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公开(公告)号：CN119366281A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046083.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10F30/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种受光元件的制造方法，其能够只对析出在晶圆表面的磷析出物进行选择性蚀刻。本发明的受光元件的制造方法，其使用外延晶圆，该外延晶圆是使InP缓冲层、InGaAs光吸收层、InP盖层生长在InP基板上而成，并且，该制造方法包括：在InP盖层上形成InGaAs接触层的工序；通过光刻法将InGaAs接触层的一部分去除而形成InGaAs接触部的工序；以将InP盖层及InGaAs接触部包覆的方式形成保护膜的工序；在保护膜的一部分形成开口图案部的工序；在含磷气体环境中使杂质扩散至开口图案部的工序；使用强碱性水溶液，将在所述使杂质扩散的工序中附着在表面的磷析出物选择性地去除的工序；以及于InGaAs接触部及InP基板背面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN119325643A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380044584.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L21/66 , B23K26/00 , B23K26/57 , H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明为接合型发光元件晶圆的制造方法，通过粘合剂将要成为微LED的发光元件结构与被接合基板加以接合，该方法包含以下步骤：通过粘合剂将发光元件结构与被接合基板加以接合，以获得接合晶圆；以光学方式检查接合晶圆的不良部位，制作去除用地图数据；以及，基于去除用地图数据，针对接合晶圆的所述不良部位，自被接合基板侧入射去除用激光，使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分吸收去除用激光，使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分升华，由此去除发光元件结构中的被包含于不良部位中的部位，以获得接合型发光元件晶圆。由此，能够提供一种接合型发光元件晶圆的制造方法，能够选择性去除发光元件结构的不良部位，以制造接合型发光元件晶圆。
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公开(公告)号：CN119032430A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380036487.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种制造多个发光元件的发光元件的制造方法，其具有使包含发光层的外延层在起始基板上生长的工序、及在该发光层上形成用以形成元件的隔离沟槽的工序，将所要制造的所述多个发光元件各自的俯视形状设为具有对称轴的线对称的六边形，该六边形具有与所述对称轴平行的2条边，该平行的2条边的长度比其他4条边长，所述对称轴通过的2个顶角为90°以上且小于180°，通过规定宽度的所述隔离沟槽隔离所要制造的所述多个发光元件，并以所述多个发光元件隔着所述隔离沟槽无间隙地配置的方式形成所述隔离沟槽。由此，提供一种不会使移动、安装时的良率下降，从而使每片晶圆的元件的收率升高的发光元件及发光元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113692651B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN118476042A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280087771.1
申请日：2022-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明涉及一种具有微型LED结构体的晶圆，其特征在于，其具有：起始基板、形成在所述起始基板上并具有包含开口部的掩模图案的掩模、及选择性地生长在所述起始基板的与所述掩模图案的所述开口部相对应的部分上的多个外延层结构体，其中，所述多个外延层结构体各自为被{111}面包围的棱锥状或棱锥台状的形状，所述多个外延层结构体包含作为发光元件部的第一结构体及与所述第一结构体连接的第二结构体，所述第一结构体及所述第二结构体各自具有不同极性的电极且构成可作为1个微型LED进行工作的微型LED结构体。由此能够提供一种具有可抑制发生亮度下降的微型LED结构体的晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118339663A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079912.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上生长的工序；通过使具有化合物半导体功能层的外延层在所述蚀刻停止层上生长从而制作外延片的工序；利用干式蚀刻法，在所述化合物半导体功能层形成用以形成元件的隔离沟槽的工序；通过对所述外延层的与所述起始基板为相反侧的表面进行粗化蚀刻，由此使表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.1μm以上的工序；经由可见光透射性热固性接合材料，将可见光透射性基板和所述外延片的与所述起始基板相反的表面接合的工序；及将所述起始基板去除的工序。由此，提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，该接合型半导体晶圆在于基板上制作微型LED器件时，能够制成一种亮度下降的产生得到抑制的微型LED。
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公开(公告)号：CN118176594A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280069134.1
申请日：2022-10-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上外延生长的工序；使化合物半导体功能层在蚀刻停止层上外延生长的工序；利用干式蚀刻法于所述化合物半导体功能层形成用于形成元件的隔离槽的工序；利用湿式蚀刻法对所述隔离槽的表面进行蚀刻的工序；经由可见光透射性热固性接合材料，将材料与所述化合物半导体功能层不同的可见光透射性基板与所述化合物半导体功能层接合的工序；及将所述起始基板从与所述可见光透射性基板接合后的所述化合物半导体功能层上去除，得到接合型半导体晶圆的工序。由此，能够提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，该制造方法在基板上制作元件时，能够制成亮度下降的发生得到抑制的元件。
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公开(公告)号：CN118160065A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072026.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有：通过使牺牲层与具有半导体功能层的外延层在起始基板上进行外延生长，制作外延片的工序；利用选择性蚀刻法，以露出所述牺牲层的方式形成元件隔离槽的工序；至少在露出了所述牺牲层的表面形成钝化膜的工序；通过热固化型接合材料将所述外延层与透明的被接合基板接合，从而制作接合基板的工序；对所述接合基板的所述钝化膜进行蚀刻从而将其去除的工序；及将蚀刻液供给至所述接合基板的所述元件隔离槽从而对所述牺牲层进行蚀刻，由此分离所述起始基板与所述外延层的工序。由此，可提供一种在于外延片形成元件隔离槽并通过柔软的接合材料与被接合基板进行接合的接合型半导体晶圆的制造方法中，能够防止接合材料溢出至元件隔离槽进而阻碍牺牲层蚀刻的接合型半导体晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN118043942A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065905.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，其中，所述接合型晶片的剥离方法包括将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。由此，提供一种分离方法，所述分离方法在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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