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公开(公告)号：CN104836588A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510187125.4
申请日：2011-03-10
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H04B1/10
CPC classification number: H04B1/1638 , H04B1/0475
Abstract: 本发明提供一种频率选择电路、信号处理装置和频率选择特性设置方法。所述频率选择电路包括信号输入端、信号输出端以及频率响应控制块。频率响应控制块更包括混频器模块以及滤波器模块。混频器模块具有第一端、第二端和本地振荡器端，其中第一端电连接至信号输入端与信号输出端之间的信号通道，且混频器模块根据自本地振荡器端接收的本地振荡输入来运作。滤波器模块电连接至混频器模块的第二端。上述频率选择电路、信号处理装置和频率选择特性设置方法以简单电路架构有效地衰减频带外信号，从而提高接收器和发送器的线性。
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公开(公告)号：CN102549922B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200980160257.0
申请日：2009-08-10
Applicant: 联发科技股份有限公司 , 万国商业机器公司
IPC: H03H7/18
CPC classification number: H03H7/20
Abstract: 本发明提供一种移相器以及负载装置，该移相器，包含一移相器核心以及多个负载装置。该移相器核心具有一输入端，用于接收输入信号，以及一输出端，用于输出输出信号，以及多个连接端。该多个负载装置分别耦接到该多个连接端。该多个负载装置的至少一个包含多个变容器单元，该多个变容器单元的每一个具有第一节点以及第二节点，其中，该多个变容器单元的第一节点耦接至一第一电压，该多个第一变容器单元的第二节点分别耦接到多个第二电压中的一个，该多个第二电压包含至少两个不同的电压。本发明提供的移相器以及负载装置减轻了变容器的非线性C-V曲线所带来的影响。
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公开(公告)号：CN104218960A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410233901.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 联发科技股份有限公司
CPC classification number: H04B1/10 , H03F1/3211 , H03F1/3223 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/3028 , H03F3/45475 , H03F2200/294 , H03F2200/411 , H03F2203/45512 , H03F2203/45526 , H03F2203/45528 , H03F2203/45594 , H03F2203/45702 , H04L1/0036
Abstract: 一种接收器前端电路，包括一第一接收器路径以及一第二接收器路径。第一接收器路径至少包括：一第一低噪声跨导器，用来放大一接收信号以及输出一第一放大后接收信号；以及一第一混频器，用来对第一放大后接收信号进行降频转换。第二接收器路径至少包括：一第二跨导器，用来放大接收信号以及输出一第二放大后接收信号；以及一第二混频器，用来对第二跨导器输出的第二放大后接收信号进行降频转换；一基频放大器，包括一输入端及一输出端；及一第一电阻，用来将基频放大器的输入端耦接至输出端，以及将第二跨导器输出的第二放大后接收信号从电流转换为电压，且设定第二接收器路径中的一电压增益。一第二电阻耦接至第一接收器路径以及第二接收器路径。
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公开(公告)号：CN102545791A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110331155.X
申请日：2011-10-27
Applicant: 联发科技股份有限公司
CPC classification number: H03F3/3022 , H03F3/45179 , H03F3/45242 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2203/45386 , H03F2203/45521 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
Abstract: 本发明提供一种推拉式低噪声放大器，包含有至少一放大器单元。每一放大器单元包含一旁通级以及至少一增益单元。该旁通级具有一第一节点、一第二节点。该至少一增益单元具有一输入端、一输出端，并包含有一负载级、一驱动级。该负载级具有耦接于该输出端点的一输出节点、耦接于该旁通级的该第一节点的一第一节点，以及耦接于该旁通级的该第二节点的一第二节点。该驱动级具有耦接于该输入端的一输入节点、耦接于该负载级的该第一节点的一第一驱动节点，以及耦接于该负载级的该第二节点的一第二驱动节点。当该推拉式低噪声放大器在一第一增益模式时，该负载级被启动，而该旁通级被关闭；当其在一第二增益模式时，该负载级被关闭，而该旁通级被启动。本发明的推拉式低噪声放大器，能够具有可变增益以及高线性度。
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公开(公告)号：CN101187818B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710139150.0
