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公开(公告)号：CN103151985A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310010842.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本发明提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202918243U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201220612669.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本实用新型基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本实用新型具有端口性能好的特点；本实用新型具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN202918244U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201220612463.X
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置输入波导结构、两组合成通道、输出波导结构和两组直流偏置电路；所述输入波导结构和输出波导结构为Y形，两组合成通道和直流偏置电路分别沿输入波导结构和输出波导结构Y形的中心线镜像设置，输入波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输入端，输出波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输出端，两组合成通道内分别悬置薄膜芯片，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本实用新型具有结构紧凑、集成度高的特点：基于微纳技术，便于集成，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN203057071U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320013860.X
申请日：2013-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本实用新型提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。
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公开(公告)号：CN201812932U
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201020574818.1
申请日：2010-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种模块化低成本的毫米波实时成像电扫描天线系统，包括N块重叠设置的完全相同的PCB单元且相邻的PCB单元之间设有间隙，所述的PCB单元包括介质基板，在介质基板的一个表面上覆有作为信号地的金属贴片，在介质基板的另一个表面上覆有与作为信号地的金属贴片共同作用构成天线阵列的金属贴片和PCB Rotman透镜，在天线与PCB Rotman透镜之间设有铁电体薄膜移相器阵列，并且，天线阵列的馈电端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的一端进行一对一连接，PCB Rotman透镜的阵列端口中的端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的另一端进行一对一连接。具有集成度高、扫描控制系统简单的优点。
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公开(公告)号：CN201156575Y
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200820030486.3
申请日：2008-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 毫米波吸收式功率合成器涉及一种能够工作在毫米波及其以上频段的低反射且输入端口之间高隔离的功率合成器，该合成器第一输入传输线(1)的一端是第一输入端口(8)，第二输入传输线(2)的一端是第二输入端口(9)，第一输入传输线(1)的另一端与第二输入传输线(2)的另一端相连并在此与输出传输线(4)的一端相连形成三线交汇处(7)，隔离传输线(3)接在第一输入传输线(1)与第二输入传输线(2)之间，吸收材料(11)放在隔离传输线(3)上，该低反射高隔离功率合成器解决了在毫米波或者更高频段的功率合成器由于没有可用的集中参数隔离电阻造成的三个端口不能同时匹配以及输入传输线之间隔离不好的问题。
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