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公开(公告)号：CN110642846B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910559153.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D405/10 , C07D409/10 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/00 , H10K50/11 , H10K85/60 , H10K101/25
Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括预定的主体和热激活延迟荧光发射体。
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公开(公告)号：CN110739405B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910565770.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/125 , H10K50/13 , H10K85/60 , H10K101/40
Abstract: 公开有机发光器件，其包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，且所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述第一化合物和所述第二化合物各自发射光，所述第三化合物不发射光，且所述第一化合物和所述第二化合物满足如本文中描述的条件和不等式。
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公开(公告)号：CN117946179A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311412349.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1‑1或1‑2表示，其中，在式1‑1和1‑2中，M为Pt或Pd；X1、X2、和X3各自为碳；X4为氮；T8为O、S、N(R81)、C(R81)(R82)、或Si(R81)(R82)；并且剩余取代基如本文中所定义的。式1‑1#imgabs0#式1‑2#imgabs1#。
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公开(公告)号：CN117015254A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310491644.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 姜基煜 , 姜昊锡 , 权殷淑 , 金仁九 , 金重赫 , 安恩惠 , 尹柱熙 , 李艺瑟 , 李孝荣 , 印守康 , 张东珍 , 郑妍淑 , 朱京植 , 崔恩晶 , 崔准
Abstract: 提供发光器件，所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，其中式1和2的细节如本文中所描述的。式1#imgabs0#式2#imgabs1#
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公开(公告)号：CN115701262A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210835473.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 权殷淑 , 金煌奭 , 郑妍淑 , 郑庸植 , 田顺玉 , 金炯民 , 安熙春 , 严贤娥 , 李睿琗 , 姜昊锡 , 金重赫 , 金志桓 , 南成虎 , 朴商浩 , 孙永睦 , 印守康 , 崔玹豪
Abstract: 有机发光器件包括：具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括第一化合物和第二化合物，其中所述第一化合物包括包含第一甲硅烷基的基团和至少两个得自咔唑的基团，其中所述至少两个得自咔唑的基团中的一个得自咔唑的基团经由N原子结合至另一个得自咔唑的基团，所述第二化合物包括包含第二甲硅烷基的基团、三嗪基团、和得自咔唑的基团，以及所述第一化合物或所述第二化合物中的至少一种具有2.81eV或更高的三线态(T1)能级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114944398A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210123517.4
申请日：2022-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件，包括：图案结构上的存储单元阵列区和阶梯区；堆叠结构，包括在竖直方向上交替地堆叠的绝缘层和具有栅焊盘的栅层；分离结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；存储竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；支撑竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；栅接触插塞，设置在所述栅焊盘上；以及外围接触插塞，与所述栅层间隔开，其中，所述存储竖直结构的上表面在第一高度处，所述外围接触插塞的上表面在第二高度处，所述分离结构的上表面在第三高度处，并且所述栅接触插塞的上表面在第四高度处。
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公开(公告)号：CN114843279A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210094232.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 公开了集成电路装置和电子系统。该集成电路装置包括：基底结构；栅极堆叠件，其位于基底结构上并且包括彼此间隔开的多个栅电极；第一上绝缘层，其位于栅极堆叠件上；多个沟道结构，其穿透栅极堆叠件，多个沟道结构中的每一个包括从栅极堆叠件突出的相应对准键；第二上绝缘层，其与多个沟道结构中的每一个的相应对准键重叠；顶部支承层，其位于第二上绝缘层上；位线，位于顶部支承层上；以及多个位线接触件，其将多个沟道结构中的相应沟道结构电连接到位线。第一上绝缘层的侧壁包括第一台阶部。
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公开(公告)号：CN112341497A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010788078.X
申请日：2020-08-07
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的有机发光器件及包括其的诊断组合物。由式1表示的有机金属化合物，其中M1为铍、镁、铝、钙、钛、锰、钴、铜、锌、镓、锗、锆、钌、铑、钯、银、铼、铂、或金；A1‑A3各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；A4为5元杂环基团；A5为包括6元碳环基团的至少两个环的C7‑C30碳环基团，或A5为包括6元碳环基团或6元杂环基团的至少两个环的C1‑C30杂环基团；X10、X20、X30、和X40‑X44各自独立地为C或N；T1‑T3各自独立地为单键、*‑N[(L1)a1‑(R1)b1]‑*'、*‑B(R1)‑*'、*‑P(R1)‑*'、*‑C(R1)(R2)‑*'、*‑Si(R1)(R2)‑*'、*‑Ge(R1)(R2)‑*'、*‑S‑*'、*‑Se‑*'、*‑O‑*'、*‑C(＝O)‑*'、*‑S(＝O)‑*'、*‑S(＝O)2‑*'、*‑C(R1)＝C(R2)‑*'、*‑C(＝S)‑*'、或*‑C≡C‑*'；和其中其它取代基可通过参考详细说明书而理解。式1。
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公开(公告)号：CN112079871A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010540840.2
申请日：2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机金属化合物的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示，其中式1中的L11为由式1‑1表示的配体，并且其它取代基的描述与本申请的详细描述中所描述的相同。 M1(L11)n11(L12)n12 。
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公开(公告)号：CN112079870A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010540588.5
申请日：2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括有机金属化合物的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示。式1中的L11为由式1‑1表示的配体，所述有机金属化合物包括至少一个枯基，且其它取代基与关于说明书的详细描述所描述的相同。 M1(L11)n11(L12)n12
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