公开(公告)号：CN117729823A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311438450.4

申请日：2023-10-31

Applicant: 闽都创新实验室 ,  广东聚华新型显示研究院

Inventor： 罗大伟 ,  曾雪淇 ,  蔡江立 ,  陈光郎 ,  胡海龙 ,  李福山 ,  叶芸

IPC: H10K71/40 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请公开了一种QLED器件的后处理方法，包括提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底和设置在其上的发光部件；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行紫外光照加臭氧处理；采用加热处理及UVO处理对QLED器件进行后处理，从而有效降低器件的驱动电压，进而可以有效提高所述器件的稳定性。

公开(公告)号：CN116528606A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310554256.6

申请日：2023-05-17

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学

Inventor： 李福山 ,  董志华 ,  林立华 ,  胡海龙 ,  杨开宇 ,  陈伟 ,  游逸琪 ,  许宝霖

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/80 ,  H10K77/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明涉及一种柔性图案化量子点LED及其制备方法。通过引入了具有图案化绝缘膜层，获得柔性图案化量子点LED并减少量子点层受挤压时受到的应变与应力。由于量子点层的弹性模量远大于其他功能层，因此柔性图案化量子点LED在折叠或者卷曲过程中，量子点层最先受到破坏并发生膜层分离，通过引入弹性模量较小的图案化绝缘膜层减少量子点层在折叠或者卷曲过程中所受应变与应力，避免引起量子点层发生破坏与膜层分离，从而可以避免/降低柔性图案化量子点LED失效的问题，提高了柔性图案化量子点LED的质量和可靠性。

公开(公告)号：CN111807347A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010570905.8

申请日：2020-06-22

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 胡海龙 ,  李福山 ,  鞠松蔓 ,  郭太良 ,  杨尊先

IPC: C01B32/15

Abstract: 本发明涉及一种常温常压下基于激光快速制备石墨炔的方法，包括以下步骤：步骤S1:对金属催化剂进行预处理；步骤S2:将预处理后的金属催化剂浸没在装满液态碳源的石英玻璃皿中；步骤S3:采用激光光源辐照金属催化剂，在金属催化剂表面生成石墨炔薄膜。本发明能够在常温常压下，快速制备石墨炔。