公开(公告)号：CN1622337A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410092215.7

申请日：2004-11-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  朴商一

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/20 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  G09F9/30 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。在该薄膜晶体管及其制造方法中，在衬底的整个表面上，在具有半导体层、栅极、源/漏极区和源/漏电极的薄膜晶体管的源/漏电极上，可依次形成有机平坦化层和无机层。在无机层上形成光致抗蚀剂图案后，可进行蚀刻工艺来覆盖有机平坦化层，以形成将象素电极连接到源/漏电极之一的接触孔或通孔。根据本发明的制造方法，可利用一个掩模形成传统利用两个或多个掩模形成的接触孔或通孔，从而简化工艺，并通过无机层提高与象素电极的粘结性，也提高了封装工艺中的密封粘结性，延长了所得薄膜晶体管的寿命。此薄膜晶体管可以适当地应用于有源矩阵型有机电致发光显示器。

公开(公告)号：CN1591146A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068675.6

申请日：2004-09-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  任忠烈

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸(CD)偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的一边缘部分由具有多重边缘锥角的多重剖面组成。