公开(公告)号：CN222814792U

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202421508301.0

申请日：2024-06-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  万晨 ,  林蕴

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/855

Abstract: 本实用新型公开了一种可实现光线动态偏转的Micro‑LED器件，包括由下至上依次布置的Micro‑LED发光单元、DBR反射单元和光束偏转层单元，所述光束偏转层单元包括由下至上依次布置的第一ITO层、第一液晶层、第二ITO层、SiO2晶体层、第三ITO层、第二液晶层和第四ITO层，在第一液晶层内设有若干沿x轴方向周期布置的第一偏转单元，所述第一偏转单元由若干横截面面积沿x轴方向依次增加的第一纳米柱组成，在第二液晶层内设有若干沿y轴方向周期布置的第二偏转单元，所述第二偏转单元由若干横截面面积沿y轴方向依次增加的第二纳米柱组成。本实用新型可实现光线动态偏转，灵活性得到了增强，节省空间，降低了成本。

公开(公告)号：CN214336714U

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202120681743.5

申请日：2021-04-02

Applicant: 中南大学 ,  长沙安牧泉智能科技有限公司

Inventor： 朱文辉 ,  孙国辽 ,  汪炼成 ,  彭程

IPC: H01L25/18

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，包括IGBT芯片、二极管芯片、铜片、Spacer层、DBC基板、接线端子，所述IGBT芯片设于所述二极管芯片下方，所述IGBT芯片下端设有连接层；所述铜片上下两端设置的第一纳米银烧结层与第二纳米银烧结层分别与所述二极管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面联结；所述Spacer层上下两端分别设有焊料层和第三纳米银烧结层，所述Spacer层通过所述第三纳米银烧结层与所述二极管芯片上端面联结；所述DBC基板与焊料层、连接层的外端面联接；所述接线端子分别与所述DBC基板及铜片联接并穿出设置的塑封。本实用新型将IGBT芯片倒装并与二极管芯片堆叠，可进一步缩小电源封装模块体积，并进一步提高功率密度。

公开(公告)号：CN222867651U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421762086.7

申请日：2024-07-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  范益 ,  孙国辽 ,  刘洪伟 ,  蔡钊 ,  林蕴

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/603

Abstract: 本实用新型公开了一种引线键合真空吸装定位夹具，它包括底座、置放板、压板、压紧件和锁紧件；置放板固定于底座上，置放板上开有真空吸槽；压板盖于置放板上，将各真空吸槽隔开，压板通过可调压紧位置和压紧力度的压紧件和锁紧件固定于置放板上。本实用新型通过改善后的压板形成多个单点压固窗口，使压板压合于加热块及引线框架上时，每个压固窗口对应压合于一个芯片周围的芯片引线焊接区上，且能够保证每颗芯片的引脚都受到所述压固窗口的底部压口固定，避免引脚浮动并留出足够的焊线空间进行引线键合，有效提高引线键合制程的键合质量与产品良率。

公开(公告)号：CN214753764U

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202120587464.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  黄锦鹏

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/46

Abstract: 本实用新型公开了一种具有偏光微结构的RCLEDs广视角显示系统，由下至上包括有：基板层、电极层、像素阵列层和保护层，所述的像素阵列层与基板层之间通过电极层连接，并由电极层向像素阵列供电；所述的像素阵列层由若干个像素单元按照矩阵排列组成，每个像素单元包括有4个表面具有偏光微结构的RCLED，其中一个RCLED发光波长属于蓝光区域，两个RCLED属于绿光区域，还有一个RCLED属于红光区域。本实用新型通过将多量子阱有源区置于由顶部氧化物DBR和底部金属反射镜组成的谐振腔中，使得出射光光谱窄，色彩纯度高，进而使得显示屏色彩具有高饱和度，并通过在RCLED顶部设计亚波长偏光微结构，改变了RCLED出射光方向集中的问题，使出射光角度更广，进而使得显示屏视角更广。

公开(公告)号：CN217571222U

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202221599702.2

申请日：2022-06-23

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  陈华鹏 ,  孙国辽 ,  汪炼成

IPC: B23K3/08 ,  B23K37/04

Abstract: 本实用新型提供了一种用于双面散热功率模块的一次回流夹具，涉及双面功率模块生产领域，包括：底板，两个定位组件，设置在底板的X方向上，两个所述定位组件可以相互靠近，所述定位组件包括上定高块和下定高块，所述上定高块和下定高块在Z方向上的距离可变；两个夹持组件，设置在底板的Y方向上，两个夹持组件在Y方向上移动并对工件进行夹持，本申请用于一次回流工艺，可以控制焊层厚度并且保证底部焊层不会因为重力作用过度塌陷，保证双面散热功率模块回流工艺的合格率，而且通过上定高块和下定高块调整焊层的厚度和平整度。

公开(公告)号：CN216250703U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122804551.1

申请日：2021-11-16

Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 ,  中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  孙国辽 ,  汪炼成 ,  彭程 ,  陈华鹏 ,  刘校峰

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型公开了一种桥式缓冲层及双面散热倒装芯片功率模块，包括左缓冲层、右缓冲层、中间缓冲层，所述中间缓冲层设于左缓冲层和右缓冲层之间，其两端分别与左缓冲层、右缓冲层连接形成桥式结构。本实用新型通过采用桥式结构，可将热量通过侧边导出，且上下接触面处为圆形，可有效降低应力集中问题，提高双面散热模块可靠性。