公开(公告)号：CN203871336U

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201420151248.3

申请日：2014-03-31

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，降低了导通电阻且减小了反馈电容Crss。该半导体装置具有：第1导电型的集电层；第2导电型的漂移层，其配置在所述集电层上；第2导电型的夹层，其杂质浓度高于所述漂移层，并与所述漂移层接触而配置在所述漂移层上；第1导电型的基层，其配置在所述夹层上；第2导电型的发射区，其嵌入在所述基层的上表面的一部分中；槽，其在所述基层的表面具有开口部，且具有从所述基层的表面起至少贯通所述基层的深度；绝缘膜，其配置在所述槽的内壁上；以及控制电极，其隔着所述绝缘膜与所述基层相对地配置在所述槽内，所述绝缘膜的厚度形成为与所述夹层相对的区域比与所述基层相对的区域厚。

公开(公告)号：CN202888184U

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201220341907.0

申请日：2012-07-13

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，在其沟槽间，形成有凹陷部，使得射极区域和第1导电型的基极区域露出，凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部构成，凹陷部具有在第1凹陷部的底部的内侧设置有比第1凹陷部的宽度窄的第2凹陷部的结构。通过本实用新型的2阶段的凹陷部的结构，使得其栅极沟槽结构不易折断。

公开(公告)号：CN207818562U

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201721890667.9

申请日：2017-12-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其中，栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203085557U

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201320098574.8

申请日：2013-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置具有：第一导电型的第一半导体区域；设置于第一半导体区域上的、与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体区域；设置于第二半导体区域上的、第一导电型的第三半导体区域；从第三半导体区域开始贯通第二半导体区域并到达第一半导体区域的栅槽；以及通过设置于栅槽的底面以及侧壁上的栅绝缘膜进行设置的栅电极；其中，在栅电极中具有比栅槽的宽度小的孔隙。通过本实用新型，可以缓和传向槽栅电极以及栅绝缘膜的应力，减少栅氧化膜的破损。

公开(公告)号：CN202695447U

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201220341150.5

申请日：2012-07-13

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528

Abstract: 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，其中，层间绝缘膜形成为，在沟槽延伸的方向上直角的剖面视图中，由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状，第1阶段的高度在层间绝缘膜的整体高度的1/3-2/3的范围内。通过本实用新型的凸形状的层间绝缘膜构造，可以更好地防止层间绝缘膜的剥落。