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公开(公告)号：CN115273991B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210932465.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明实施例提供一种氧扩散迁移行为的模拟方法、模拟系统和储存介质，包括：模拟含Nb锆合金晶体中不同间隙占位氧原子的含Nb锆合金结构；对所有所述含Nb锆合金晶体中不同间隙占位氧原子的含Nb锆合金结构进行结构优化，以得到与所有所述含Nb锆合金晶体中不同间隙占位氧原子的含Nb锆合金结构对应的能量最低的间隙占位氧原子的含Nb锆合金结构；对每对始末构型进行过渡态搜索，获得每对始末构型的单点能；将每对始末构型的单点能带入迁移能计算公式，得到每对始末构型氧原子的迁移能，模拟预测稳定态氧原子在含Nb锆合金晶体中的扩散行为。本发明实施例解决了现有技术难以模拟氧在含Nb锆合金中的扩散迁移行为技术问题。
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公开(公告)号：CN116046825A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310343903.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种基于精研一体机制备辐照后弥散燃料纳米压痕试样的方法，属于核燃料及材料辐照后样品制备技术领域，方法包括：获取样品且将样品转运至置有所述精研一体机的屏蔽环境中；将样品粘附于纳米压痕仪的样品台上，且将样品台装载于精研一体机的悬臂上；对样品进行逐层切割直至其高度为0.3~2mm停止；对切割完成所得样品依次进行研磨和抛光，将样品和样品台进行电连接；将样品和样品台电连接形成的整体从精研一体机的悬臂上脱落。采用该制备方法，可有效制备出表面光洁、导电性良好且厚度小于2mm，能够满足纳米压痕测试要求的辐照后强放射性弥散燃料试样。
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公开(公告)号：CN115266794A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210908935.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N33/22 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种LOCA高温辐照后UO2气孔演变行为获取方法，包括获取辐照后的UO2燃料试样、辐照后LOCA高温瞬态热处理的UO2燃料试样、辐照后LOCA高温保温热处理的UO2燃料试样；获取各所述UO2燃料试样的晶界处、晶内气孔形貌，根据所述晶界处、晶内气孔形貌获得不同条件下晶界处、晶内的气孔尺寸与分布数据；比对所述不同条件下试样的晶界处、晶内气孔尺寸及分布数据，获得LOCA高温辐照后UO2气孔演变行为。本发明的方法可以全面透彻且准确地分析LOCA高温对UO2气孔演变行为的作用机制，且方法简单、可行，获取气孔演变行为更加容易。
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公开(公告)号：CN115070459A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210680032.5
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种热室内小尺寸试样切割固定装置，包括基座和固定组件，基座的下端与热室铣床卡盘连接；固定组件固定设置在基座的上端，且试样固定夹持在固定组件内；固定组件包括紧固组件，紧固组件包括固定腔、平面压紧组件和侧面压紧组件，固定腔具有两个相互垂直的竖直侧面，平面压紧组件的内端穿过X侧面对试样施加朝向固定腔其他侧面的压紧力，侧面压紧组件的内端穿过Y侧面对试样施加朝向固定腔其他侧面的压紧力；本发明通过基座可以实现将整个固定装置安装在热室铣床的卡盘上，然后通过紧固组件实现对试样的夹紧，通过调节平面压紧组件和侧面压紧组件可以适应多种尺寸的试样，并可以实现固定，通过交叉夹持可以实现更稳定的夹持。
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公开(公告)号：CN114235866A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111554283.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/20008 , G01N23/203
