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公开(公告)号：CN101484949A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025630.2
申请日：2007-07-04
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G21K1/025 , B22F3/1055 , B22F7/08 , B22F2998/00 , B33Y80/00 , Y02P10/295 , B22F5/10
Abstract: 本公开关注于一种选择性透射电磁辐射、尤其是X射线辐射的滤线栅，其具有至少一个借助于选择性激光烧结由基本为辐射不能穿透的粉末材料建造的结构元件(2)，并且它还公开了一种对选择性透射电磁辐射的滤线栅进行制造的方法，其包括借助于选择性激光烧结由基本为辐射不能穿透的粉末材料生成至少一种结构元件(2)的步骤。在已经通过选择性激光烧结建造出结构元件之后，所述滤线栅可以是通过模塑或研磨技术无法实现的高度复杂的3D结构。在所述滤线栅的一个实施例中，烧结结构配合通过金属薄板中的孔。
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公开(公告)号：CN101410972A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010965.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/131 , H01L2924/014
Abstract: 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔，该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620)，其中，第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间，首先可以用非金属材料，例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后，可以减薄衬底(600)，并可以用低欧姆材料，尤其是金属材料来替代非金属材料。
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公开(公告)号：CN103200874B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180053589.6
申请日：2011-11-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
CPC classification number: G21K1/00 , A61B6/03 , A61B6/06 , A61B6/4078 , A61B6/4291 , A61B6/4441 , A61B6/484 , A61B6/502 , G01N23/04 , G21K1/06 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及用于X射线微分相位对比成像的箔光栅、用于生成对象的相位对比图像的探测器装备和X射线成像系统、以及制作箔光栅的方法。为了提供具有高纵横比的光栅，提供了一种用于X射线微分相位对比成像的箔光栅（40），所述箔光栅（40）具有X射线吸收材料的第一箔（42）；以及X射线吸收材料的至少第二箔（44）。至少两个所述箔每个都包括由X射线透明缝隙彼此间隔的多个X射线吸收条带，其中，所述第一箔包括具有第一宽度w1（50）的第一多个（46）第一条带（48），以及以第一间距p1（58）周期性布置的具有第一开口宽度wO1（56）的第一多个（52）第一缝隙（54），并且其中，所述第二箔包括具有第二宽度w2（64）的第二多个（60）第二条带（62），以及以第二间距p2（72）周期性布置的具有第二开口宽度wO2（70）的第二多个（66）第二缝隙（68）。至少两个所述箔被布置为彼此移位，从而使所述第二条带定位于所述第一缝隙前方，从而为X射线辐射的通路提供了多个（74）形成的狭缝（76），所述多个（74）形成的狭缝（76）具有形成的狭缝宽度WR（78），所述形成的狭缝宽度WR（78）小于所述第一开口宽度wO1和所述第二开口宽度wO2。至少两个所述箔固定地附接于彼此。
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公开(公告)号：CN102113060B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN200980130034.X
申请日：2009-08-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G21K1/025 , B22F3/114 , B22F7/002 , B22F2998/10 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , Y02P10/295 , B22F3/1055
Abstract: 提出了一种用于选择性透射电磁辐射的格栅(1)和制造该格栅的方法。其中，所述格栅(1)包括具有壁(3)的结构元件，所述结构元件包括辐射吸收材料的多个颗粒(19)，其中，所述颗粒(19)烧结在一起，使得在相邻颗粒(19)之间存在孔隙(21)。所述孔隙(21)至少部分填充有第二固态材料。孔隙(21)的填充能够通过将第二材料引入孔隙中中实现，第二材料为液态的，优选地为熔融形式。第二材料本身也能够是辐射吸收的，且可以有助于提高格栅的机械稳定性并增强辐射吸收性质。
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公开(公告)号：CN102187403B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980140564.2
申请日：2009-10-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
CPC classification number: G21K1/025 , B22F3/1055 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , Y02P10/295
Abstract: 本发明提出一种制造用于选择性地透射电磁辐射——特别是X射线辐射——的栅格(1)的方法。该方法包括：提供具有自支撑稳定性的支撑元件(3)，其中该支撑元件(3)由基本不吸收选择性地透射通过该栅格的电磁辐射的材料制成；在该支撑元件(3)的表面上施加金属层(5)；以及用吸收选择性地透射通过该栅格的电磁辐射的材料在该金属层(5)的表面上构建选择性透射结构(7)，其中该透射结构是利用选择性激光烧结构建的。由于该支撑元件(3)提供足够的机械稳定性但并不吸收相应的辐射，在其上利用选择性地烧结构建的选择性透射结构(7)可能不必随后与制造基底分离，从而防止了分离/划片损失，此外其可能在结构上得以保持并且在处理栅格期间不受损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103261913A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059601.4
