公开(公告)号：CN210272401U

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201921070803.9

申请日：2019-07-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  郭万龙 ,  郭程 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/02 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22

Abstract: 本专利公开了一种室温黑磷太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底、第二层是氧化物层、第三层是黑磷以及搭在黑磷上的非对称的蝴蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的黑磷转移到衬底上，运用紫外光刻或者电子束曝光方法结合倾角蒸镀工艺制备非对称的蝴蝶形天线和金属电极，形成黑磷太赫兹探测器。当太赫兹光照射器件时，黑磷内载流子在赛贝克电动势驱动下单向运动，产生响应信号并实现室温快速的太赫兹的探测。该探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点，可以在室温下对新鲜的树叶进行无损伤主动成像，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210092112U

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201921070826.X

申请日：2019-07-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  郭万龙 ,  郭程 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G01R29/08

Abstract: 本专利公开了一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是石墨烯以及搭在石墨烯上的平面开口环天线和与天线相连的金属电极、第三层是介质层，第四层是栅极。器件制备步骤是采用湿法转移技术将石墨烯转移到衬底上，制备平面开口环天线和金属电极，用氧离子刻蚀对石墨烯图形化作为沟道材料，用原子层沉积工艺生长栅介质层，制备栅极，形成太赫兹探测器。其工作原理是，石墨烯内载流子的浓度和速度受到太赫兹电场的调控，发生分布式电阻自混频，产生直流响应信号。该探测器具有高速、宽频和高响应率等特点，可实现源漏偏压和栅压的双重调控，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207529955U

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201721728253.6

申请日：2017-12-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  唐伟伟 ,  刘昌龙 ,  郭万龙 ,  陈效双

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本专利公开了一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、硒化铋薄膜、对数天线和金属源漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的具有丰富表面态硒化铋薄膜转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备对数天线和金属电极作为源极和漏极，形成硒化铋薄膜场效应晶体管结构。器件在太赫兹光的照射下硒化铋薄膜表面态电子与晶格发生不对称性散射，进而实现室温快速的太赫兹的探测。该太赫兹探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点并属于光伏型探测器件，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利