-
公开(公告)号：CN118085083A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410335885.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07K16/24 , C12N15/13 , G01N33/68 , G01N33/536 , A61K39/395 , A61P31/04 , A61P31/10
Abstract: 脓毒症(sepsis)是一种具有感染征象的全身性炎症反应综合征，一般由细菌或真菌等病原体感染引起的免疫反应导致。严重脓毒症和脓毒症休克是全球住院患者最主要的死亡原因，病死率高达30％～70％，目前仍缺乏有效治疗手段。FAM19A4在脓毒症患者及相应的小鼠疾病模型的血清中表达均明显上调，且与病程和病情正相关。提示其可能在感染性疾病中发挥重要作用，并可能成为一个新的血清学标志物。本发明首先涉及一种小鼠抗人FAM19A4单克隆抗体；本发明还涉及上述FAM19A4抗体在基础研究及感染性疾病中的用途。其可用于各种生物学样品中FAM19A4表达水平的研究，适用于Western blot、ELISA、流式细胞检测(FACS)等实验，对FAM19A4具有中和活性。在体内实验中，本发明抗体能够明显降低小鼠盲肠结扎穿孔模型(CLP)和系统性白念珠菌感染小鼠的死亡率。
-
公开(公告)号：CN109148685B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710451317.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法，让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶，再与有机聚合物交联形成复合溶胶，作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜，经固化后形成介电层；然后再分别制备半导体层、电极层，制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s，远超以SiO2为介电层的迁移率，并具有低阈值电压，无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺，该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点，具有很好的市场应用价值。
-
公开(公告)号：CN104697700B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510063605.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的控制精度，大幅提高芯片成品率；在完成键合面金属引线和键合面绝缘介质隔离层的制备后利用CMP工艺对待键合硅面做平整化处理，可以有效的提高硅玻璃阳极键合的气密性和强度，提高芯片长期可靠性；同时，通过键合面绝缘介质隔离层的制备有效避免了阳极键合过程中的高能离子对键合界面金属引线的损耗，可以有效提高金属电信号连接的可靠性。
-
-
公开(公告)号：CN104003350B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410205595.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放器件结构；4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合；5)对硅片进行减薄；6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；7)去除引线窗口内的埋氧层；8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装，工艺流程简单，能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011056B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210501839.4
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件。本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103072941B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012777.5
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，可使MEMS器件本身和封装一起完成，能够缩短封装周期，提高工艺质量和成品率，降低封装成本。
-
-
公开(公告)号：CN102515089B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
-
公开(公告)号：CN103382220A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210135542.0
申请日：2012-05-03
Applicant: 北京大学
IPC: C07K14/52 , C07K16/24 , C12N15/19 , C12N15/63 , C12N1/15 , C12N1/19 , C12N1/21 , C12N5/10 , C12Q1/68 , G01N33/53 , A61K38/19 , A61K39/395 , A61K48/00 , A61P35/00 , A61P31/04 , A61P31/10 , A61P31/12 , A61P37/02
Abstract: 本发明涉及一种具有抗感染、抗肿瘤活性的细胞因子FAM19A4及其应用，具体地，本发明提供了FAM19A4的基因或蛋白或它们的免疫性片段，包含所述FAM19A4的基因或蛋白或它们的免疫性片段的基因工程载体、宿主细胞，以及针对所述FAM19A4蛋白或其免疫性片段的抗体。本发明还提供了所述的FAM19A4的基因或蛋白或它们的免疫性片段在制备具有抗病毒、抗胞内细菌、抗真菌、抗胞外细菌和抗肿瘤作用的药物制剂中的应用；还提供了检测所述的试剂在制备用于免疫相关疾病辅助诊断、预后判断的组合物中的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.075 seconds)
