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公开(公告)号：CN102659446B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210093466.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法。纯质碳化硅膜管支撑体的组成为纯质SiC，支撑体由粗颗粒5～400μm碳化硅堆积结合而成，具有均匀连通孔隙结构，平均孔径5～120μm，整体气孔率在25～50％之间。以粗颗粒碳化硅、氧化硅或硅粉为基本材料，利用高分子材料作为结合剂，混合配料，利用冷等静压包套压制支撑体，经烧结得到纯质碳化硅膜管支撑体。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。
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公开(公告)号：CN102274743B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010199071.0
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构，如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性，实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长；控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率，沸石晶体尺寸小，分子扩散性能好，沸石负载量大，沸石晶体硅铝比、沸石涂层厚度可调，沸石晶体与碳化硅载体界面结合性能好。该结构催化剂有利于强化传质、传热，将会在催化、吸附、分离等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101555138B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810010958.3
申请日：2008-04-09
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B35/565 , C04B38/00 , C04B41/85 , B28B1/29 , B28B3/12
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能好、化学稳定性高、结构可控的碳化硅泡沫陶瓷波纹板的制备方法，解决碳化硅泡沫陶瓷波纹板成型等问题。所述SiC泡沫陶瓷材料以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络结构，材料板片具有褶皱状的波纹形状，波纹形状可以是三角或者圆滑波形；本发明采用有机树脂及SiC粉末为主要原料，利用有机泡沫浸渍工艺并结合模压方法制备波纹板前驱体，热解后经反应熔渗烧结成为SiC泡沫陶瓷波纹板。本发明提供的制备方法工艺简单、操作方便、无需复杂设备，制造成本低。
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公开(公告)号：CN102814188A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210306110.1
申请日：2012-08-25
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B01J27/224 , B01J35/00 , B01J37/025
Abstract: 本发明涉及结构催化剂领域，具体地说是一种具有三维连通结构的“活性炭涂层/泡沫碳化硅”催化剂及其制备方法，解决现有技术中存在的开孔不连续、催化剂与反应产物分离、传热传质效果差等问题。以泡沫碳化硅作为催化剂载体，泡沫碳化硅的筋表面覆盖有活性炭涂层，活性炭涂层的厚度在0.1～500微米之间，活性炭涂层负载金属催化活性组元。在具有三维连通结构的泡沫碳化硅表面制备活性炭涂层，然后负载金属催化活性组元，经活化处理后得到的催化剂。本发明催化剂载体内部孔隙全部连通，不存在封闭空间，能够强化化学反应的传热、传质过程。具有催化反应温场分布均匀、热失活几率小，压降低等特点。
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公开(公告)号：CN102676863A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110061463.5
申请日：2011-03-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及泡沫碳化钛材料领域，具体地说是一种TiC/Ti复合泡沫材料及其制备方法，解决现有技术中烧结性能较差等问题。所述TiC/Ti复合泡沫材料为三维连通网络结构，相结构由碳化钛和碳-钛固溶体组成。将剪裁后的泡沫塑料浸入由含钛粉料、高残碳率树脂、无水乙醇混合制成的浆料中，取出后除去多余浆料，经半固化-高温固化-热解，得到与原始泡沫形状一样的，由碳化钛与热解碳组成的泡沫状骨架。上述泡沫骨架经浸挂含钛浆料-烘干-高频感应加热增钛，循环若干次，最终制得TiC/Ti复合泡沫材料。该技术工艺简单，无需复杂设备。所制备的复合泡沫材料致密度和抗压强度较高，具有一定的韧性以及良好的焊接性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102659446A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210093466.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法。纯质碳化硅膜管支撑体的组成为纯质SiC，支撑体由粗颗粒5～400μm碳化硅堆积结合而成，具有均匀连通孔隙结构，平均孔径5～120μm，整体气孔率在25～50％之间。以粗颗粒碳化硅、氧化硅或硅粉为基本材料，利用高分子材料作为结合剂，混合配料，利用冷等静压包套压制支撑体，经烧结得到纯质碳化硅膜管支撑体。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。
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公开(公告)号：CN102274744A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010199076.3
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B01J29/40 , B01J35/10 , B01J35/04 , B01J37/02 , C04B41/85 , C30B7/10 , C30B29/34 , C07C1/20 , C07C11/00
Abstract: 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体，载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层，沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构，沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体，控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放，分子扩散性能好，比表面积及负载量较大，沸石晶体与碳化硅载体接触面积大，有利于强化传质、传热，缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。
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公开(公告)号：CN102274743A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010199071.0
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构，如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性，实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长；控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率，沸石晶体尺寸小，分子扩散性能好，沸石负载量大，沸石晶体硅铝比、沸石涂层厚度可调，沸石晶体与碳化硅载体界面结合性能好。该结构催化剂有利于强化传质、传热，将会在催化、吸附、分离等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102247795A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010176372.1
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B01J19/32
Abstract: 本发明涉及规整填料领域，具体为一种廉价高效精馏填料及其制备方法，适用于300℃以下的精馏操作。该填料为具有波纹形状的填料单元板叠加组合而成，填料单元板为具有三维连通网络结构的泡沫树脂基填料单元板，泡沫孔径在10PPi～80PPi之间，体积分数控制在10～80％之间。多片填料单元板层叠摆放，奇数层的填料单元板通道方向一致，偶数层的填料单元板通道方向一致，奇数层与偶数层的通道方向之间有30°～170°的夹角；波纹平行方向与填料盘竖直方向有15°～85°之间的波纹倾角，相邻填料单元板的波纹倾角相同，方向相反；层叠后粘接，再热处理，获得填料。本发明泡沫树脂基规整填料单元板保持了聚氨酯泡沫塑料模板的三维网络连通特性，具有比表面积大、薄壁、廉价、化学稳定性高等特点。
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公开(公告)号：CN101555138A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810010958.3
申请日：2008-04-09
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B35/565 , C04B38/00 , C04B41/85 , B28B1/29 , B28B3/12
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能好、化学稳定性高、结构可控的碳化硅泡沫陶瓷波纹板及其制备方法，解决碳化硅泡沫陶瓷波纹板成型等问题。所述SiC泡沫陶瓷材料以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络结构，材料板片具有褶皱状的波纹形状，波纹形状可以是三角或者圆滑波形；本发明采用有机树脂及SiC粉末为主要原料，利用有机泡沫浸渍工艺并结合模压方法制备波纹板前驱体，热解后经反应熔渗烧结成为SiC泡沫陶瓷波纹板。本发明提供的制备方法工艺简单、操作方便、无需复杂设备，制造成本低。
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