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公开(公告)号:CN109659243B
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201710935969.1
申请日:2017-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法,所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异,对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言,若芯片和基板之间的共晶结合面积大,芯片散热就好,热量不会在芯片上累积,芯片表面温度低,说明所述倒装共晶LED的共晶效果好;反之芯片表面温度高,反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性,评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装,无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测,节省了检测成本,提高生产效率,非常适合批量生产。
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公开(公告)号:CN108794004B
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201710317360.8
申请日:2017-05-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种镧钕掺杂镍酸盐陶瓷及其制备方法和应用;所述镧钕掺杂镍酸盐陶瓷的化学式为La2‑xNdxNiO4,其中,0.1≤x≤0.6;所述镧钕掺杂镍酸盐陶瓷的制备方法包括如下步骤:(1)将镧源、钕源和镍源原料与氧化铝球和无水乙醇混合,进行球磨,得到粉体;(2)将步骤(1)得到的粉体过筛,进行焙烧;(3)向步骤(2)焙烧后得到的粉体中加入聚乙烯醇(PVA)水溶液,研磨造粒,过筛,压制成陶瓷胚体,排胶,得到排胶后的陶瓷胚体;(4)将步骤(3)得到的排胶后的陶瓷胚体进行烧结,得到镧钕掺杂镍酸盐陶瓷。所述操作方便,合成工艺简单,制备成本低;所述镧钕掺杂镍酸盐陶瓷可用作电介质陶瓷,例如用作电容器(如储能电容器)材料使用。
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公开(公告)号:CN109835077B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201711209010.6
申请日:2017-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于丝网印刷领域,具体涉及一种印物厚度可控的高精度丝网印刷工艺。所述工艺包括如下步骤:S1.在承印物上用丝网刷出印物,测出印物总体积和网孔总数,求出单个网孔印出的平均印物体积;S2.根据所需印刷面的面积和所需印物的厚度,计算出所需印物体积;S3.根据步骤S2计算出的所需印物体积及步骤S1求出的单个网孔印出的平均印物体积计算出所需网孔的数量;S4.使用与步骤S1中同样目数的丝网,控制丝网网孔的数量为步骤S3中计算得到的网孔数量,并控制所述网孔的分布,使网孔分布图的形状与所需印物面的形状相似,然后刷出印物;S5.给步骤S4刷出的印物加压,使印物扩展到S2中所需面积,从而得到所需面积和厚度的印物。
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公开(公告)号:CN109835077A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201711209010.6
申请日:2017-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于丝网印刷领域,具体涉及一种印物厚度可控的高精度丝网印刷工艺。所述工艺包括如下步骤:S1.在承印物上用丝网刷出印物,测出印物总体积和网孔总数,求出单个网孔印出的平均印物体积;S2.根据所需印刷面的面积和所需印物的厚度,计算出所需印物体积;S3.根据步骤S2计算出的所需印物体积及步骤S1求出的单个网孔印出的平均印物体积计算出所需网孔的数量;S4.使用与步骤S1中同样目数的丝网,控制丝网网孔的数量为步骤S3中计算得到的网孔数量,并控制所述网孔的分布,使网孔分布图的形状与所需印物面的形状相似,然后刷出印物;S5.给步骤S4刷出的印物加压,使印物扩展到S2中所需面积,从而得到所需面积和厚度的印物。
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公开(公告)号:CN104818024B
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201510198165.9
申请日:2013-04-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , Y02B20/181 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种透明荧光体,尤其是透明陶瓷荧光体、透明玻璃荧光体、和透明复合荧光体,以及应用这三种透明荧光体的白光LED。本发明利用所述透明荧光材料代替传统白光LED光源中的荧光粉,实现白光LED。由于透明荧光体具有高热导、高稳定性与高结晶度的优势,避免白光LED光源由于高温造成的色温漂移,提高了白光LED光源的稳定性,并提高了白光LED光源的光效。
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公开(公告)号:CN103205254B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201310123891.5
申请日:2013-04-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , Y02B20/181 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种透明荧光体,尤其是透明陶瓷荧光体、透明玻璃荧光体、和透明复合荧光体,以及应用这三种透明荧光体的白光LED。本发明利用所述透明荧光材料代替传统白光LED光源中的荧光粉,实现白光LED。由于透明荧光体具有高热导、高稳定性与高结晶度的优势,避免白光LED光源由于高温造成的色温漂移,提高了白光LED光源的稳定性,并提高了白光LED光源的光效。
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公开(公告)号:CN103043720B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201110306099.4
申请日:2011-10-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了亚纳米级钒酸钇粉体的制备方法。配制含钇无机酸盐溶液,加入偏钒酸铵及一定量高纯水,充分搅拌;用碱液调节PH值成为橙黄色胶状悬浮液后转移至水浴锅中预加热;收集、水洗、醇洗、离心分离出前驱体;干燥后分别在300-600℃和800-1150℃煅烧,得到两种微观形貌的钒酸钇粉体。采用本发明可制备微观形貌为米粒状和方块状的两种亚纳米级钒酸钇粉体:米粒状粉体分散性好,粒径200-300nm;方块状粉体粒径均一,粒径100-150nm。两种微观形貌的粉体均可用于制备钒酸钇单晶以及多晶;在该方法基础上掺入Ce3+、In3+等离子可制备微观形貌为米粒状或方块状的钒酸钇荧光粉。
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公开(公告)号:CN103626487A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310610479.6
申请日:2013-11-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种复合结构钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法,使用Re:YAG粉体和高纯Y2O3、Al2O3、Re2O3为原料。添加一定量的分散剂、粘结剂、增塑剂、除泡剂球磨混合浆料,通过真空压力注浆成型方式制备不同掺杂包边复合结构陶瓷素坯,如Sm:YAG/Nd:YAG、Cr:YAG/Yb:YAG和YAG/Nd:YAG;多段式不同掺杂Re:YAG陶瓷素坯,如YAG/Cr:YAG/Nd:YAG/YAG;芯壳结构复合陶瓷素坯;层状复合结构透明陶瓷素坯。通过素坯脱脂、真空烧结、热等静压烧结、退火等工艺步骤,得到不同复合结构Re:YAG透明陶瓷,双面抛光后在可见近红外区域的直线透过率达到80%以上。
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公开(公告)号:CN102950844A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210470729.6
申请日:2012-11-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B32B18/00 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种制备平面波导复合陶瓷及其制备方法。该复合陶瓷中间层为稀土掺杂的高折射率陶瓷核心层,上下两层具有相对于核心层较低折射率的氧化铝陶瓷体,最外层为透明陶瓷基底。采用流延成型、复合成型以及在高温下真空反应烧结制得所需陶瓷,烧结后陶瓷的层与层界面致密,无明显的缺陷。
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公开(公告)号:CN102584238A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210032481.5
申请日:2012-02-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/505 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种半透明钒酸钇陶瓷的制备方法,属于功能陶瓷和无机材料制备的技术领域。采用钒酸钇多晶粉体为原料,将多晶粉体、溶剂、分散剂、除泡剂按一定质量比混合,球磨12-24h;所得浆料中加入增塑剂、粘结剂,再次球磨8-16h;固定刀口高度300-1000μm,调节流延速度和温度,把真空除泡后浆料,置于流延机料斗中,流延成型;取出成型后的流延薄片,收集样品;600-900℃气氛下脱脂后,在氧环境保护下,1500-1650℃烧结,得到半透明钒酸钇陶瓷。采用本发明制备钒酸钇晶体具有所需温度低,设备简单,操作方便,成本低等优点。
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