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公开(公告)号：CN102779839A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248777.0
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/36 , H01L29/739
Abstract: 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特性，能有效减小IGBT寄生PNP晶体管αPNP，从而减小IGBT的高温漏电流，进一步减少IGBT的整体功耗；N-漂移区（8）增加的电子浓度和空穴在漂移区加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，减少IGBT的关断过程，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
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