一种微网系统中储能装置管理系统

    公开(公告)号:CN103475042A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310365167.3

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种微网系统中储能装置管理系统,包括系统模块和功能模块,其中,系统模块为锂电池储能管理子系统,储能管理子系统与PCS集成在一起,对锂电池储能系统进行监控;功能模块具体包括通讯接口、数据采集器、数据处理器、数据显示器及数据存储器,通讯接口与系统模块连接,数据采集器、数据处理器、数据显示器及数据存储器均与通讯接口连接,数据采集器收集锂电池储能管理子系统的运行的数据;数据处理器对采集到的数据进行数据处理;数据存储器将数据分类后分别储存到不同数据库中;数据显示器对储能装置的装置参数及运行状态进行显示。与现有技术相比,本发明的系统功能强大,使用方便。

    一种柔性直流换流站的阀厅内电磁场的屏蔽结构

    公开(公告)号:CN102758544A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110111853.9

    申请日:2011-04-29

    Abstract: 本发明涉及一种柔性直流换流站的阀厅内电磁场的屏蔽结构,阀厅由四面墙体、屋面墙板和地面板构成。每面墙体的内墙板自内而外依次包括水泥砂浆层、混凝土砌块层及浇注在水泥砂浆层中的钢板网;屋面板包括含有两层钢筋的混凝土屋面板及浇注在下层钢筋的下方的钢板网;地面板自上而下依次包括混凝土层、含有两层钢筋的混凝土地面板及浇注在混凝土层中的钢板网;屋面板中的钢板网在横向端部与纵向端部分别向下弯卷一有效长度后与墙体的内墙板中的钢板网搭接;地面板中的钢板网在横向端部与纵向端部分别向上弯卷一有效长度后与墙体的内墙板中的钢板网搭接。阀厅的四面墙体中的钢板网和屋面板中的钢板网及地面板中的钢板网构成一闭合的电磁屏蔽网。

    一种数字化变电站
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102545083A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010604496.5

    申请日:2010-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种数字化变电站,包括一变电站本体,还包括若干个与所述的变电站本体相连的全光纤电流互感器,所述的若干个全光纤电流互感器均与一微机相连,其中:所述的全光纤电流互感器的测量精度0.2级,其耐受温度为-40度到+70度,并且相位差小于0.2度。本发明的数字化变电站,该变电站采用了全光纤电流互感器,可以直接与微机进行接口,有利于对数据进行分析。

    一种用于收集车辆闲散动能的液压电磁发电装置

    公开(公告)号:CN102536691A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210030971.1

    申请日:2012-02-13

    CPC classification number: F03G7/08

    Abstract: 本发明涉及一种用于收集车辆闲散动能的液压电磁发电装置,该装置包括保护罩、集能器、单向阀、液压马达、电磁发电机、储能装置和管道;为了控制管道中流体的流速该装置中还包括缓冲装置;储能装置为蓄电池。本发明装置能量转换效率高,抗疲劳、长寿命、可靠性高,能够满足高速公路收费站、减速带、转弯处等车辆减速刹车场合应用,有效收集车辆产生的闲散动能;结构简单、生产成本低、工艺、工程兼容性好、对现有路基路面破坏性小、不会对车辆行驶造成不适,集能器放置在路面之下可抵御雨水等的侵蚀,提高了发电地板的可靠性和稳定性;本发明还可用于大型停车场、加油站等场所,作为照明等用电设备的应急电源。

    从智能电表管理系统获取电能质量数据的系统及其方法

    公开(公告)号:CN102005759A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN201010548131.5

    申请日:2010-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种从智能电表管理系统获取电能质量数据的系统及其方法,系统包括电能质量监测系统,还包括通过网络和防火墙与其相连的智能电表管理系统、客户机。方法包括:首先,将电能质量监测系统通过智能电表管理系统提供的对外数据服务中的COM接口,建立电能质量监测系统与智能电表管理系统之间的接口;然后,通过建立的接口获得智能电表管理系统的电站和母线的信息;最后,通过电站和母线信息从智能电表管理系统获取监测数据,并将数据导入数据库中。本发明能够在没有安装电能质量监测设备的线路上获取数据,从而降低成本,保证电能质量数据收集完整充分,满足电网电能质量监督管理的要求。

    一种场终止型IGBT器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103594356B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201310385233.3

    申请日:2013-08-30

    CPC classification number: H01L29/66333 H01L29/36 H01L29/7395

    Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法,具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤:选择N型掺杂FZ单晶硅片,厚度根据电压等级确定;从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火,形成厚度15~70um和掺杂浓度2×1013~2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层;腐蚀掉背面保护层,采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛,形成吸杂源;去除正面保护层,在硅片正面进行IGBT元胞区的制作;从硅片背面研磨5~30um厚度的硅衬底,背面再腐蚀~2um厚度,留下厚度10~65um的N型缓冲层作为场终止区;完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10~65um的场终止区,适合1700~6500V场终止型IGBT器件制造。

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