹敏 ,  包黎红 ,  马汝广

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30－60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90－180℃/min的升温速度升温至1350－1650℃，保温时间0－10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。

公开(公告)号：CN100432017C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610088995.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李永利 ,  张久兴 ,  李瑞霞

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/586 ,  C04B35/622

Abstract: 一种快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法，属于结构陶瓷制备技术领域。纳米BN包覆Si3N4颗粒表面后热压烧结制备Si3N4-BN可加工陶瓷工艺复杂冗长，制备效率低，成本高。本发明的特征在于：烧结添加剂Y2O3-Al2O3与Si3N4、h-BN粉末球磨混合、干燥后，装入模具中，将装有物料的模具置于放电等离子烧结炉中，抽真空以150-250℃/min的速度升温到1600-1700℃，在30-50MPa的压力下烧结3-8分钟后随炉冷却，获得致密的Si3N4-BN复相陶瓷。该方法烧结时间短，烧结温度低，工艺过程简单快速，因而制备成本低；所得到的陶瓷材料同时具有高的弯曲强度和良好的可加工性。

公开(公告)号：CN100390312C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200610089744.0

申请日：2006-07-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋晓艳 ,  张久兴 ,  赵世贤 ,  刘雪梅

IPC: C22C1/05 ,  C22C29/08

Abstract: 高性能超细晶WC-10wt.%Co硬质合金的制备方法属粉末冶金领域。现有的WC-Co硬质合金的制备很难通过简单工艺获得超细晶硬质合金。本发明步骤：将粒径为30-60微米的纯Co粉在氩气保护下球磨16小时以上，得到微米级粒径但具有纳米晶显微组织的Co粉；将0.2微米的WC粉和球磨后的Co粉按质量比9∶1进行混合球磨，球磨介质为无水乙醇，球磨时间为20-24小时，得到的混合粉末在真空干燥箱中干燥后装入模具，冷压成型，送入放电等离子烧结设备中；烧结致密化的工艺参数为：终态烧结温度1120-1150℃，升温速率80-120℃/min，烧结压力30-60MPa，终态烧结温度下保温时间0-10min。本发明工艺简单，技术参数可控性强，制备的YG10(WC-10wt.%Co)超细晶硬质合金性能达到同种材料的国际先进水平。

公开(公告)号：CN100386286C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200410101255.3

申请日：2004-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 钟涛兴 ,  张光磊 ,  张久兴 ,  张霄凤 ,  李侠

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/622 ,  A61C13/083 ,  A61K6/027

Abstract: 一种牙科长石质生物陶瓷材料的制备方法属于烧结技术领域。该材料含有重量百分比为60.43～70%的SiO2，18.59～22%的Al2O3，7～18.19%的K2O，1.86～4%Na2O。该制备方法是选用一级矿物钾长石粉，加入重量百分比0～10%的K2CO3，混粉、球磨，得到粒度范围2～20μm的原粉料；在石墨模具中装入上述原粉料；将装有粉料的模具放入放电等离子烧结设备中，抽真空2～4Pa，加压20～30MPa，在50～300℃/min下快速升温，在850～1200℃下烧结，保温时间0～5min，自然冷却，得到本发明的生物陶瓷材料。该方法制得的长石质生物陶瓷材料具有透明性好，烧结致密，断裂韧性较高等特点。

公开(公告)号：CN1834271A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610076274.4

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  郝斐 ,  周美玲 ,  张久兴 ,  胡延槽

IPC: C22C1/04 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜领域。含W量在3～5at.％的低W含量镍钨合金基带，虽有很好的立方织构，但在液氮温区具有很强的磁性，且机械强度较低。本发明步骤：将粒度为3～6微米Ni粉和W粉混合均匀，W的原子百分比为7.01％至9.5％；放电等离子烧结；800℃～1300℃，保温0～10分钟；30－80MPa；室温下对Ni－W板进行冷轧，采用3～8％的道次变形量；变形量每达到30～80％进行一次中间退火，温度300～800℃，退火0.5～6小时；总变形量大于95％；Ar混合H2气氛进行再结晶退火，温度1000～1400℃，退火0.5～3小时。本发明得到成分均匀、晶粒细小、W的原子百分比为7.01％至9.5％的Ni－W合金块，烧结过程简单快速，在液氮温区磁性低或没有、机械强度高。

公开(公告)号：CN1743478A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510105686.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋晓艳 ,  张久兴 ,  李尔东 ,  岳明 ,  卢年端

IPC: C22C1/04 ,  C22C45/00 ,  B22F3/00 ,  B22F9/02

Abstract: 本发明属于纳米材料结构科学与制备领域。现有方法得到的块体材料晶粒尺寸均大于初始粉末粒径，一些烧结致密化过程中纳米粉末颗粒易于发生快速粗化而形成亚微米甚至微米级晶粒。本发明包括以下步骤：将以纯度为99.5wt％的单质钐为原料、由惰性气氛保护下的现有的蒸发－冷凝法制备出的纯钐纳米颗粒，在惰性气体保护下装入石墨模具，送入充满惰性气体的放电等离子烧结系统的烧结室；加压成型，压力为30－100MPa；采用如下工艺参数进行烧结：终态烧结温度150－350℃，升温速率30－50℃/min，烧结压力50－100MPa，保温0－5min。本发明获得三种晶相结构，尺寸可调控的纳米纯钐材料，硬度成倍增加，首次解决了100纳米下多尺寸级别纳米晶材料的制备问题，为研究稀土元素的纳米尺寸效应开创条件。