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公开(公告)号：CN116507194A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310315290.8
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 王伟 , 李清江 , 徐晖 , 汪泳州 , 刁节涛 , 刘海军 , 王义楠 , 于红旗 , 王玺 , 李楠 , 步凯 , 陈长林 , 刘森 , 宋兵 , 李智炜 , 王琴 , 曹荣荣
Abstract: 本申请实施例提供了一种基于NbOx的忆阻器、神经元电路及信号处理方法，属于微纳电子器件技术领域，该基于NbOx的忆阻器包括：衬底，在所述衬底上依次生长的底电极层、介质层及顶电极层，所述衬底为P型SiO2，所述底电极层为TiN，所述介质层为NbOx，所述顶电极层为Pt，当受到脉冲激励时，电导上升，当撤去所述脉冲激励时，电导恢复。在基于NbOx的忆阻器的基础，可以设计没有电容的神经元电路，能够兼容数字信号和模拟信号的处理，且表现出优越的稳定性，为实现全忆阻器脉冲神经网路提供了基础。
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公开(公告)号：CN116185338B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310437683.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 李清江 , 王伟 , 王义楠 , 傅星智 , 徐晖 , 刁节涛 , 刘海军 , 于红旗 , 李楠 , 陈长林 , 刘森 , 宋兵 , 李智炜 , 曹荣荣 , 王玺 , 步凯 , 王琴
IPC: G06F7/523
Abstract: 本申请涉及一种基于忆阻器的乘法器，包括1T1R阵列、乘数状态判断电路、N个开关模块和N个外围电路，在电路结构上基于已有的N bit加法器电路，增设了乘数状态判断电路计算中间变量，并在1T1R阵列中设计了第三1T1R子阵列，第三1T1R子阵列中包括4N个1T1R单元以及相邻两个1T1R单元之间的MOS管，构成移位操作电路，从而构建出N bit乘法器电路。设计的乘法器采用了组合式1T1R阵列，主体保留了1T1R阵列结构特点，集成难度远远低于分离式1T1R阵列或MAD结构等，达到了低时延、小面积且易于集成的技术效果。
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公开(公告)号：CN116190189A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310221163.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了激光技术领域的一种基于等离子体吸收增强的激光与物质作用加强方法，通过等离子体波导靶PW增强激光脉冲驱动离子加速；等离子体波导靶PW由后置塑料CH平板靶的空心圆柱形金属通道组成；激光脉冲与等离子体波导靶PW的相互作用包括以下步骤：步骤一，选择归一化振幅的激光脉冲；步骤二，激光与等离子通道壁相互作用，从等离子通道壁中拉出的电子组成螺旋电子束；步骤三，螺旋电子束被锁相到TM模式纵向电场的负电场区域，在CH平板靶后产生鞘电场。利用激光能量的径向电磁场可利用电子束从通道壁中提取和加速电子，改善激光到目标的能量传递；实现最佳的离子加速度，由此增强激光驱动等离子加速的能量转换效率η，从而增强激光与物质作用。
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公开(公告)号：CN116151344A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310414164.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 李清江 , 王伟 , 徐晖 , 童霈文 , 刁节涛 , 刘海军 , 王义楠 , 于红旗 , 王玺 , 李楠 , 步凯 , 陈长林 , 刘森 , 宋兵 , 李智炜 , 王琴 , 曹荣荣
Abstract: 本申请涉及一种面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法及装置，首先本发明电流补偿方法，不仅仅局限于选通开关导通电阻引起的阵列接入电阻，可以推广到其他的场景中，例如外围读写电路对阵列的接入电阻影响。其次，本发明阐述的忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，实现了对忆阻器阵列输出电流的有效补偿，有效抑制了阵列接入电阻对忆阻器神经形态计算性能的影响，为硬件实现性能的优化提供新思路。
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公开(公告)号：CN112183732A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011138174.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了卷积神经网络加速方法、装置和计算机设备，利用2n‑1个块子缓存对应接收输入特征图像的第i行至第i+2n‑2行的输入行数据；将每一块子缓存中的输入行数据对应输入至n*n个计算模块，预设方向上每一对角线上的计算模块接收特征图像的同一行的输入行数据；输入特征图像的第i行至第i+2n‑2行的输入行数据在n*n个计算模块上计算；将块子缓存中缓存的第i行至第i+n‑1行的输入行数据删除，将第i+n行至i+2n‑2行的输入行数据对应前移至清空的块子缓存中，i以n为增量自增，直至i大于输入特征图像的总行数。实现垂直卷积复用，避免频繁读取搬移数据，减少卷积运算时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111582462A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010438308.X
