公开(公告)号：CN102060981B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010566229.3

申请日：2007-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 邢敬熙 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。

公开(公告)号：CN102566282A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110306768.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴丞培 ,  田桓承 ,  赵诚昱 ,  金旼秀 ,  宋知胤 ,  崔有廷

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供硬掩模组合物，所述硬掩模组合物包括一种化合物和溶剂，所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元，在化学式1中，A、L、B、R1、R2、n1和n2中的每一个与在具体实施方式中所定义的相同。并且，本发明提供了利用所述硬掩模组合物形成图案的方法，以及包括通过所述图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物具有高的蚀刻选择性和改进的光学特性，同时保证对多重蚀刻的抗蚀性。[化学式1]

公开(公告)号：CN101641390A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052470.0

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  邢敬熙 ,  李镇国 ,  金钟涉 ,  田桓承 ,  南伊纳 ,  纳塔利娅·托克列娃

IPC: C08G61/12

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合于光刻，提供了良好的光学和机械性能，并且表现出高蚀刻选择性。此外，该硬掩模组合物可以容易地通过旋涂(spin-on)施加技术而施用。有利地，该硬掩模组合物可用于短波长光刻并具有最小的残留酸含量。