公开(公告)号：CN108051792B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201711270609.0

申请日：2017-12-05

Applicant: 上海无线电设备研究所

Inventor： 高鹏程 ,  梁子长 ,  顾丹丹 ,  冯明

IPC: G01S7/41

Abstract: 本发明涉及一种目标与粗糙面耦合散射源的分布描述方法，包含以下步骤：S1、对目标与粗糙面的复合散射几何关系进行分析；S2、对目标与粗糙面的耦合散射源分布形状进行描述；S3、对目标与粗糙面的耦合散射源分布方向进行描述；S4、对目标与粗糙面的近场耦合散射源水平方向位置的偏移进行计算。本发明提供了目标与粗糙面复合散射中耦合散射源的线状展宽及近场位置偏移描述的方法；由于线状展宽分布的线状倾角与入射角近似相同，能够为目标与地海环境复合散射雷达回波信号的快速仿真提供基础与支撑。

公开(公告)号：CN106772298B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201611031149.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 上海无线电设备研究所 ,  复旦大学

Inventor： 吴语茂 ,  高鹏程 ,  杨杨 ,  张楠 ,  童广德

IPC: G01S7/41 ,  G01S13/89 ,  G06F17/14

Abstract: 本发明涉及一种点源激励下导体平板与非平行介质面强散射点预估方法，包含：S1、采用单一镜像法获取无限大的导体平板的格林函数；S2、采用离散复镜像法获取半空间介质面的格林函数；S3、对尺寸有限的导体平板进行边缘绕射修正，获取有限尺寸导体平板的格林函数；S4、基于半空间介质面的格林函数，以及有限尺寸导体平板的格林函数，进行二维成像，获取点源激励下导体平板与非平行介质面之间强散射点的位置信息。本发明中通过边缘绕射修正了有限尺寸导体平板的格林函数，有效提高强散射点位置预估的精度；并且计算量小，满足工程应用的需求。

公开(公告)号：CN106772301A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611110549.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 上海无线电设备研究所

Inventor： 谢志杰 ,  梁子长 ,  何鸿飞 ,  高鹏程

IPC: G01S7/41

CPC classification number: G01S7/41

Abstract: 本发明公开了一种基于介质射线追踪的多层非平行界面介质电磁散射仿真算法，包含以下步骤：S1、多层非平行界面介质中的射线追踪，获取多次反射交点信息；S2、多层非平行界面介质中的场强追踪，获取射线与目标及介质交点处的电场信息；S3、多层介质包覆目标的远区散射场建模，获取总散射场及雷达散射截面信息，完成多层非平行界面介质电磁散射仿真。本发明利用射线来等效电磁波在多层介质中的反射与折射，通过引入分层介质间的反射系数和透射系数，实现了多层非平行界面介质中隐伏目标的电磁散射建模，是一种行之有效的多层介质包覆目标的电磁散射建模方案。

公开(公告)号：CN106772298A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611031149.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 上海无线电设备研究所 ,  复旦大学

Inventor： 吴语茂 ,  高鹏程 ,  杨杨 ,  张楠 ,  童广德

IPC: G01S7/41 ,  G01S13/89 ,  G06F17/14

CPC classification number: G01S7/41 ,  G01S13/89 ,  G06F17/14

Abstract: 本发明涉及一种点源激励下导体平板与非平行介质面强散射点预估方法，包含：S1、采用单一镜像法获取无限大的导体平板的格林函数；S2、采用离散复镜像法获取半空间介质面的格林函数；S3、对尺寸有限的导体平板进行边缘绕射修正，获取有限尺寸导体平板的格林函数；S4、基于半空间介质面的格林函数，以及有限尺寸导体平板的格林函数，进行二维成像，获取点源激励下导体平板与非平行介质面之间强散射点的位置信息。本发明中通过边缘绕射修正了有限尺寸导体平板的格林函数，有效提高强散射点位置预估的精度；并且计算量小，满足工程应用的需求。