公开(公告)号：CN117779179A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410199685.0

申请日：2024-02-23

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 蔡金荣 ,  陈建明 ,  赵文超 ,  杨洪雨 ,  范子龙

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种单晶生长装置和单晶生长方法，包括：充气部，其整体安装在保温罩的中部开口处，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口；芯轴，其至少部分套设在第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，且位于芯轴进气口和芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且芯轴与充气部在沿气流方向上能相对移动，通过凸起部调节经第一气流通道流向侧面出气口和第二气流通道的气流比例。本发明能够实现对坩埚上端面的温度调控，保证坩埚上端面温度均匀，提高单晶的生长稳定性，从而利于单晶的优质生长。

公开(公告)号：CN117702272A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410168348.5

申请日：2024-02-06

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 陈建明 ,  赵文超 ,  杨洪雨 ,  范子龙 ,  张江涛

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。

公开(公告)号：CN117587522A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202410082124.2

申请日：2024-01-19

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 克拉乌斯·亚历山大 ,  陈建明 ,  范涛礼 ,  张江涛 ,  赵文超

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。