GaN芯片负压控制电路及设备

    公开(公告)号:CN108964425B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810724211.8

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路,漏压关断电路,以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管;比较器电路包括第一比较器和第二比较器;第一比较器的输出端连接二极管的负极,输入端连接TDD信号端;第二比较器的输入端接入负压信号;漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端,输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构,解决GaN芯片的供电时序控制问题,保证栅压开启到芯片工作电压后,漏压才开启,有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下,通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换,实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

    宽带多频段功率放大方法与装置

    公开(公告)号:CN104184424B

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201410422522.0

    申请日:2014-08-25

    Abstract: 本发明提供一种宽带多频段功率放大方法与装置,在接收到输入信号后,获取输入信号的工作频段信息和基带信号,之后分析输入信号的基带信号中基带数据的速率,对功率放大器放大输出的信号进行反馈,获取与基带数据速率相同的信号,将与基带数据速率相同的信号作为数字预失真处理的参考信号,对基带信号进行数字预失真处理后放大输出。整个功率放大过程简单,能够自动获取输入信号的工作频段信息,允许通过一个链路来实现对多个频段的功率放大,即不会因为频段的增加而选择价格昂贵的高采样率ADC/DAC器件,不需要增加相应的硬件链路,不需要人工改变功放系统的工作频段,系统可以根据输入信号的频率自适应切换工作频段。

    射频功放电路的带宽扩展方法和装置

    公开(公告)号:CN102882475B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210371690.2

    申请日:2012-09-28

    Abstract: 本发明公开一种射频功放电路的带宽扩展方法和装置,其方法包括步骤:通过第一段四分之一波长传输线将射频功放电路的源阻抗变换到中间阻抗;通过第二段四分之一波长传输线将中间阻抗变换到目标阻抗,其中,所述第一段四分之一波长传输线的阻抗Z01=ZS〔ZL/ZS〕1/4,所述第二段四分之一波长传输线的特性阻抗Z02=ZS〔ZL/ZS〕3/4,其中,ZS为源阻抗,ZL为目标阻抗。本发明可以使得各个频点的阻抗值都收敛为纯实数阻抗,实现了射频功放电路的带宽扩展问题。

    一体化下行系统及其处理方法

    公开(公告)号:CN104052696A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410247298.6

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 本发明提供一种一体化下行系统及其处理方法,该系统包括依次连接的选频电路、射频预失真电路、功率放大电路和异频合成电路;功率放大电路包括功放单元、耦合单元和隔离单元;功放单元包括Doherty功率放大器;选频电路从输入信号中筛选出各个频段的信号;射频预失真电路分别对筛选出的各个频段的信号和耦合单元产生的耦合信号进行预失真处理;预失真处理后的信号经过功放单元进行功率放大,再顺次通过耦合单元和隔离单元传输至异频合成电路进行合路处理。本发明结合了预失真技术和高效率Doherty功放技术,实现了系统的高线性性能、较宽的瞬时带宽,提高了系统效率;采用一体化的设计,散热良好、成本低,满足了现代通信设备的需求。

    一种射频负载输出调整方法、设备和系统

    公开(公告)号:CN102832889A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210282869.0

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种射频负载输出调整方法、设备和系统,其主要内容包括:通过接收反射回的射频输出信号,避免了该射频输出信号直接反射回通信系统,给通信系统中的器件造成的损坏;并根据设定的信号功率值与电压值之间的对应关系,确定所述射频输出信号的功率值对应的电压值,利用确定的电压值与参考电压值进行运算,得到调整电压值,以及利用该调整电压值对输入的射频信号进行调整,这样根据反射回的射频输出信号的功率值对射频输入信号的功率进行调整,避免了由于射频输入信号的功率不可控,导致的放大输出的射频信号功率过大,反射回通信系统引起的系统内器件被损坏的情况,提高了整个发射系统的稳定性。

    氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaNHEMT偏置电路

    公开(公告)号:CN204993258U

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201520513895.9

    申请日:2015-07-15

    Abstract: 本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaN HEMT偏置电路,包括第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路,第一接地电容组、第一变压器的输入端、漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接,第二变压器的输入端、栅压产生与控制电路的第一输入端与第一变压器的输出端连接,第二变压器的输出端与栅压产生与控制电路的第二输入端连接,漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、栅压产生与控制电路的第三输入端连接,漏压开关的第二输入端与栅压产生与控制电路的第一输出端连接,栅压产生与控制电路的第二输出端、第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。本实用新型实现了GaNHEMT电路的自动上、掉电功能,避免了GaN HEMT被大电流烧毁,保障了使用GaN HEMT的无线通信设备正常工作。

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