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公开(公告)号：CN102337593A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110348274.6
申请日：2011-11-07
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型有机-无机杂化非线性光学晶体1-乙基-3-甲基咪唑三溴化铅及其晶体生长方法，其化学式为(C6H11N2)PbBr3，属于正交晶系，空间群为P212121。1-乙基-3-甲基咪唑三溴化铅晶体采用室温下溶液蒸发法生长，透过范围为：0.35-2.2μm，其粉末倍频性能与4倍的KDP相当，具备相位匹配能力，该晶体可应用于非线性光学领域，丰富非线性光学材料研究内容。
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公开(公告)号：CN115726045B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202211547044.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种(C5N10H12.5)2PbI7·H2O化合物、晶体用于制作双折射光学器件的用途。属于单斜晶系，空间群为I2/m，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝90°，β＝93.253(4)°，γ＝90°，Z＝2；根据理论计算结果，该晶体在550nm的双折射率为0.43。本发明有如下有益效果：具有操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短、物理化学性能稳定等优点；该晶体可用于制作双折射光学器件；本发明双折射光学晶体制作的双折射光学器件在光通信和激光工业中对偏振光的调制起到重要作用。
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公开(公告)号：CN118292110A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410391670.4
申请日：2024-04-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种(C5N10H12)2(C6N10H7.5)2PbI9化合物、双折射晶体及其制法和用途。属于三方晶系，空间群为R‑3，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝3；根据理论计算结果，该晶体在546nm的双折射率为0.64。本发明有如下有益效果：具有高对称性、操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短、物理化学性能稳定等优点；该晶体可用于制作双折射光学器件；本发明双折射光学晶体制作的双折射光学器件在光通信和激光工业中对偏振光的调制起到重要作用。
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公开(公告)号：CN118290470A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410357025.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及(C12N2H9)ACl3化合物、(C12N2H9)ACl3晶体及其制法和用途。(C12N2H9)PbCl3属于三斜晶系，空间群为P‑1，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝72.718(5)°，β＝84.426(5)°，γ＝83.485(5)°，Z＝2；该晶体在546nm的双折射率实验值为0.65。(C12N2H9)CdCl3属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为#imgabs2#α＝90°，β＝92.889(3)°，γ＝90°，Z＝4；该晶体在550nm具有较大的双折射率，可用于制作双折射器件。
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公开(公告)号：CN118223124A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410272611.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及InSbMoO6化合物、InSbMoO6非线性光学晶体及其制法和用途，InSbMoO6化合物，所述的InSbMoO6化合物的化学式为InSbMoO6。InSbMoO6非线性光学晶体，所述的InSbMoO6非线性光学晶体不含有对称中心，属于正交晶系，P21212空间群；晶胞参数为#imgabs0#α＝90°，β＝90°，γ＝90°；Z＝2，单胞体积为#imgabs1#本发明的InSbMoO6非线性光学晶体具有非线性光学效应、具有较大的带隙、透过范围广、易于保存，是具有极大潜在应用价值的非线性光学晶体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118166432A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410272607.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及K2B3O3F4OH非线性光学晶体、K2B3O3F4OH晶体的制备方法和用途。它的化学式K2B3O3F4OH，正交晶系，空间群为Ama2(No.40)，晶胞参数为#imgabs0#α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝24。所述的化合物晶体具有适中的双折射率(0.054@550nm)和适中的倍频效应(约0.2倍KDP)、宽带隙(深紫外透过)。本发明有如下有益效果：具有操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、反应周期短、物理化学性能较为稳定等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件在光通信和激光工业中对偏振光的频率调制起到重要作用。
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公开(公告)号：CN114686987B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210280517.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途。一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为(C6H5CH2NH3)4AgBiBr8。本发明制备了一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，本发明的有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射该单晶晶体探测器件，测试其光电响应。当入射光的功率密度为50.9mW/cm2时，该晶体器件表现出明显的光电导效应，光电流和暗电流的比值可以达到1.8×103。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。(56)对比文件李勃超.高稳定苄胺溴铜钙钛矿光吸收材料及其光伏器件研究《.万方数据库》.2019,参见摘要部分第1段.Wuqian Guo et al..ExploringUnprecedented Room-TemperatureFerroelectric of Two-Dimensional MetalHalide Double Perovskite with X-ray-Sensitive Merits《.RESEARCH ARTICLE》.2020,第1-6页.
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公开(公告)号：CN115896952A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211493292.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Ba(H2C6N7O3)2·8H2O化合物、非线性光学晶体及其制法和作为非线性光学器件的用途。分子量为360.88，属于正交晶系，空间群为Fdd2，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16；其具有较宽的带隙，约为4.10eV、较大的双折射率，约0.24@550nm以及较强的非线性光学响应，约为商业化非线性光学晶体KDP的12倍左右。该晶体可用于制作非线性光学器件。
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公开(公告)号：CN113912091B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111215825.1
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明涉及一种Cs3C6N9·H2O化合物、Cs3C6N9·H2O非线性光学晶体、和Cs3C6N9·H2O晶体用于制作非线性光学器件的用途。属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为α＝70.388(4)°，β＝83.653(4)°，γ＝88.312(3)°，Z＝1；其具有较短的紫外吸收截止边，约为298nm、极大的非线性光学效应，约为商业化非线性光学晶体KDP的10倍左右、易于制备、物理化学性能稳定等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件。
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公开(公告)号：CN113943977A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111176515.3
申请日：2021-10-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种KMgSO4F化合物、非线性光学晶体、KMgSO4F晶体的制备方法和KMgSO4F晶体用于制作非线性光学器件的用途。它的分子量为178.5，正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为3.083(6)，Z＝8。本发明有如下有益效果：具有操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、物理化学性能稳定、机械性能好等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件在光学、激光光刻和通讯等领域有重要应用。
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