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公开(公告)号：CN103346089A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310233771.0
申请日：2013-06-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅介质层和栅电极；在整个衬底上淀积一层含H覆盖层，然后对其进行热处理，使H扩散进入未被栅电极和栅介质所覆盖的沟道区外的金属氧化物中，形成重掺杂的低电阻率源漏区；制备接触孔和接触电极。本发明采用自对准双层沟道顶栅结构，能够降低源漏电阻，降低环境光对器件的影响，降低关态电流，提高器件的开态电流和迁移率。
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公开(公告)号：CN105096818A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410789467.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了显示装置及其像素电路、驱动方法。本发明的像素电路包括第一至第五晶体管以及电容元件，第一晶体管用于为发光器件提供驱动电流，第二至第五晶体管作为开关管，用于响应扫描信号；电容元件用于存储电压信息并将电压信息耦合至第一晶体管的控制极，使得第一晶体管产生驱动发光器件的漏电流。本发明的像素电路能够防止开关管在关断状态下的电荷泄露导致发光亮度不均匀的问题，能够补偿驱动晶体管的第一阈值电压的变化或不均匀现象；在存储电容很小的情况下，能够利用负反馈结构维持一帧内的补偿电压，减少电压失真，增加亮度的均匀度。利用本发明的像素电路可以制造出具有高分辨率的显示器。
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公开(公告)号：CN104867442A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410058991.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请公开了一种像素电路及显示装置。像素电路包括存储电容、第三晶体管、第二晶体管和用于串联在第一公共电极和第二公共电极之间的发光支路。发光支路包括串联的第五晶体管、驱动晶体管、第六晶体管和发光元件。在初始化阶段，第三晶体管和第五晶体管导通初始化存储电容两端的电位；在编程阶段，第二晶体管将数据信号通过第三晶体管输入至存储电容一端并存储；在发光阶段，驱动晶体管根据存储电容两端的压差驱动发光元件发光。采用该像素电路及显示装置，能够补偿驱动管的阈值电压和发光元件的退化，同时，也能增加显示器的对比度。
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公开(公告)号：CN104680968A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310616783.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请公开了一种像素电路及其显示装置和一种像素电路驱动方法。在数据输入阶段，通过第四晶体管将数据线上的数据电压信号转换成编程电流信号，并在驱动晶体管的控制极和第二极之间形成编程电压，将该编程电压存储于存储电容中；在发光阶段，编程电压导通驱动晶体管，并形成与编程电流相同的驱动电流，从而驱动发光元件。驱动电流的大小与驱动晶体管的阈值电压，迁移率以及发光元件的阈值电压无关，保证了补偿的精确性和高速性。此外，本申请电路结构简单，可以有效增加像素的开口率，提高面板的成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104637446A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510059758.7
申请日：2015-02-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 提供一种像素电路及其驱动方法,在初始化阶段，第三晶体管导通，初始化第二晶体管各电极电位；在编程阶段，第二晶体管的阈值电压和数据信号存储于存储电容，该阈值电压能够表征驱动晶体管的阈值电压；在发光阶段，驱动晶体管根据存储电容两端的压差驱动产生驱动电流，并驱动发光元件发光。由于第二晶体管和驱动晶体管所处像素电路中的位置临近以及栅极电压一样，源极电压在发光是一致的，第二晶体管能够镜像驱动晶体管的初始时的阈值电压及其使用后阈值电压漂移情况，并在编程阶段通过存储电容存储该阈值电压，从而能够在发光阶段补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀或者阈值电压漂移的问题。还提供了一种显示装置。
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