申请日：2007-07-26
Applicant: 联发科技股份有限公司
Inventor： 蔡明达
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种用来提供实质上为参考电压的输出电压的集成电路，包含耦接参考电压的低压差稳压器、耦接低压差稳压器的快速导通电路以及耦接低压差稳压器的快速截止电路。低压差稳压器在输出端产生输出电压，快速导通电路根据第一控制信号在输出端快速地供应输出电流，而快速截止电路根据第二控制信号自输出端快速地汲取放电电流。快速导通电路包含充电电流源。充电电流源包含参考电流源、第一晶体管、第一开关、第二开关以及第二晶体管。集成电路具有快速达到致能状态的能力以提供充足的电流及电压至负载装置，也可快速达到失能状态以避免在期望的电源关闭期间后消耗不必要的电源。本发明还公开了一种提供实质上为一参考电压的一输出电压的方法。
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公开(公告)号：CN102195661A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110058620.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 联发科技股份有限公司
Inventor： 蔡明达
Abstract: 本发明提供一种信号处理装置以及设定信号处理装置的滤波特性的方法。上述设定信号处理装置的滤波特性的方法包含有：设定第一信号处理路径的组态；以及设定第二信号处理路径的组态。当该信号输入端口所接收的输入信号包含第一频率的第一信号成分以及第二频率的第二信号成分时，该第一信号成分中大部分是通过该第一信号处理路径处理，以及该第二信号成分中大部分是通过该第二信号处理路径处理。所述信号处理装置以及设定信号处理装置的滤波特性的方法能够有效滤除不想要的信号成分。
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公开(公告)号：CN101282107A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810091601.2
申请日：2008-04-03
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H03D7/14
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1433 , H03D7/1458
Abstract: 本发明关于一种动态操控电流式混频器及正交动态操控电流式混频器，包括吉尔伯特混频核心、一对负载元件、动态电流操控单元以及转导单元，吉尔伯特混频核心有第一节点与第二节点，接收第一差动输入信号，于第一节点提供第一差动输出信号，这些负载元件分别耦接于吉尔伯特混频核心的第一节点与第一固定电压之间，动态电流操控单元有耦接至第二节点与第四节点的第三节点，转导单元耦接于第四节点与第二固定电压之间，接收第二差动输入信号，动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离吉尔伯特混频核心。本发明可有效地抑制闪烁噪声，对本地振荡信号的质量较不敏感，同时确保混频电路所需的增益与输出信号准位也未超出等效双载子电路的要求。
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公开(公告)号：CN111599799B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202010320951.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/544
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公开(公告)号：CN107017852B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710006468.5
申请日：2017-01-05
Applicant: 联发科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种功率放大器的控制电路，该控制电路包括：峰值检测器，用于检测输入信号的幅度；耦接到峰值检测器的至少一个第一比较器，比较输入信号的幅度和第一阈值生成第一比较结果；耦接到第一比较器的第一电流源，根据第一比较结果生成第一电流；耦接到峰值检测器的至少一个第二比较器，用于比较输入信号的幅度和第二阈值生成第二比较结果；耦接到第二比较器的第二电流源，根据第二比较结果生成第二电流；以及偏置电路，耦接到第一电流源和第二电流源，根据第一电流和第二电流生成偏置电压至功率放大器。通过本发明，可以有效地补偿功率放大器的非线性输入电容值，使得功率放大器的输入电容值可以更稳定，提高功率放大器的效率。
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公开(公告)号：CN111599799A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010320951.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种集成电路，其包括：基底，IC芯片，设置在所述基底之上，所述IC芯片包括电磁耦合器件；电磁屏蔽层，设置在所述基底的表面上，其中所述电磁屏蔽层和所述电磁耦合器件在所述基底的表面的垂直投射方向上部分重叠。通过采用本发明的技术方案，能够在改善电磁耦合器件的隔离度的同时降低对电磁耦合器件性能的影响。
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