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公开(公告)号：CN113823632A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110381661.3
申请日：2021-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/11519
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括垂直地堆叠在衬底上的电极，电极分别包括在连接区域上的垫部分，并且电极的垫部分以阶梯结构堆叠；第一垂直结构，穿透单元阵列区域上的电极结构；以及第二垂直结构，穿透连接区域上的电极结构，每个第二垂直结构包括在第一方向上彼此间隔开的第一部分以及将第一部分彼此连接的至少一个第二部分，所述至少一个第二部分分别穿透垫部分的侧壁。
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公开(公告)号：CN112079874A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010545398.2
申请日：2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括有机金属化合物的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示。式1中的L11为由式1‑1表示的配体，且其它取代基与在说明书的详细描述中所描述的相同。 M1(L11)n11(L12)n12
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公开(公告)号：CN119562698A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411199096.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 元重喜 , 金钟秀 , 南成虎 , 金相模 , 金重赫 , 金志桓 , 丸山祐辅 , 李衍庚 , 李恩庆 , 李夏林 , 印守康 , 林主亨 , 田顺玉 , 郑多运 , 郑妍淑 , 郑庸植
Abstract: 提供发光器件、包括发光器件的电子设备、稠环化合物、和评价包括在化合物中的原子的保护系数的方法。所述稠环化合物由式1表示。所述发光器件包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的中间层，其中所述发射层包括发射体以及数量为m1的主体，m1为1或更大的整数，当m1为2或更大时，两种或更多种主体彼此不同，所述发射体和所述数量为m1的主体彼此不同，所述发射体包括其中两个或更多个单环基团彼此稠合的稠环，所述单环基团的至少一个为包括硼原子和碳原子作为成环原子的6元环，并且所述发射体中的所述硼原子的保护系数的至少一个为0.7或更大。式1的描述提供在本文中。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110642846B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910559153.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D405/10 , C07D409/10 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/00 , H10K50/11 , H10K85/60 , H10K101/25
Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括预定的主体和热激活延迟荧光发射体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739405B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910565770.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/125 , H10K50/13 , H10K85/60 , H10K101/40
Abstract: 公开有机发光器件，其包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，且所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述第一化合物和所述第二化合物各自发射光，所述第三化合物不发射光，且所述第一化合物和所述第二化合物满足如本文中描述的条件和不等式。
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公开(公告)号：CN117946179A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311412349.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1‑1或1‑2表示，其中，在式1‑1和1‑2中，M为Pt或Pd；X1、X2、和X3各自为碳；X4为氮；T8为O、S、N(R81)、C(R81)(R82)、或Si(R81)(R82)；并且剩余取代基如本文中所定义的。式1‑1#imgabs0#式1‑2#imgabs1#。
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公开(公告)号：CN117015254A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310491644.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 姜基煜 , 姜昊锡 , 权殷淑 , 金仁九 , 金重赫 , 安恩惠 , 尹柱熙 , 李艺瑟 , 李孝荣 , 印守康 , 张东珍 , 郑妍淑 , 朱京植 , 崔恩晶 , 崔准
Abstract: 提供发光器件，所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，其中式1和2的细节如本文中所描述的。式1#imgabs0#式2#imgabs1#
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公开(公告)号：CN115701262A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210835473.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 权殷淑 , 金煌奭 , 郑妍淑 , 郑庸植 , 田顺玉 , 金炯民 , 安熙春 , 严贤娥 , 李睿琗 , 姜昊锡 , 金重赫 , 金志桓 , 南成虎 , 朴商浩 , 孙永睦 , 印守康 , 崔玹豪
Abstract: 有机发光器件包括：具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括第一化合物和第二化合物，其中所述第一化合物包括包含第一甲硅烷基的基团和至少两个得自咔唑的基团，其中所述至少两个得自咔唑的基团中的一个得自咔唑的基团经由N原子结合至另一个得自咔唑的基团，所述第二化合物包括包含第二甲硅烷基的基团、三嗪基团、和得自咔唑的基团，以及所述第一化合物或所述第二化合物中的至少一种具有2.81eV或更高的三线态(T1)能级。
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公开(公告)号：CN114944398A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210123517.4
申请日：2022-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件，包括：图案结构上的存储单元阵列区和阶梯区；堆叠结构，包括在竖直方向上交替地堆叠的绝缘层和具有栅焊盘的栅层；分离结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；存储竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；支撑竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；栅接触插塞，设置在所述栅焊盘上；以及外围接触插塞，与所述栅层间隔开，其中，所述存储竖直结构的上表面在第一高度处，所述外围接触插塞的上表面在第二高度处，所述分离结构的上表面在第三高度处，并且所述栅接触插塞的上表面在第四高度处。
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