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公开(公告)号：CN106449899A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610793903.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/641
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构蓝光LED芯片的制备方法，以带有低应力缓冲层的衬底作为生长基础，然后，在平整的u-GaN表面依次生长其他各层外延，制备得到蓝光LED外延片；最后将蓝光LED外延片制成垂直结构LED，主要包括以下环节：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用激光剥离技术剥离衬底；在u-GaN表面制出另一极金属电极图形。本发明制备的垂直结构LED单颗芯片功率较大，减少了串并联LED数量，可以实现以单芯片满足用户需求，同时简化驱动电路设计，大大提高LED产品的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN106206880A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610793902.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法，分别以蓝氨、高纯三甲基铟以及高纯三甲基镓为N、In、Ga源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，包括如下步骤：1、氮化氮化蓝宝石、SiC或Si衬底；2、生长缓冲层并使缓冲层结晶后，再生长uGaN成核层；3、先生长低Si掺杂的n-GaN层，再生长高Si掺杂的n+GaN层；4、生长n-AlGaN层，5、生长Si掺杂的n+GaN层，再生长不掺Si的nGaN层；6、生长3个周期的不掺杂Al的InGaN/GaN超晶格，再生长8个周期Al掺杂的InGaN/AlGaN；7、生长PAlGaN层；8、生长Mg掺杂的P+GaN层；9、生长高Mg掺杂的P++GaN层；本发明利用LP MOCVD系统生长特定结构的InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片，具有制备成本低、节约时间且制备的紫外光LED性能好，推进了紫光LED外延的产业化。
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公开(公告)号：CN106087043A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610653107.5
申请日：2016-08-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭方法及装置，将多晶硅碎料均匀铺设在石英坩埚底部，然后依次进行抽真空、加热，得到加热后的碎片层；将铸锭炉加热器的温度升高，再调节顶部加热器和侧部加热器功率比让底部有持续的冷量，确保籽晶不被熔化，在降低温度后，同时调整顶部加热器和侧部加热器功率比，并保持温度不变，进行长晶；继续降低铸锭炉加热器的温度，调节顶部和侧部加热器的功率比系数控制长晶速率进行长晶，长晶后，再依次进行退火、冷却，既得到所述半熔高效多晶硅铸锭。本发明一种多晶硅半熔铸锭方法及装置，不需要更改加热器结构，操作简单，通过特定工艺参数即可达到有效排杂和提高产品质量的目的。
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公开(公告)号：CN105202937A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510654776.X
申请日：2015-10-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无汽蚀低噪音的凝汽器抽真空节能装置，包括吸气管路、手动阀、气动蝶阀、变频高压差干式罗茨泵、自动调节喷淋装置、冷凝器、破真空装置、变频锥体双级泵、分离器、冷凝器、恒压变频控制装置、静音机箱、止回阀，在凝汽器内部气量无规律变化、环境温度升高时，能自动调节抽速与压缩比，防止系统跳闸停机或备用泵启动，提高系统可靠性，降低能耗，防止汽蚀和意外停机返水，解决结垢问题，有效降低噪音污染。
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公开(公告)号：CN104630720A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510032882.4
申请日：2015-01-22
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种耐蚀P110钢套管接头的加工方法，通过将预处理好的P110钢套管接头放入等离子表面冶金炉内的工件台上，将由两件镍基合金组成的镍基合金分别置于P110钢套管接头的内壁和外壁，炉壳为阳极，并接地，抽至真空后，通入保护气并对放置于炉腔内的P110钢套管接头进行溅射、清洗；之后分别对工件极和镍基合金施加偏压，令其升温；镍基合金中被氩离子轰击出来的金属离子或粒子在电场的作用下向P110钢套管接头内壁和外壁表面加速运动，保温后即可得到表面覆盖有镍基合金涂层的P110钢套管接头，从而较现有技术节约了成本。且由于镍基合金具有优良的防护性能，从而保证P110钢套管接头的耐蚀性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112622441B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011511487.1
申请日：2020-12-18
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工件自动喷码装置及方法，装置包括喷码单元、升降单元、机架和输送线单元；升降单元设置在机架上，升降单元用于支撑工件，输送线单元设置在喷码单元的正上方，用于吊装工件；喷码单元设置在机架上，喷码单元用于对工件进行喷码；通过输送线单元便于进行工件的输送，升降单元对喷码过程中的工件进行支撑固定，设置两个相对滑动的滑座，在滑座上设置有合围形成的环形导轨和齿轮圈，方便大型工件进出喷码单元，并且喷码头通过齿轮圈在环形导轨上移动，方便喷码头旋转进行喷码，通过采用第一半齿圈和第二半齿圈合围形成齿轮圈，第二扇形导轨和第一扇形导轨合围形成环形导轨，保证了喷码质量的稳定性和一致性。
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公开(公告)号：CN109192540B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811088729.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司 , 南昌航空大学
Abstract: 本发明公开一种生物质碳化产物与二氧化锰复合电极材料及其制备方法，将生物质在一定温度下进行真空碳化，研磨至粉末在一定温度下浸入稀盐酸去除灰分。在一定浓度的氢氧化钾溶液中浸泡至吸收氢氧化钾质量等于活性碳自身质量后烘干。然后在氮气下分段热处理活化后自然冷却。使用阳极电沉积的方法在一定温度下用一定电流在配制好的电解液中沉积钒铁掺杂MnO2。将处理后的生物质活性碳和钒铁掺杂MnO2粉末混合，加入乙炔黑和无水乙醇球磨。本发明资源重复利用，制备成本低，生产工艺简单。得到的生物质碳化产物与二氧化锰复合电极材料具有优异的稳定性，较高的比电容。
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公开(公告)号：CN111453827A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010292157.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: C02F1/56 , C02F1/52 , C02F103/14
Abstract: 本发明公开了一种油性漆喷漆废水用组合处理剂及其使用方法，包括漆雾破粘剂、助凝剂和凝聚剂，漆雾破粘剂为液态，助凝剂和凝聚剂为固态粉末状或液态状，漆雾破粘剂：助凝剂：凝聚剂的体积比为(2～2.5)：(1～1.5)：(1～1.5)。本发明可使漆渣絮凝并沉于设备底部，对漆渣的粘性破除彻底，无粘壁现象，可有效解决现有喷漆循环水漆渣难以打捞、处理效果差、自动化程度低及处理费用高等问题。
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公开(公告)号：CN109742206A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811637937.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带保护电路的紫光垂直结构LED芯片及其制备方法，在单个芯片上隔离出部分外延层，使用光刻工艺将主发光区的P电极和保护区的N电极连接，将主发光区的N电极和保护区的P电极连接，在不改变外延层结构的基础上牺牲部分发光区面积构造ESD保护电路。本发明利用外延片的垂直结构特点，在不改变外延层结构的基础上牺牲一小部分发光区面积，直接在LED芯片上构造ESD保护电路，从源头解决ESD保护电路防护问题。
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公开(公告)号：CN105200478A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510654399.X
申请日：2015-10-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内腔电镀连续生产设备，包括工作台、夹具、槽体、循环装置、整流器、控制系统；所述槽体、循环装置、控制系统位于工作台下方；所述夹具、整流器位于工作台上方，执行机构和辅助阳极与夹具上盖相连；槽液通过循环泵以下进上出形式通过工件内腔，自动完成前处理、电镀、镀后清洗等工序。本设备满足内腔电镀工艺要求，实现连续生产，生产效率和槽液利用率大幅提高，节水效果明显，可有效降低挥发性气体引起的环境污染和人员伤害，设备结构紧凑，移动方便，适用性广。
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