公开(公告)号：CN102925893A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210431364.6

申请日：2012-10-31

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 崔万照 ,  杨晶 ,  胡天存 ,  王瑞 ,  贺永宁

IPC: C23F1/00

Abstract: 本发明公开了一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法，这一方法的核心是在保证微波部件良好导电性的基础上，利用化学方法微刻蚀铝合金镀银表面，使微波部件光滑的镀银表面形成纳米微陷阱结构，从而抑制微波部件表面的二次电子发射，以达到提高微放电阈值，抑制微放电的目的。该方法主要包括以下处理步骤：微波部件经必要清洗后，利用Fe(NO3)3溶液进行刻蚀，在部件镀银表面形成纳米微结构；然后在50％的盐酸中浸泡去除Fe3+。该方法与现有的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制，部件的微放电阈值也有显著提高。

公开(公告)号：CN102816997A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210252008.8

申请日：2012-07-20

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 胡天存 ,  崔万照 ,  杨晶 ,  贺永宁

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/34

Abstract: 一种降低铝合金镀银表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)将铝合金微波部件内表面先利用丙酮溶液超声清洗10分钟，再用乙醇溶液超声清洗10分钟；(2)再用浓度为50g/L，温度为50℃的NaOH溶液清洗后的铝合金微波部件的内表面清洗1分钟，去除铝合金表面的氧化膜；(3)将铝合金微波部件放入用浓度为5g/L的三氯化铁和浓度为10g/L的盐酸混合溶液中处理微波部件3分钟，处理温度为40℃；(4)在铝合金微波部件内表面先溅射一层铜；(5)再在铜表面溅射一层银。本发明能够有效降低铝合金镀银表面二次电子发射系数。