公开(公告)号：CN1447193A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。