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公开(公告)号：CN119789465A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411642964.6
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种T型P‑GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法，该器件结构从下往上依次包括衬底、复合缓冲层、沟道层、隔离层、势垒层、P‑GaN帽层，P‑GaN帽层中掺杂有Mg。在P‑GaN帽层上方淀积栅电极金属，对栅电极与源电极、栅电极与漏电极之间的部分P‑GaN帽层进行刻蚀，然后对P‑GaN帽层进行H注入，重新钝化P‑GaN帽层中的Mg杂质，使P‑GaN变成高阻，从而实现T型P‑GaN栅电极，制备P‑GaN栅GaN射频HEMT。此方案可以实现较小的P‑GaN栅脚长度，提高了器件的频率特性，另外也避免了完全去除P‑GaN时对势垒层表面带来的表面损伤问题，提高了器件的功率性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119789450A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411643959.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自对准T型P‑GaN栅GaN基射频HEMT制作方法，首先在衬底上依次生长复合缓冲层、GaN沟道层、隔离层、势垒层、P‑GaN帽层材料，在GaN沟道与隔离层之间形成二维电子气；然后去除部分区域的P‑GaN帽层，剩下矩形形状的P‑GaN栅脚，在P‑GaN栅脚的两侧，进行源电极和漏电极金属的淀积并退火，形成源电极和漏电极的欧姆接触；下一步，在表面淀积一层介质，使用光刻胶为掩膜，在P‑GaN栅脚上方对介质进行精准刻蚀，利用P‑GaN栅脚侧壁介质比较厚的特点，获得介质‑P‑GaN栅脚‑介质的支撑结构，然后淀积栅金属并进行剥离，最后获得P‑GaN栅脚结合栅金属栅头的T型栅电极。此方案利用自对准刻蚀工艺，获得具有短栅长、亚微米的T型栅电极，实现增强型工作的GaN射频HEMT器件。
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公开(公告)号：CN119730294A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411639160.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，且公开了一种高长期可靠性的氮化镓射频器件结构及其制备方法，势垒层表面两端设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间设置栅电极，衬底层和III‑N复合缓冲层内部刻蚀有凹槽，金属层既附着于衬底层的底部和凹槽内侧壁处，同时也附着于凹槽内III‑N复合缓冲层的侧壁处和沟道层的底部，凹槽位于栅电极附近靠近漏电极一侧，沟道层和势垒层形成异质结，沟道层和势垒层形成的异质结界面且靠近沟道层的一侧形成二维电子气2DEG，作为氮化镓器件的导电沟道，金属层能够将III‑N复合缓冲层中积累的空穴通过接地的方式抽取出去，从而抑制了关态工作时高漏极电压导致的复合缓冲层中空穴积累，提高了器件的长期稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119675599A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411727710.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 一种可变增益的多级宽带低噪声放大器，包括：N(N≥2)级放大电路，其中第1、2级放大电路级间通过第1级间匹配电路连接，后续多级放大电路级间依次串联主路开关和级间匹配电路，输入端串联输入匹配电路连接到第1级放大电路，第N级放大电路依次串联主路开关和输出匹配电路到信号输出端；从第2级开始，每一级放大电路和主路开关整体均并联一个旁路开关；采用源极退化电感方案进行输入匹配，优化噪声性能；级间匹配改善整体增益平坦度；采用多级LC结构进行输出匹配，实现不同增益模式下的宽带匹配；本发明通过逻辑电平信号实现对各个开关的控制，实现多种增益模式切换，设计带宽达10GHz以上，且不同增益模式下整体增益平坦度和噪声系数保持一致。
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公开(公告)号：CN119562592A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411618211.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/85
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，特别地，涉及一种金刚石与氮化镓异质集成的互补场效应晶体管器件。所述器件包括n型GaN基晶体管单元(001)、p型金刚石基晶体管单元(002)、电极连接单元(003)和金刚石衬底(1)，n型GaN基晶体管单元(001)、p型金刚石基晶体管单元(002)均设于所述金刚石衬底(1)上，所述第一电极连接金属(15a)分别与所述n型GaN晶体管栅电极(8)和所述p型金刚石晶体管栅电极(13)连接，所述第二电极连接金属(15b)分别与所述n型GaN晶体管漏电极(9)和所述p型金刚石晶体管源电极(12)连接。本申请可以具有较宽的禁带宽度，带间隧穿几率低的特点，所形成的互补场效应晶体管器件具有开关速度快、功耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119421445A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411494643.6
申请日：2024-10-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10D30/47 , H10D30/01 , H10D64/62 , H01L23/373 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种高散热金刚石衬底GaN晶体管结构及其制备方法，晶体管包括金刚石衬底层、介质层、III‑N势垒层、GaN沟道层和III‑N复合缓冲层；源电极、漏电极和栅电极被介质层包裹，先在原始衬底层上依次生长III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层，在III‑N势垒层表面制备源电极和漏电极和栅电极，再在III‑N势垒层表面沉积一层介质层，将介质层和金刚石键合，去掉原始衬底层，将器件倒置，金刚石作为新的衬底层，最后在表面刻蚀电极连接通孔，将电极引至器件表面。本发明可提高器件的热耗散能力，有利于改善其自热效应，实现高频、高功率的应用，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119363053A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411385145.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于复合左右手传输线的双频毫米波功率放大器，包括：输入匹配电路、第一级放大电路、一二级间匹配电路、第二级放大电路、二三级间匹配电路、第三级放大电路和输出匹配电路。本发明通过输入匹配电路利用复合左右手传输线结构的多谐振特性，采用基于非对称复合左右手传输线设计的双频滤波网络与输入匹配分支相结合的双频匹配方案，在两个相距较远的频点上实现基波同时匹配，使得双频毫米波功率放大器具有双频同时高效率输出的特性。该双频毫米波功率放大器的电路避免了开关电路的引入，结构简单、易于实现，无需额外的控制电路即可实现稳定的双频高效率特性，在无线通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119208370A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411335593.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制作方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层、沟道层、缓冲层采用三族氮化物半导体。势垒层上方设置有栅电极，形状为T型；在栅电极两侧，部分所述势垒层和沟道层内设置有凹槽，凹槽的一个边缘与T型栅电极的栅头一个边缘垂直方向对齐；在凹槽中设置有源电极和漏电极，其表面与势垒层相平。此方案减小了源漏电极之间的间距，减小了导通电阻，同时减小了栅源电极、栅漏电极之间的寄生电容，提高了器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN117832261A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410055963.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层，在III‑N势垒层上设置有直角梯形P型GaN栅、源电极和漏电极，P型GaN栅顶面设置栅金属电极；方法包括先在衬底层上依次生长III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层和P型GaN层材料，再制备具有小底切角的光刻胶图案，并刻蚀掉没有光刻胶图案的P型GaN层材料，得到一侧为斜坡的直角梯形P型GaN栅，最后在III‑N势垒层表面制备源电极和漏电极，并在P型GaN栅顶面制备栅金属电极；P型GaN栅实现了增强型工作，且其单端倾斜结构的设计，减少了栅漏之间的局域电场尖峰，从而增强了器件的击穿电压，抑制了器件的电流崩塌效应，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117153867A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311022048.8
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。
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