一种MMC二极管钳位型子模块拓扑

    公开(公告)号:CN115276441A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210902624.7

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明提供一种MMC二极管钳位型子模块拓扑,本发明涉及模块化多电平换流器技术领域,本发明通过增加少量功率器件改进DCSM内部开关器件与电容的连接方式,提出一种MMC改进二极管钳位型子模块拓扑结构,实现了IDCSM中两个电容的独立投放能力,改进后的IDCSM可以实现直流故障穿越与负电平输出。IDCSM能够输出‑uc,0,uc,2uc四个电平,增加了输出电平数量,显著降低了系统硬件成本,此外,当系统发生直流侧短路故障时,IDCSM通过模块电容所提供的反电动势可以快速阻断直流故障电流,快速实现直流故障穿越。

    一种基于电平调整的混合型模块化多电平换流器容错控制方法

    公开(公告)号:CN113437888A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110792274.9

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 本发明中公开了一种基于电平调整方法的混合型模块化多电平换流器容错控制方法,属于混合型模块化多电平换流器系统子模块故障保护领域。该方法对于基于排序算法和虚拟电压反馈电容电压平衡方法进行了改进,实现了向容错模式的平滑过渡。该方法无需增加额外的硬件设备,通过利用全桥子模块输出负电压,即可达到故障容错目的。本发明提供的方法在降低硬件成本的同时可以有效提高混合型模块化多电平换流器的容错运行能力。

    一种基于零序电压注入的MMC-STATCOM容错策略

    公开(公告)号:CN111756052A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010642835.2

    申请日:2020-07-06

    Inventor: 刘一琦 金泳霖

    Abstract: 本发明中公开了一种基于零序电压注入的MMC-STATCOM容错策略,属于电工技术领域;方法包括以下步骤:步骤1:注入的三相共模电压计算方法;步骤2:容错控制的应用范围;步骤3:容错控制流程。本项目将采用零序电压分量注入方法,只须旁路故障相中的故障单元,其容错运行时的各个子模块电容的额定电压可以保持不变,避免了容错运行时逆变器性能的下降。

    一种MMC半全桥子模块拓扑
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115276440B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202210902892.9

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明提供一种MMC半全桥子模块拓扑,本发明涉及模块化多电平换流器技术领域,本发明通过增加少量功率器件改进SFBSM内部开关器件与电容的连接方式,提出一种半全桥子模块拓扑结构,改进后的ISFBSM具备直流故障穿越、电容电压均衡与负电平输出能力。本发明提出一种具备直流故障穿越、电容电压自均衡与负电平输出能力的改进型半全桥子模块拓扑结构,通过添加快速故障清除模块,使SFBSM的直流故障清除速度提高了一倍,增加了输出电平数量,提高了系统的控制灵活性,此外,结合子模块电容并联运行的特点,ISFBSM可以不依赖于额外附加的控制手段,单纯通过硬件拓扑结构便可解决子模块电容电压均衡的问题。

    一种MMC二极管钳位型子模块拓扑

    公开(公告)号:CN115276441B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202210902624.7

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明提供一种MMC二极管钳位型子模块拓扑,本发明涉及模块化多电平换流器技术领域,本发明通过增加少量功率器件改进DCSM内部开关器件与电容的连接方式,提出一种MMC改进二极管钳位型子模块拓扑结构,实现了IDCSM中两个电容的独立投放能力,改进后的IDCSM可以实现直流故障穿越与负电平输出。IDCSM能够输出‑uc,0,uc,2uc四个电平,增加了输出电平数量,显著降低了系统硬件成本,此外,当系统发生直流侧短路故障时,IDCSM通过模块电容所提供的反电动势可以快速阻断直流故障电流,快速实现直流故障穿越。

    开关电感耦合电感串联型直流升压变换器

    公开(公告)号:CN119765869A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411973768.7

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 开关电感耦合电感串联型直流升压变换器,属于电力电子逆变器技术领域。解决了现有的Boost电路直通时间受限导致升压能力较小的问题。本发明包括直流电压源Vin、二极管D0至D6、电容C0至C2、电感L1至L2、耦合电感器和功率开关S;电感L1和L2、以及二极管D3至D5构成开关电感;二极管D0、电容C0和负载电阻R构成升压变换器的输出单元,其可以较大地提升电压增益。本发明主要用于直流升压变换。

    一种基于带偏置电感双降压拓扑的三电感集成磁芯结构

    公开(公告)号:CN119517560A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411531701.8

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 一种基于带偏置电感双降压拓扑的三电感集成磁芯结构,涉及电力电子磁集成技术领域。EE磁芯开口侧相对连接为一体,其中两侧的磁芯竖向支臂分别作为绕线柱形成电感L1和电感L2,顶部的磁芯横向连接臂、中间的磁芯竖向支臂和底部的磁芯横向连接臂作为公共磁路,附加磁芯为U型磁芯与EE磁芯底部连接为一体,其底端为水平段作为绕线柱形成电感L3,在三个绕线柱的中心位置分别开设气隙并添加空气或低磁导率材料。在EE磁芯的基础上额外增加了一个绕线柱及相关磁路,形成三绕线柱以及多条公共磁路的结构,通过气隙的添加实现更好的适应性,有助于减小电感的整体体积、重量以及损耗。

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