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公开(公告)号：CN118600557A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411087819.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117822120A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410232273.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，涉及局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法，包括坩埚部外的石墨发热组件，发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部，石墨发热部具有靠近原料容纳部的下端和靠近坩埚部顶部的上端，若干石墨发热部沿坩埚部的外周分布，相邻石墨发热部之间留有间隔且一体连接，一体连接为第一连接或第二连接，第一连接为相邻的石墨发热部的上端一体连接，第二连接为相邻的石墨发热部的下端一体连接，第一连接和第二连接间隔布置；石墨滑块，其设置于石墨发热部上并与发热部滑动连接，其相对石墨发热部沿坩埚部的轴向方向滑动，可以在晶体生长过程中调节温度梯度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117802573A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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