申请日：2020-05-21
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种权值原位更新方法、装置、终端设备和可读存储介质，应用于忆阻器脉冲神经网络，所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器，突触训练过程包括信号处理时期和权值更新时期，该方法包括：在信号处理时期，获取突触的前神经元的输出端和后神经元的输出端确定的标记信号；在权值更新时期，根据前神经元的输出端确定的标记信号确定突触前端的前驱动脉冲；根据输入神经元产生的初始驱动脉冲和后神经元的输出端确定的标记信号确定突触后端的后驱动脉冲；当前驱动脉冲与后驱动脉冲的电势差幅值大于等于所述忆阻器的阈值电压时，更新突触权值。本技术方案遵循忆阻器交叉阵列的读操作偏置方案，有效抑制串扰现象。
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公开(公告)号：CN111478703A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010292789.8
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H03M1/34
Abstract: 本申请提供一种基于忆阻交叉阵列的处理电路及输出电流的补偿方法，涉及交叉阵列技术领域。该处理电路包括：第一忆阻交叉阵列、n个第一转换电路、n个第一模数转换器ADC及n个第一补偿模块；第一忆阻交叉阵列的m个字线分别用于接收m个输入电压，第一忆阻交叉阵列的n个位线中每个位线连接一个第一转换电路，第一转换电路用于将第一忆阻交叉阵列中对应位线输出的模拟电流转换为模拟电压；每个第一转换电路连接一个第一ADC，每个第一ADC连接一个第一补偿模块，每个第一补偿模块用于在第一ADC将对应位线的模拟电压转换为第一数字电压后，对第一数字电压进行补偿处理。本申请提供的处理电路，可提高交叉阵列输出电流的精确性，及交叉阵列的计算性能。
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公开(公告)号：CN111461308A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010293252.3
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请提供一种忆阻神经网络及权值训练方法，涉及神经网络技术领域。该忆阻神经网络可从硬件层面实现对区间类型数据的处理，而不仅仅局限于通过电脑仿真的高精度权值网络实现数据处理，从而有效避免了因实际硬件设备制作水平受限而导致权值网络精度较低，使得数据处理的准确性较低的问题。其次，采用忆阻器件组成忆阻突触单元，有效利用了忆阻器件体积小、功耗低、集成密度高等优势，从而便于后期进行嵌入式开发应用。另外，通过该训练方法确定忆阻神经网络的权值矩阵，可以通过调整组成各忆阻突触单元的忆阻器件的阻态，来使得忆阻神经网络具有该确定出的权值矩阵，从而使得忆阻神经网络的权值精确度较高，神经网络的样本识别精度较高。
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公开(公告)号：CN119894020A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510041610.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H10D30/01 , H10D30/60 , H10D30/67 , H10F71/00 , H10F30/282
Abstract: 本申请涉及半导体领域，公开了一种反铁电薄膜晶体管及其制备方法，在带绝缘层的衬底层的表面区域形成底栅电极结构，在带绝缘层的衬底层和底栅电极结构上形成反铁电薄膜层，在反铁电薄膜层的上方依次形成顶部电极结构、氧化物半导体层，在氧化物半导体层和反铁电薄膜层上方形成源极层和漏极层，得到反铁电薄膜晶体管。对于反铁电薄膜晶体管，不仅实现了器件结构的紧凑化，可以应用于各智能传感系统；而且在使用过程中，通过在顶部电极结构上施加电脉冲信号，可以实现电学模式下的LIF神经元行为；通过在氧化物半导体层上施加光脉冲信号，还可以实现光学模式下的LIF神经元行为，即实现了电学与光学的双重感知能力。
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公开(公告)号：CN115064932B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210739612.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H01S3/0957
Abstract: 本发明涉及一种基于核泵浦的AlN基空间深紫外激光器，它包括工作物质、激励能源以及光学共振腔，所述工作物质，其包括能实现能级跃迁的AlN半导体介质；所述激励能源，其采用核能直接泵浦工作物质的给予工作物质原子激励的能量；所述光学共振腔，使工作物质受激辐射连续进行，同时限制激光的输出方向；金刚石的多晶层，作为热导率高的散热材料，又可作为核燃料的慢化剂；所述金刚石的多晶层上依次叠加AlN基半导体有源区、高浓缩铀和AlN基半导体有源区形成堆芯‑激光介质堆叠单元结构，进而形成反应堆。本发明利用核能直接泵浦AlN基半导体材料实现激射波150nm‑260nm的深紫外激光，输出功率在MW级以上，同时体积小、结构紧凑、机动性好。
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