申请日：2011-12-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , G01T1/2008
Abstract: 本发明涉及辐射探测器（100），包括闪烁体组，所述闪烁体组具有例如两个闪烁体元件（120a、120b）用于根据特征发射光谱将入射初级光子（X，X’）转换成次级光子（λ，λ'）。此外，所述探测器包括至少两个光探测器（120a、120b）用于将所述次级光子转换成电信号，其中所述光探测器具有不同的吸收光谱并且能被分别读出。根据本发明的优选实施例，所述光探测器为有机光探测器（120a、120b）。所述闪烁体元件（120a、120b）和所述光探测器优选为一个接一个地堆叠布置。由于所述至少两个光探测器（120a、120b），可以收集有关入射初级辐射（X，X’）的额外的信息。
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公开(公告)号：CN103200874A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053589.6
申请日：2011-11-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
CPC classification number: G21K1/00 , A61B6/03 , A61B6/06 , A61B6/4078 , A61B6/4291 , A61B6/4441 , A61B6/484 , A61B6/502 , G01N23/04 , G21K1/06 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及用于X射线微分相位对比成像的箔光栅、用于生成对象的相位对比图像的探测器装备和X射线成像系统、以及制作箔光栅的方法。为了提供具有高纵横比的光栅，提供了一种用于X射线微分相位对比成像的箔光栅（40），所述箔光栅（40）具有X射线吸收材料的第一箔（42）；以及X射线吸收材料的至少第二箔（44）。至少两个所述箔每个都包括由X射线透明缝隙彼此间隔的多个X射线吸收条带，其中，所述第一箔包括具有第一宽度w1（50）的第一多个（46）第一条带（48），以及以第一间距p1（58）周期性布置的具有第一开口宽度wO1（56）的第一多个（52）第一缝隙（54），并且其中，所述第二箔包括具有第二宽度w2（64）的第二多个（60）第二条带（62），以及以第二间距p2（72）周期性布置的具有第二开口宽度wO2（70）的第二多个（66）第二缝隙（68）。至少两个所述箔被布置为彼此移位，从而使所述第二条带定位于所述第一缝隙前方，从而为X射线辐射的通路提供了多个（74）形成的狭缝（76），所述多个（74）形成的狭缝（76）具有形成的狭缝宽度WR（78），所述形成的狭缝宽度WR（78）小于所述第一开口宽度wO1和所述第二开口宽度wO2。至少两个所述箔固定地附接于彼此。
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公开(公告)号：CN101946299B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980105033.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
IPC: H01J35/06
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J35/065 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 提出了一种用于特别地由场发射碳纳米管(1，2)生成多能量X射线的源(19)。为了实现来自不同发射器的X射线束的轨迹的空间交叠，向发射的电子(28，29)供应聚焦单元(7，9)。在不同碳纳米管的发射之间的快速切换允许多个千伏的成像。由聚焦单元独立确定多个焦斑参数导致可能在不同焦斑几何形状和空间分辨率之间进行快速切换。这可以在图1中看出。
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公开(公告)号：CN103081024A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042736.X
申请日：2011-08-30
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G21K1/02
CPC classification number: G01N23/04 , G21K1/025 , G21K2207/00 , H01J2235/068
Abstract: 本发明涉及一种用于产生X射线图像的方法和成像系统（100）。该系统（100）包括至少一个X射线源，优选是X射线源（101a-101d）的阵列，以及具有敏感像素（103a-103e）阵列的X射线探测器（103）。在X射线源和探测器之间布置准直器（102），使得准直器（102）的两个开口（P）允许X射线通过而指向两个相邻像素（103a-103e），同时基本屏蔽所述像素之间的区域。像素之间对通常不敏感的区域的这种屏蔽减少了不必要的X射线曝光。可以利用多个小的X射线源（101a-101d）实现充分大的X射线强度。
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公开(公告)号：CN102884868A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022705.8
申请日：2011-04-28
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特米尔
CPC classification number: H05G1/10 , A61N5/1001 , A61N2005/1022 , H01J2235/0236 , H05G1/06
Abstract: 本发明涉及X射线辐射（10）的生成，特别是涉及适于介入成像的X射线生成设备（2）。近距离放射治疗需要适合于在体内操作的小型化X射线生成设备（2）。特别是，布置在患者身体内的X射线生成设备（2）需要用于为X射线源提供高电压和/或冷却的专用线缆。因此，提供X射线生成设备（2），其采用机械能量源用于在所述X射线生成设备（2）内的高电压的本地生成以及还采用所述机械能量源用于所述X射线源的冷却。
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