叠层结构体、光电转换元件及电子设备

    公开(公告)号:CN100533777C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200610092776.6

    申请日:2006-06-14

    Inventor: 宫泽贵士

    Abstract: 本发明提供通过实现电子移动后的电荷分离状态的长寿命化,可以实现具有实用性的光电转换效率的光电转换元件、及具备所述光电转换元件,且可靠性高的电子设备。本发明的光电转换元件具有:第一电极、与第一电极对向配置的第二电极、位于它们之间的电子输送层(基体)(40)、与电子输送层(40)接触的光电转换层(D)、位于电子输送层(40)和第二电极之间并与光电转换层(D)接触的空穴输送层。该光电转换层(D),如图4所示,具有:与电子输送层(40)键合的第二膜(2)、第三膜(3)、位于第二膜(2)和第三膜(3)之间的第一膜(4)。其中,第一膜(4)由聚合物构成。

    电光学装置
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1901244A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN200610095880.0

    申请日:2002-12-24

    Inventor: 宫泽贵士

    CPC classification number: H05B33/22 G02F1/133502 H01L27/3244 H01L51/5262

    Abstract: 本发明提供一种电光学装置,该电光学装置包括:电光学元件层,其包括配置在两根电极之间的电光学元件;表面材料层,其位于所述电光学装置的最外面;第一层,其配置在所述电光学元件层与所述表面材料层之间;第二层,其配置在所述表面材料层与所述第一层之间;和第三层,其配置在所述表面材料层与所述第一层之间,所述第一层的折射率比所述表面材料层的折射率低。

    电子电路、其驱动方法、电光学装置以及电子设备

    公开(公告)号:CN1848221A

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200610075229.7

    申请日:2006-04-17

    Inventor: 宫泽贵士

    Abstract: 本发明提供一种电子电路及其驱动方法。在写入期间内第一晶体管(412)导通,将数据信号(Xj)向电容元件(420)的一端供给。这时,由于第二晶体管(414)截止,驱动电流未流OLED元件(430)中。虽然经由电源线(L)电源电压(Vdd)向电容元件的另一端供给,但由于在写入期间内驱动电流未流动,因此不会因电源线(L)的布线电阻而导致电源电压(Vdd)下降。另一方面,在发光期间内,第一晶体管(412)截止,第二晶体管(414)导通。这样,驱动电流向OLED元件(430)供给,防止写入期间的电源电压的变动。

    图案形成方法及装置、电敏感元件及滤色器的制造方法

    公开(公告)号:CN1815362A

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:CN200610007110.6

    申请日:2002-09-16

    Inventor: 宫泽贵士

    Abstract: 特别提供一种材料选择自由度高的新颖的图案形成方法,同时提供膜形成方法、采用上述图案形成方法的有机小型电敏感元件的制造方法和滤色器的制造方法、以及电光学装置及其制造方法、和电子仪器。在第一基体(透明基板121)的上方设置材料层10,利用光线照射这种材料层10,使材料层10的材料迁移到第一基体(透明基板121)上,形成所需图案的材料部分的图案形成方法。另外,通过激光光线照射受客层的材料层,在该受客层内注入该材料层(激光渗杂法),对该受客层付与所希望的功能。

    电子电路及其驱动方法、电光装置及其驱动方法,电子仪器

    公开(公告)号:CN1497514A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN200310100715.6

    申请日:2003-10-08

    Inventor: 宫泽贵士

    Abstract: 本发明提供一种电子电路及其驱动方法、电光装置及其驱动方法。由驱动用晶体管(Qd)、第一开关用晶体管(Qs1)、第二开关用晶体管(Qs2)、保持用电容器(Co)和有机EL元件(21)构成像素电路(20)。而且,在显示面板部上被配置为矩阵状的像素电路(20)中,在沿着最右侧的列方向配置的像素电路(20)和第一以及第二电压供给线(La、Lb)之间配置通过电位控制线(Lo)与有机EL元件(21)的第二电极(E2)连接,并且把第二电极(E2)的电位设定为驱动电压(Vdd)或阴极电压(Vo)的控制电路(TS)。由此,可达到抑制晶体管阈值电压的差异,并可减少晶体管的使用数量的目的。

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