Abstract: 本发明涉及辐照后电子背散射衍射试样制备技术领域，公开了一种辐照后锆合金的EBSD试样制备方法，步骤1、采用熔融的低熔点合金对辐照后的锆合金进行镶嵌固定以得到锆合金试样；步骤2、将镶嵌固定后的所述锆合金试样进行机械性的研磨和抛光；步骤3、向电解抛光装置中倒入按比例配置的电解抛光液，并将所述锆合金试样安装在电解抛光装置中；步骤4、调节电解抛光参数，对所述锆合金试样中的锆合金进行电解抛光；步骤5、利用带EBSD探测器的扫描电镜对电解抛光后的锆合金试样进行观察，通过判断是否获得清晰的电子衍射菊池线，来判断是否成功制备出辐照后发锆合金的EBSD试样。本发明成功解决了辐照后锆合金EBSD试样不导电或导电性差、电解抛光困难等技术难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114235531A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111552293.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种热室内电化学蚀刻样品台，包括放置台和接触片，所述放置台上设置有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔用于放置镶嵌后的试样，所述第二通孔用于放置参比电极和对电极；所述接触片一端与放置台转动连接，另一端设置在第一通孔上方，所述接触片与放置台之间设置有弹性件，所述接触片采用导电金属制成。本发明样品台的兜底开孔设计使得蚀刻过程机械手放置试样便捷，通过带弹簧的压紧接触片设计使得机械手操作能有效的启动和暂停蚀刻过程，能保障热室内放射性试样的电化学蚀刻过程顺利进行，为锆合金包壳材料等的辐照后检验提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN112507539A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011371063.X
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了辐照下锆基合金中位错环半径动力学模拟方法及模型系统，涉及核材料辐照模拟技术领域，其技术方案要点是：基于反应速率理论方法建立模拟位错结构的演化和辐照生长模型；建立基于演化和辐照生长模型的位错环半径动力学模型；将获取的材料参数作为数值模拟参数输入至位错环半径动力学模型；位错环半径动力学模型根据数值模拟参数模拟计算位错环半径与合金元素含量、晶粒尺寸、温度、剂量率的依赖关系。本发明能够模拟研究辐照剂量对位错环半径、位错密度的影响，还可以用于研究锡和铌作为锆基合金中的合金元素对位错环生长动力学、力学性能和辐照生长的影响，预测范围广，还能够保证计算结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117521382B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311536046.0
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法，涉及新材料点缺陷数值模拟技术领域，包括以下步骤：1)利用FindIt软件查找等摩尔比高熵合金中每个金属单质的结构，得到晶格参数；2)利用ATAT软件寻找等摩尔比高熵合金的SQS超胞模型；3)利用VASP软件对SQS超胞结构进行优化；4)构建等摩尔比高熵合金空位模型；5)对金属单质及含空位的晶体模型进行第一性原理计算模拟，计算金属单质及所有含空位的等摩尔比高熵合金晶胞的能量；6)计算所有空位的形成能，并从局域环境中的不同角度分析空位的形成特点及对空位形成的影响因素。从理论上揭示等摩尔比高熵合金中空位的形成机理及影响因素。
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公开(公告)号：CN119446360A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411483078.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金中堆垛层错的建模方法、系统及设备，该方法包括：根据高熵合金HEA的结构文件，基于Materials Studio软件构建含密排面的重复单元，形成第一结构文件并导出cif格式的第一结构文件；基于Atomsk程序将所述第一结构文件进行格式转换，得到第二格式文件并导出xsf格式的第二结构文件；基于所述第二结构文件，通过Atomsk程序的相关命令组合，确定和移动预设原子层，获得位于不同原子层的多个堆垛层错结构。本发明一次能够实现多个构建位于不同原子层的多个堆垛层错结构，且方便快速、准确，效率高，为理论模拟研究HEA中的大尺寸缺陷提供了模型基础和技术手段。
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公开(公告)号：CN119252396A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411400130.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种计算间隙哑铃缺陷形成能的方法、装置、设备及介质，涉及高熵合金中间隙缺陷行为的数值模拟技术领域，基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究AlNbTiZr高熵合金的SQS超胞中间隙哑铃缺陷性质的方法，从原子分子尺度揭示材料中间隙哑铃缺陷形成机制；仅通过原子坐标和贋势文件等就可以预测不同隙哑铃缺陷形成能，对AlNbTiZr高熵合金中间隙哑铃缺陷的研究有重要的科学意义，克服了实验上很难从原子尺度揭示辐照初期间隙哑铃缺陷行为等缺点。
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